半导体⼈必须知道的100个专业名词！【值得收藏】
1、Acetone丙酮
丙酮是有机溶剂的⼀种，分⼦式为CH3COCH3
性质：⽆⾊，具剌激性薄荷臭味的液体
⽤途：在FAB内的⽤途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭
毒性：对神经中枢具中度⿇醉性，对⽪肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起⽪肤炎，吸⼊过量的丙酮蒸⽓会刺激⿐、眼结膜、咽喉粘膜、甚⾄引起头痛、恶⼼、呕吐、⽬眩、意识不明等。
允许浓度：1000ppm
ActiveArea主动区域
MOS核⼼区域，即源，汲，闸极区域
2、AEI蚀刻后检查
AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。
AEI的⽬的有四：
提⾼产品良率，避免不良品外流。
达到品质的⼀致性和制程的重复性。
显⽰制程能⼒的指标。
防⽌异常扩⼤，节省成本
通常AEI检查出来的不良品，⾮必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。⽣产成本增⾼，以及良率降低的缺点。
3、Al-Cu-Si铝硅铜高考心理辅导
⾦属溅镀时所使⽤的原料名称，通常是称为Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，⼀般制程通常是使⽤99%铝1%硅．后来为了⾦属电荷迁移现象(Electromigration)故渗加0.5%铜降低⾦属电荷迁移。
4、AlkalineIons碱⾦属雕⼦
如Na ，K ，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减⼩少⼦寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的⽯英材料，制程⽓体及光阻等不纯物。
5、Alloy合⾦
半导体制程在蚀刻出⾦属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进⾏Alloy步骤，以450℃作⽤30min，增加Al与Si的紧密程度，防⽌Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。
6、Aluminum铝
⼀种⾦属元素，质地坚韧⽽轻，有延展性，容易导电。普遍⽤于半导体器件间的⾦属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加⼊适量的Cu或Si。
7、Anneal回⽕
⼜称退⽕：也叫热处理，集成电路⼯艺中所有的在氮⽓等不活泼⽓氛中进⾏的热处理过程都可以称为退⽕。
激活杂质：使不在晶格位置上的离⼦运动到晶格位置，以便具有电活性，产⽣⾃由载流⼦，起到杂质的作⽤。
消除损伤：离⼦植⼊后回⽕是为了修复因⾼能加速的离⼦直接打⼊芯⽚⽽产⽣的损毁区（进⼊底材中的离⼦⾏进中将硅原⼦撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。⽽这种损毁区，经过回⽕的热处理后即可复原。这种热处理的回⽕功能可利⽤其温度、时间差异来控制全部或局部的活化植⼊离⼦的功能。
氧化制程中的回⽕主要是为了降低界⾯态电荷，降低SiO2的晶格结构。
退⽕⽅式：
炉退⽕honeydrops是什么
快速退⽕：脉冲激光法、扫描电⼦束、连续波激光、⾮相⼲宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、⽯墨加热器、红外设备等)
8、Angstrom埃
是⼀个长度单位，1?=10-10⽶，其⼤⼩为1公尺的佰亿分之⼀，约⼈的头发宽度的伍拾万分之⼀。此单位常⽤于IC制程上，表⽰膜层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时⽤。
9、Argon氩⽓
氩⽓
10、ArcChamber弧光反应室
弧光反应室，事实上就是⼀个直流式的电浆产⽣器。因为所操作的电流－对－电压的区域是在弧光电浆内。
11、APM(Ammonia,hydrogen-PeroxideMixing)
⼜称SC-1(StandardCleaningsolution-1)主要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I.water，常⽤⽐率为1：1：6。能有效去处除⽆机颗粒，有机沉淀及若⼲⾦属玷污，去除颗粒能⼒随NH4OH增加⽽增加。
