nandnorflash原理与区别
flash(nand nor)原理
闪存（Flash）技术利用的场效应管就是浮栅场效应管
FLASH技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。它具有两个栅极，一个如普通场管栅极一样，用导线引出，称为“选择栅”；另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连，这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。通常情况下，浮栅不带电荷，则场效应管处于不导通状态，场效应管的漏极电平为高，则表示数据1。编程时，场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压，源极则接地。这样大量电子从源极流向漏极，形成相当大的电流，产生大量热电子，并从衬底的二氧化硅层俘获电子，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层，这时由于选择栅加有高电压，在电场作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅，并在浮栅上形成电子团。浮栅上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅上，所以信息能够长期保存（通常来说，这个时间可达10年）。由于浮栅为负，所以选择栅为正，在存储器电路中，源极接地，所以相当于场效应管导通，漏极电平为低，即数据0被写入。擦除时，源极加上较
高的编程电压，选择栅接地，漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理，浮栅上的电子将穿过势垒到达源极，浮栅上没有电子后，就意味着信息被擦除了。
print spooler由于热电子的速度快，所以编程时间短，并且数据保存的效果好，但是耗电量比较大。
flash memory 是从ROM、PROM、EPROM、EEPROM这样一步步发展过来的。EPROM、EEPROM、FLASH MEMORY的核心部件都是一个浮置栅场效应管，通过在浮置栅上放置电子和没有电子两种状态来区分0、1。由于浮栅中电子的变化，存贮单元的阈值电压也会随之而改变，向浮栅中注入电子时，域值电压升高，加正常电压不能使该管导通定义为“1”；将浮栅中的电子拉出，加正常电压导通，定义为0。也有说通过检测该管有电流通过为1，无电流通过为0，这样就是有电子为0，无电子为1。不管采用哪种，反正有两种状态区分就可
以保存数据了。
船务英语电子注入及擦除：
1、沟道热电子注人(CHE)
CHE是Flash中常用的一种“写”操作方式。其原理是，当在漏和栅极上同时加高电压，沟道中的电子在Vd建立的横向电场加速下获得很高的能量。这些热电子在编结附近碰撞电离，产生高能电子，在栅极电场的吸引下，跃过3．2 eV 的氧化层电子势垒，形成
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2、F—N隧穿效应（F—N Tunneling)
当在栅极和衬底之间加一个电压时，在氧化层中会建立一个电场。一般情况下．由于SO2 和Si界面的电于势垒很高(3．2 eV)．电子很难越过势垒注入到多晶硅栅中。Fowler 等人提出，当氧化层中电场达到10 Mv／cm，且氧化层厚度较小(0.01微米以下)时，电子将发生直接隧穿效应，穿过氧化层中势垒注入到浮栅．近年来出现了在多晶硅上生长Textured 一0xide，可以降低隧穿电压，即增强F —N 注入。
以上两种注入方式的特点有很大不同。沟道热电子注入模式工作电压较低，外围高压工艺的要求也较低，但它的编程电流很大，有较大的功耗，不利于应用在便携式电脑等有低功耗要求的产品上；隧穿入模式的功耗小，但要求有更高的编程电压，外围工艺和升压小学英语学习培训班
消耗的意思
电路也就较为复杂。
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由于空穴的有效质量和氧化层界面势垒均比电子要大，CHE方式不能用于FG中电于的擦除。目前，一般采用F—N隧道注入来实现Flash的擦除。
两种类型的FLASH MEMORY:
1、NOR FLASH
NOR FALSH 阵列substantial翻译
NOR技术Flash Memory结构，每两个单元共用一个位线接触孔和一条源线线，采用CHE的写入和源极F—N擦除，具有高编程速度和高读取速度的优点。但其编程功耗过大，在阵列布局上，接触孔占用了相当的空间，集成度不高。具有以下特点：(1)程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行．而无需先将代码下载至RAM 中再执行；(2)可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除．必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。适合存储代码，比如用来做BOIS。由于NOR技术FlashMemory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长．在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
