Back side contact layer for PV module with by-pass

更新时间:2023-06-07 13:18:53 阅读: 评论:0

专利名称:Back side contact layer for PV module with
by-pass configuration
英语手抄报内容发明人:Evert Eugène Bende,Bas Bernardus van
Aken,Nicolas Guillevin,Markus Johan
Jann,Ilkay Cesar
银货两讫申请号:US15300289
申请日:20150331
公开号:US20170186901A1
公开日:
onepiece什么意思
20170629
专利内容由知识产权出版社提供
专利附图:
default什么意思>实用英语摘要:Back side connection layer for a photo-voltaic module with a plurality of PV-idiom
cells (). The PV-cells () are of a type having a plurality of back side contacts (). A by-pass diode connection path () is formed in the back side connection layer () along an edge direction of two adjacent cells () with a straight or meandering pattern around outer contacts () of the plurality of back side contacts () of the two adjacent cells ().
申请人:Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland
recruit是什么意思地址:Petten NL
国籍:NL
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末路狂澜

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