12、BackingPump辅抽泵
在⾼真空系统中，要想很快建⽴我们所需的⾼真空，单纯靠⾼真空泵是不⾏的（因⾼真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下），所以我们在系统中加⼊⼀个辅抽泵（如油泵），先对系统建⽴初真空，再由⾼真空泵对系统建⽴⾼真空。
13、Bake,Softbake,Hardbake烘培、软烤、预烤
烘烤（Bake）：在集成电路芯⽚的制造过程中，将芯⽚置于稍⾼温(60℃~250℃)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其⽬的不同，可区分为软烤(Softbake)与预烤(Hardbake)。
(Hardbake)。
软烤(Softbake)：其使⽤时机是在上完光阻后，主要⽬的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯⽚的附着⼒。
预烤(Hardbake):⼜称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake)，主要⽬的为去除⽔⽓，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wetetching)更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻。
14、BarrierLayer阻障层
为了防⽌铝合⾦与硅的的接触界⾯发⽣尖峰（spiking）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合⾦与硅之间加⼊⼀层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW。
15、BB：Bird'sBeak鸟嘴
newspaper在⽤Si3N4作为掩膜制作fieldoxide时，在Si3N4覆盖区的边缘，由于氧或⽔⽓会透过PadOxideLayer扩散⾄Si-Substrate表⾯⽽形成SiO2，因此Si3N4边缘向内会产⽣⼀个鸟嘴状的氧化层，即所谓的Bird'
sBeak。其⼤⼩与坡度可由改变Si3N4与PadOxide的厚度⽐及FieldOxidation的温度与厚度来控制。
16、Boat晶⾈
Boat原意是单⽊⾈。在半导体IC制造过程中，常需要⽤⼀种⼯具作芯⽚传送及加⼯，这种承载芯⽚的⼯具，我们称之为Boat。⼀般Boat有两种材质，⼀是⽯英（Quartz），另⼀碳化硅（SiC）。SiCBoat⽤在温度较⾼(Drivein)及LPSiN的场合。
17、BOE(Buffer Oxide Etching)
B.O.E.是HF与NH4F依不同⽐例混合⽽成。6:1BOE蚀刻即表⽰HF:NH4F=l:6的成份混合⽽成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂使⽤。利⽤NH4F固定[H']的浓度，使之保持⼀定的蚀刻率。
HF会侵蚀玻璃及任何硅⽯的物质，对⽪肤有强烈的腐蚀性，不⼩⼼被溅到，应⽤⼤量冲洗。
18、BoundaryLayer边界层
假设流体在芯⽚表⾯流速为零，则流体在层流区及芯⽚表⾯将有⼀个流速梯度存在，称为边界层（BoundaryLayer）
翻译张蕾19、BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)
BPSG：为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2，加⼊B,P可以降低Flow温度，并且P吸附⼀些杂质离⼦，流动性⽐较好，作为ILD的平坦化介质。
20、BreakdownVoltage崩溃电压
左图是⼀个典型PN⼆极管的电流对电压曲线，因为只有在加正向电压时才导通，但假若施加的反向电压太⾼且超过⼀特定临界值时，反向电流将急剧上升，这个现象称为电崩溃。⽽使崩溃现象发⽣的临界电压称为崩溃电压，如图中的VBD。
21、BufferLayer缓冲层
通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较⼤的两层之间，缓冲两者因直接接触⽽产⽣的应⼒作⽤。我们制程最常见的缓冲层即SiO2，它⽤来缓冲SiN4与Si直接接触产⽣的应⼒，从⽽提升Si3N4对Si表⾯附着能⼒。
22、C1clean
