MOS管的知识，看这⼀篇就可以了
今天的⽂章简单总结⼀下MOS管，如下是本⽂⽬录。
▉场效应管分类
场效应管分为结型（JFET）和⾦属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。dialog
JFET的英⽂全称是 Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中⼏乎不⽤。heads up 翻译
MOSFET英⽂全称是 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，应⽤⼴泛，MOSFET⼀般称MOS管。MOSFET有增强型和耗尽型两⼤类，增强型和耗尽型每⼀类下⾯都有NMOS和PMOS。
增强型MOS管的英⽂为 Enhancement MOS或者EMOS，耗尽型MOS管的英⽂为 Depletion MOS或者DMOS。
⼀般主板上使⽤最多的是增强型MOS管，NMOS最多，⼀般多⽤在信号控制上，其次是PMOS，多⽤在电源开关等⽅⾯，耗尽型⼏乎不⽤。
▉ N和P区分
如下红⾊箭头指向G极的为NMOS，箭头背向G极的为PMOS。
▉寄⽣⼆极管
由于⽣产⼯艺，⼀般的MOS管会有⼀个寄⽣⼆极管，有的也叫体⼆极管。
红⾊标注的为体⼆极管
从上图可以看出NMOS和PMOS寄⽣⼆极管⽅向不⼀样，NMOS是由S极→D极，PMOS是由D极→S极。
寄⽣⼆极管和普通⼆极管⼀样，正接会导通，反接截⽌，对于NMOS，当S极接正，D极接负，寄⽣⼆极管会导通，反之截⽌；对于PMOS管，当D极接正，S极接负，寄⽣⼆极管导通，反之截⽌。
某些应⽤场合，也会选择⾛体⼆极管，以降低DS之间的压降（体⼆极管的压降是⽐MOS的导通压降⼤很多的），同时也要关注体⼆极管的过电流能⼒。
当满⾜MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体⼆极管是截⽌状态，因为MOS管的导通内阻极⼩，⼀般mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很⼩，不⾜以使寄⽣⼆极管导通，这点需要特别注意。
▉导通条件
MOS管是压控型，导通由G和S极之间压差决定。
hung对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，即G极和S极的压差⼤于⼀定值，MOS管会导通，但是也不能⼤太多，否则烧坏MOS 管，开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。pools
对PMOS来说，Vs-Vg>Vgs(th)，即S极和G极的压差⼤于⼀定值，MOS管会导通，同样的，具体参数看器件的SPEC。
本科毕业证编号查询▉基本开关电路
NMOS管开关电路
当GPIO_CTRL电压⼩于MOS管开启电压时，MOS管截⽌，OUT通过R1上拉到5V，OUT=5V。
当GPIO_CTRL电压⼤于MOS管开启电压时，MOS管导通，D极电压等于S极电压，即OUT=0V。
PMOS管开关电路
PMOS管最常⽤在电源开关电路中，下图所⽰，当GPIO_CRTL=0V时，S和G极压差⼤于MOS管开启
电压时，MOS管导通，5V_VOUT=5V_VIN。
▉与三极管的区别
三极管是电流控制，MOS管是电压控制，主要有如下的区别：
1，只容许从信号源取少量电流的情况下，选⽤MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选⽤三极管。
2，MOS管是单极性器件（靠⼀种多数载流⼦导电），三极管是双极性器件（既有多数载流⼦，也要少数载流⼦导电）。
3，有些MOS管的源极和漏极可以互换运⽤，栅极也可正可负，灵活性⽐三极管好。
4，MOS管应⽤普遍，可以在很⼩电流和很低电压下⼯作。
5，MOS管输⼊阻抗⼤，低噪声，MOS管较贵，三极管的损耗⼤。姚明翻译
6，MOS管常⽤来作为电源开关，以及⼤电流开关电路、⾼频⾼速电路中，三极管常⽤来数字电路开关控制。
▉ G和S极串联电阻的作⽤
MOS管的输⼊阻抗很⼤，容易受到外界信号的⼲扰，只要少量的静电，就能使G-S极间等效电容两端产⽣很⾼的电压，如果不及时把静电释放掉，两端的⾼压容易使MOS管产⽣误动作，甚⾄有可能击穿G-S极，起到⼀个固定电平的作⽤。▉ G极串联电阻的作⽤
MOS管是压控型，有的情况下，为什么还需要在G极串联⼀个电阻呢？
1，减缓Rds从⽆穷⼤到Rds(on)。
2，防⽌震荡，⼀般单⽚机的I/O输出⼝都会带点杂散电感，在电压突变的情况下，可能与栅极电容形成LC震荡，串联电阻可以增⼤阻尼减⼩震荡效果。
3，减⼩栅极充电峰值电流。
▉ MOS管的⽶勒效应
关于MOS管的⽶勒效应，可以阅读⽂章：
▉选型要点
▉选型要点
1.电压值
关注Vds最⼤导通电压和Vgs最⼤耐压，实际使⽤中，不能超过这个值，否则MOS管会损坏。
关注导通电压Vgs(th)，⼀般MOS管都是⽤单⽚机进⾏控制，根据单⽚机GPIO的电平来选择合适导通阈值的MOS管，并且尽量留有⼀定的余量，以确保MOS可以正常开关。
2.电流值
关注ID电流，这个值代表了PMOS管的能流过多⼤电流，反应带负载的能⼒，超过这个值，MOS管也会损坏。
3.功率损耗睿思博英语
功率损耗需要关注以下⼏个参数，包括热阻、温度。热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的⽐值，单位是℃/W或者是K/W，热阻的公式为ThetaJA = (Tj-Ta)/P，和功率和环境温度都有关系。
4.导通内阻
导通内阻关注PMOS的Rds(on)参数，导通内阻越⼩，PMOS管的损耗越⼩，⼀般PMOS管的导通内阻都是在mΩ级别。
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5.开关时间
MOS作为开关器件，就会有开关时间概念，在⾼速电路中，尽可能选择输⼊、输出电容Ciss&Coss⼩、开关时间翻译miya
Ton&Toff短的MOS管，以保证数据通信正常。
参数解释推荐阅读⽂章：带你读懂MOS管参数「热阻、输⼊输出电容及开关时间」
6.封装
edgewater根据PCB板的尺⼨，选择合适的PMOS管尺⼨，在板载⾯积有限的情况下，尽可能选择⼩封装；尽量选择常见封装，以备后续选择合适的替代料。
