半导体常用缩写词汇汇总
EPI 外延 PM 设备维护与保养
PCW 工艺冷却水 PMC 生产计划与物料控制
PLC 可编程序控制控制器
H2 氢气 Sb 锑
N2 氮气 As 砷
SiHCl3 （TCS）三氯氢硅 B 硼
PH3 磷烷 CMOS 互补金属氧化物半导体
HCl 氯化氢 CMP 化学机械抛光
come overHg 汞（水银） ESD静电释放
HNO3 硝酸 H2O2双氧水
jealous是什么意思
HF 氢氟酸 MOS 金属氧化物半导体
SPC 统计过程控制 PCM 工艺控制监测
MRB 异常评审委员会 PCN 工艺变更通知单
CAB 变更评审委员会 ECN 工程变更通知单
OCAP 失效控制计划。指制程过程中失控时所应采取的对应措施。是一种受控文件，包含造成异常的因素等
PSG 磷硅玻璃
TF 薄膜 PVD物理气相淀积
PHO 光刻 PCB 印刷电路板
DIF 扩散 RF 射频
II 注入 UV紫外线
CVD 化学气相淀积 VPE气相外延
SPV 扩散长度 Bubbler 鼓泡器
CD 关键尺寸 EMO 设备紧急按钮
CD-SEM 线宽扫描电镜 ScrubbLer 尾气处理器
ETCH 刻蚀 （腐蚀） Coat 包硅
H2-BAKE 氢气烘烤 SRP 外延层纵向电阻率分布
1号液：（NH4董事长办公室 英文OH:H2O回答英语2：H2i lineO） NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7，
2号液：（HCl：H2O2：H2O） HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 5
3号液（Caros清洗液）：(Hopenstreetmap2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1，
4#号液:H2O:HF=10:1
CV： 电容-电压测试
BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液
CZ：切克劳斯基直拉法 Wafer： 抛光片
FZ：区熔方法 THK：膜厚
Rs：电阻 TTV:总厚度偏差
TIR：平整度 STIR：局部平整度
LTO：背封 BOW:弯曲度
CHIP:崩边 SLIP：滑移线
MARK:痕迹 WARP：翘曲度
CRACK:裂纹 SPOT: 斑点
HAZE：发雾 CROWN：皇冠，边缘突起物
OISF:氧化诱生层错 ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性
OSF：氧化层错 BMV：气体流量控制阀
LIFE TIME：寿命 POINT DEFECT: 点缺陷
Integrated circuit：集成电路 epitaxial layer：外延层
Buried layer：埋层 interface：界面
Diameter：直径 chemical vapor polish 化学气相抛光
Pfuck the pain awayolished surface ：表面抛光 back side ;反面
Front side ：正面 INJ：引入气体流量
DIL：稀释气体流量 Autodoping：自掺杂
Sccm：毫升/每分钟 Slm：升/每分钟
CDA:压缩空气 PN2：工艺氮气
Cable：电缆 MES：生产过程执行管理系统
SFC：生产车间集中
MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统
双重否定句
PDM：制造过程数据文档管理系统
MSA:量具测量系统分析
KPI：关键表现指标, 销售指标
A日语课程larm ：报警
MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析
QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估/评价
QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称
OOC/卜卦韩文oos:
OOS：检验结果偏差超过规格、不合格
OOC : 产品质量失去控制，需要采取返工、召回等手段。处理过程需要加入偏差报告
PDCA: 策划- 实施- 检查- 改造
ROSH: 电子产品中有害物质的含量（如Pb鉛 、 Cd镉 、 Hg 汞、 六价Cr铬）
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