Clean的⼀种制程，它包括DHF(稀释HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2Omixed)---HPM(HCl-H2O2-H2Omixed)
23、Burnin预烧试验
「预烧」(Burnin)为可靠性测试的⼀种，旨在检验出那些在使⽤初期即损坏的产品，⽽在出货前予以剔除。
预烧试验的作法，乃是将组件(产品)置于⾼温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与⾦属层的外来杂质离⼦或腐蚀性离⼦将容易游离⽽使故障模式(FailureMode)提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品的⽬的。
预烧试验分为「静态预烧」(StaticBurnin)与「动态预烧」(DynamicBurnin)两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的⼯作电压及消耗额定的功率。⽽后者除此外并有仿真实际⼯作情况的讯号输⼊，故较接近实际况，也较严格。
基本上，每⼀批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，但由于成本及交货期等因素，有些产品就只作抽样(部分)的预烧试验，通过后才货。另外，对于⼀些我们认为它品质够稳定且够⽔准的产品，亦可以抽样的⽅式进⾏。当然，具有⾼信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验
24、CarrierGas载⽓
⽤以携带⼀定制程反应物（液体或⽓体）进反应室的⽓体，例如⽤N2携带液态TEOS进炉管，N2即可称为载⽓。
25、Chamber真空室，反应室
专指⼀密闭的空间，⽽有特殊的⽤途、诸如抽真空，⽓体反应或⾦属溅镀等。因此常需对此空间的种种外在或内在环境加以控制；例如外在粒⼦数(particle)、湿度等及内在温度、压⼒、⽓逞流量、粒⼦数等达到最佳的反应条件。
26、Channel通道；缝道
当在MOS的闸极加上电压（PMOS为负，NMOS为正）。则闸极下的电⼦或电洞会被其电场所吸引或排斥⽽使闸极下的区域形成⼀反转层(Inversionlayer)。也就是其下的半导体p-type变成N-typeSi，N-type变成p-typeSi，⽽与源极和汲极成同type，故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为'通道'。信道的长
度'ChannelLength'对MOS组件的。
参数有着极重要的影响，故我们对POLYCD的控制需要⾮常谨慎。
27、通道阻绝植⼊
在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，因为场氧化层上⽅常有⾦属导线
通过，为了防⽌⾦属层，场氧化层，底材硅产⽣类似NMOS的电容效应，场氧化层下⽅的区域常掺有掺质浓度很⾼的P型层，以防⽌类似NMOS的反转层在场氧化层下发⽣，⽽破坏电晶体间的隔离。这层P型层通常称为'ChannelStop'，这层掺质是以离⼦植⼊（Implantation）的⽅式完成的，所以称为通道阻绝植⼊。
28、化学机械研磨法
随着⽤以隔离之⽤的场氧化层（FOX）,CMOS电晶体，⾦属层及介电层等构成IC的各个结构在芯⽚上建⽴之后，芯⽚的表⾯也将随之变得上下凸凹不平坦，致使后续制程变得更加困难。⽽传统半导体制程⽤以执⾏芯⽚表⾯平坦化的技术，以介电层SiO2的平坦为例，计有⾼温热流法、各种回蚀技术及旋涂式玻璃法。当VLSI的制程推进到0.35以下后，以上这些技术已不能满⾜制程需求，故⽽也就产⽣了CMP制程。所谓CPM就是利⽤在表⾯布满研磨颗粒的研磨垫（polishingpad），对凸凹不平的晶体表⾯，藉由化学助剂（reagent）的辅助，以化学反应和机械式研磨等双重的加⼯动作，来进⾏其表⾯平坦化的处理。29、电荷陷⼊
⽆特定分布位置，主要是因为MOS操作时产⽣的电⼦或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键所捕陷造成。可以通过适当的回⽕来降低其浓度。
30、化学⽓相沉积
参与反应的⽓体从反应器的主⽓流⾥藉着反应⽓体在主⽓流及芯⽚表⾯的浓度差，以扩散的⽅式经过边界层传递到芯⽚的表⾯。反应物在表⾯相会后藉着芯⽚表⾯提供的能量，沉积反应发⽣。反应完成后，反应的副产物及未参与反应的反应⽓体从芯⽚表⾯吸解并进⼊边界层，最后进⼊主⽓流并被抽⽓装置抽离。
