半导体制造中常用化学品

更新时间:2023-07-14 15:29:12 阅读: 评论:0

半导体制造中常用化学品
半导体制造过程中常用的碱
经典英文文章
woodbury
半导体制造过程中常用的溶剂
半导体制造过程中常用的通用气体
性质1website
名称/符号
1
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1 ,
用途
1 ■
i i
i K
1
1
惰性
every one1
1. i排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿
■I 1
氮气/N2 \气和剩余气体,有时也作为某些淀积工艺
■■I
1 1
i i 的工艺气体
■I 氩气/Ar ! 在硅片工艺过程中用在工艺腔体中
!
1 1氦气/He :工艺腔气体,也用于真空室的漏气检查i
■外延层工艺的运载气体,也用在热氧化工
复原性氢气/H2 =
=
1
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1
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艺中与Q反响生成水蒸气等
半导体制造过程中常用的特种气体
用在刻蚀工艺中
硅片湿法清洗化学品
酸性气体 其他
a ■ ■■■ ■ ■■ ■ I ma■■■ ara ■ ■
I
四氟甲烷/CF 4
四氟化硅/SiF 4
U _________  __ ..... _______  ____________ i _________
三氟化氯/CIF 3
三氯化硼/BCI 3
氯化氢/HCI
氮〕/N 2O
等离子刻蚀工艺中的氟离子源
domestically等离子刻蚀工艺中的氟离子源
工艺腔体清洁气体
catti报名p 型硅片离子注入的硼源
金属刻蚀中所用氯的来源
p 型硅片离子注入的硼源,
金属刻蚀中所用氯的来源
工艺腔体清洁气体和去污剂
I nm ■ ■ ■ IM ■ ■ ・■ ■■ ■ ■ UM
webkitKB ■ ■ ■ ■ ■ ■・■ ■・ HT ・ I ■ ■
■ HI ■ ■ ■!・■ W ■ VIM ■ ■ MT ・■ I ■■ ■ I ■ ■ ■ M ・・■ J
工艺气体用来和SiH 2Cl 2反响生成淀积用的hoshino
与硅反响生成二氧化硅的氧源
氧化碳/CO
典型的硅片湿法清洗顺序
步骤目的piranha 清洗有机物与金属
UPW清洗〔超纯水〕清洗
DHF清洗自然氧化层UPW清洗清洗
SC-1清洗颗粒

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