multisim耗尽型mos管

更新时间:2023-07-22 23:50:13 阅读: 评论:0

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柳林风声下载耗尽型MOS管,也称为增强型MOS管(Enhancement MOSFET),是一种结构上与耗尽型MOS管相反的MOS管。在耗尽型MOS管中,场效应管的沟道是由NI极偏压控制的(也称为和Depleation型沟道);而在耗尽型MOS管中,沟道是由PN结偏压控制的(也称为和Ennhancement型沟道)。当栅极电压为0时,耗尽型MOS管的沟道被完全封锁,没有电流通过。
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Multisim是一款电路仿真软件,可以用来模拟和测试各种电路,包括MOS管。在Multisim中,你可以选择使用耗尽型MOS管或增强型MOS管,并设置其相应的参数,如沟道长度、宽度、栅极电压等。然后,你可以通过Multisim来模拟和分析MOS管在不同条件下的电流特性、电压特性和功率特性等。
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标签:耗尽   特性   沟道
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