表⾯提供的能量，沉积反应发⽣。反应完成后，反应的副产物及未参与反应的反应⽓体从芯⽚表⾯吸解并进⼊边界层，最后进⼊主⽓流并被抽⽓装置抽离。
化学⽓相沉积的五个主要的步骤。
世博会歌曲1. 反应物以扩散通过界⾯边界层
2. 反应物吸附在晶⽚表⾯
3. 化学沉积反应发⽣
4. Byproduct及部分⽣成物以扩散通过界⾯边界层
5. Byproduct及部分⽣成物与未反应物进⼊主⽓流⾥，并离开系统
31、晶粒
⼀⽚芯⽚(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的⽅形⼩单位，这些⼩单位即称为晶粒。同⼀芯⽚上的每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成⼀颗颗我们⽇常⽣活中常见的IC，故每⼀芯⽚所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽⽽产⽣的缺点，往住就会波及成百成千个产品。
32、洁净室
⼜称⽆尘室。半导体加⼯的环境是⾼净化空间，恒温恒湿，对微粒要求⾮常⾼。常⽤class表⽰等级（class1即⼀⽴⽅⽶直径⼤于0.5微⽶的微粒只有⼀颗）。
33、CMOS
⾦属氧化膜半导体(MOS,Metal-OxideSemicoductor)其制造程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积⼀层复晶硅(或⾦属)做为闸极，利⽤加到闸极的电场来控制MOS组件的开关(导电或不导电)。按照导电载⼦的种类，MOS⼜可分成两种类型:NMOS(由电⼦导电)和PMOS(由电洞导电)。
⽽互补式⾦氧半导体(CMOS,ComplementaryMOS）则是由NMOS及PMOS组合⽽成，具有省电，抗噪声能⼒强、α⼀Particle免役⼒好等许多优点，是超⼤规模集成电路(VLSI)的主流。
34、CDA压缩⼲燥空⽓
通常指压⼒在60到110psi之间的空⽓，作为控⽓动阀的领⽓阀的⽓体源。
35、挤压应⼒
36、Compressor压缩机
将空⽓压缩形成⾼压⽓体的设备。
37、恒定源
通常杂质在半导体⾼温扩散有两种⽅式:
Constant-Surface-ConcentrationDiffusion(恒定源扩散): ThevaporsourcemaintainsaconstantlevelofsurfaceconcentrationduringtheentireDiffusionperiod(likePOCl3dope)这个扩散模式，是假设离⼦在界⾯上所具备的浓度，并不随扩散的进⾏⽽改变。且⼀直为⼀个定值所建⽴。换句话说，不管离⼦的扩散持续多久，离⼦在界⾯上的浓度将维持在⼀个定值下。
Constant-Total-DopantDiffusion(限定源扩散):
Afixedamountofdopantisdepositedintothemiconductorsurfaceinthinlayer,andthedopantsubquentlydiffuintothemiconductor(likeionimplantation,drivein) 38、CROSSSection横截⾯
IC的制造，基本上是由⼀层⼀层的图案堆积上去，⽽为了了解堆积图案的结构，以改善制程，或解决制程问题，以电⼦显微镜(SEM)来观察，⽽切割横截⾯，观察横截⾯的⽅式，是其中较为普遍的⼀种。
39、低温泵
将⼀个表⾯温度降到极低，甚⾄结近绝对零度时，与这个表⾯相接触的⽓体分⼦，将会产⽣相变化，⽽凝结在低温表⾯上，称为低温凝结。还有⼀些⽓体虽然不能凝结，但与低温表⾯接触后，将因为表⾯与分⼦间的凡得⽡⼒（VanderWaalsForce）⽽吸附在低温表⾯上，且活动性⼤减，称为低温吸附，低温泵（CryogenicPump）就是利⽤低温凝结和低温吸附的原理，将⽓体分⼦从容器⾥排出，以达到降低容器压⼒的⽬的。
Cryopump原理：是利⽤吸附原理⽽⼯作：Cryopump为⾼真空pump，应该和低真空pump配合使⽤，⼯作前真空度应该达到10-2mbar，否则⽆法⼯作。当吸附⽓体饱和后，要做regen，即将⾼温N2通⼊使凝结的⽓体释放⽽排出pump。⼊⼝处挡⽚吸附⽔泡，⾥⾯的特殊⽓体吸附（成液态状）
40、Curing固化
当以SOG来做介电层和平坦化的技术时，由于SOG是⼀种由溶剂与含有介电材质的材料，经混合⽽形
成的⼀种液态介电材料，以旋涂（Spin-onCoating）的⽅式涂布在芯⽚的表⾯，必须经过热处理来趋离SOG本⾝所含的溶剂，称之为Curing.
41、CycleTime⽣产周期时间
指原料由投⼊⽣产线到产品于⽣产线产出所须的⽣产/制造时间。在TI-Acer，⽣产周期时两种解释:⼀为'芯⽚产出周期时间'（wafer-outtime）；⼀为'制程周期时间'(Processcycletime)
'芯⽚产出周期时间'乃指单⼀批号的芯⽚由投⼊到产出所须的⽣产/制造时间。
'制程周期时间'则指所有芯⽚于单⼀⼯站平均⽣产/制造时间的总和，亦即每⼀⼯站均有⼀平均⽣产/制造时间，⽽各⼯站(从头⾄尾)平均⽣产/制造的加总即为该制程的制程周期时间。⽬前TI-AcerLineReport的⽣产周期时间乃探⽤'制程周期时间'。
⼀般⽽⾔，⽣产周期时间可以下列公式概略推算之：
42、CVShift
利⽤量测MOS电晶体在不同条件下的电容－电压关系曲线，来评估MOS氧化层品质的⼀种技术。⼀般要求CVShift<0.1V
C-Vshift：加电压量电容：
不断加电压在30℃时量取⼀条C-V曲线，然升温⾄250℃再降到30℃时再量取⼀条C-V曲线，发现两条C-V曲线并不会完全重合，只有当C-Vshift⼩于0.1V⽅符合标准。
43、磁控DC溅镀机
为了使离⼦在往⾦属靶表⾯移动时获得⾜够的能量，除了提⾼极板间的电压外，还必须使离⼦在阴极暗区内所遭受的碰撞次数降低，就必须降低溅渡的压⼒，越低越好，以增长离⼦的平均⾃由径。这样⼀来，单位体积内的⽓体分⼦数降低，使得电浆⾥的离⼦浓度也降低，导致溅渡薄膜的沉积速率变慢。
44、DCPlasma直流电浆
电浆是⼈类近代物化史上重⼤的发现之⼀，指的是⼀个遭受部分离⼦化的⽓体，⽓体⾥⾯的组成有各种带电荷的电⼦，离⼦，及不带电的分⼦和原⼦团等。电浆产⽣器的两⾦属极板上加上直流电压⽽产⽣的电浆我们称为直流电浆。
浆产⽣器的两⾦属极板上加上直流电压⽽产⽣的电浆我们称为直流电浆。
45、DCSputtering直流溅镀法
脱离电浆的带正电荷离⼦，在暗区的电场的加速下，将获得极⾼的能量，当离⼦与阴电极产⽣轰击之后，基于能量传递的原理，离⼦轰击除了会产⽣⼆次电⼦以外，还会把电极表
⾯的原⼦给'打击'出来，称为sputtering.电极板加直流电压称为DCSputtering.
先决条件：
两个极板必须是导体，以避免带电荷粒⼦在电极板表⾯的累积。
阴极为导电材料，称为靶（Target）
46、DCS
英语演讲与辩论
SiH2Cl2
47、DefectDensity缺点密度
'缺点密度'系指芯⽚单位⾯积上(如每平⽅公分，每平⽅英⼨等)有多少'缺点数'之意，此缺点数⼀般可分两⼤类：A.可视性缺点B不可视性缺点。前者可藉由⼀般光学显微镜检查出来(如桥接、断线)后者则须藉助较精密电⼦仪器检验(如晶格缺陷)由于芯⽚制造过程甚为复杂漫长，芯⽚上缺点数愈少，产品良率品质必然愈佳，故'缺点密度'常被⽤来当做⼀个⼯⼚制造的产品品质好坏的指标。
48、Densify密化
CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故以⾼温步骤使薄膜中的分⼦重新结合以提⾼其密度，此种⾼温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在RTP(RapidThermalProcess)(快速升降温机台)完成。
49、空乏型DepletionMOS
操作性质与增强型MOS相反，它的通道不须要任何闸极的加压（Vg）便已存在，⽽必须在适当的Vg下才消失。
此处为⼴告，与本⽂内容⽆关
51、DepthofWell井深
顾名思义即阱的深度。通过离⼦植⼊法植⼊杂质如磷离⼦或硼离⼦，然后通过Drivein将离⼦往下推所达到的深度。
52、DesignRule设计规范
trimit
由于半导体制程技术，系⼀门专业、精致⼜复杂的技术，容易受到不同制造设备制程⽅法(RECIPE)的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善、成功地制造出来时，须有⼀套规范来做有关技术上的规定，此即'DesignRule'，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程⽅法、制程能⼒，各项相关电性参数规格等考虑，订正了如：
各制程层次、线路之间距离、线宽等的规格。
各制程层次厚度、深度等的规格。
各项电性参数等规格，以供产品设计者及制程技术⼯程师等⼈遵循、参考。
53、DHF
DiluteHF，⼀般⽤来去除nativeoxide，稀释的HF(DiluteHF)HF：H2O=1:50
54、Die晶粒
⼀⽚芯⽚(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的⽅形⼩单位，这些⼩单位即称为晶粒。
同⼀芯⽚上的每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成⼀颗颗我们⽇
常⽣活中常见的IC，故每⼀芯⽚所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽⽽产⽣的缺点，往住就会波及成百成千个产品。
55、Dielectric介电材料
介于导电材料之间的绝缘材料。常⽤的介电材料有SiO2,Si3N4等，需要的介电材料要求：
1.良好的stepcoverage，
2.低介电常数，
3.⾼崩溃电压，
4.低应⼒，
5.平坦性好。
介电材料的性质：
良好的Stepcoverage、低介电常数、平坦性。
理想保护层的性质
沉积均匀、抗裂能⼒、低针孔密度、能抵抗⽔⽓及碱⾦属离⼦的穿透，硬度佳。
主要介电材质:SiO2PSG与BPSGSi3N4
56、DielectricConstant介电常数英翻汉
介电常数是表征电容性能的⼀重要参数，越⼩越好，它与导电性能成反⽐。
57、Diffusion扩散
在⼀杯很纯的⽔上点⼀滴红墨⽔，不久后可发现⽔表⾯颜⾊渐渐淡去，⽽⽔⾯下渐渐染红，但颜⾊是愈来愈淡，这即是扩散的⼀例。在半导体⼯业上常在很纯的硅芯⽚上以预置或离⼦植⼊的⽅式做扩散源(即红墨⽔)。因固态扩散⽐液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加⾼温的⽅式，使扩散在数⼩时内完成
58、扩散系数
扩散系数（DiffusionCoefficient）是描述杂质在晶体中扩散快慢的⼀个参数。这与扩散条件下的温度，压强，浓度成正⽐。
D=D0exp(-Ea/KT)
D0是外插⾄⽆限⼤温度所得的扩散系数(cm2/s)
Ea是活化能(ev)
在低浓度时，扩散系数对温度倒数为线性关系,⽽与浓度⽆关
59、扩散炉
在半导体⼯业上常在很纯的硅芯⽚上以预置或离⼦植⼊的⽅式做扩散源(即红墨⽔)。因固态扩散⽐液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加⾼温的⽅式，使扩散在数⼩时内完成。这样的炉管就叫做扩散炉（DiffusionFurnace）。
60、扩散式泵
通过加热油，油⽓蒸发⾼速喷射出去，带出⽓体分⼦，达到抽⽓的⽬的。它可以达到10-5Torr.
61、Dimple
凹痕表⾯上轻微的下陷或凹陷。
62、DIWater去离⼦⽔
IC制造过程中，常需要⽤酸碱溶液来蚀刻，清洗芯⽚。这些步骤之后，⼜须利⽤⽔把芯⽚表⾯残留的酸碱清除。⽽且⽔的⽤量是相当⼤。
然⽽IC⼯业⽤⽔，并不是⼀般的⾃来⽔，⽽是⾃来⽔或地下⽔经过⼀系列的纯化⽽成。原来⾃来⽔或地下⽔中，含有⼤量的细菌，⾦属离⼦及Particle，经⼚务的设备将之杀菌过滤和纯化后，即可把⾦属离⼦等杂质去除，所得的⽔即称为'去离⼦⽔'。专供IC制造的⽤。
63、Donor施体
我们将使原本本征的半导体产⽣多余电⼦的杂质，称为施体。如掺⼊p的情况。
64、Dopant掺杂
忙里偷闲英文在原本本征的半导体⾥主动的植⼊或通过扩散的⽅法将其它的原⼦或离⼦掺⼊进去，达到改变其电性能的⽅法。如离⼦植⼊。
65、DopantDrivein杂质的赶⼊
我们离⼦植⼊后，⼀般植⼊的离⼦分布达不到我们的要求，我们通过进炉管加⾼温的⽅式将离⼦进⾏扩散，以达到我们对离⼦分布的要求，同时对离⼦植⼊造成的缺陷进⾏修复。
66、掺杂源
我们将通过扩散的⽅法进⾏掺杂的物资叫掺杂源，例如将Poly⾥掺⼊P的POCl3我们将其叫掺杂源（DopantSource）。
67、掺⼊杂质
为使组件运作，芯⽚必须掺以杂质（)Doping），⼀般常⽤的有：
预置：在炉管内通以饱和的杂质蒸⽓，使芯⽚表⾯有⼀⾼浓度的杂质层，然后以⾼温使杂质驱⼊，扩散；或利⽤沉积时同时进⾏预置。
离⼦植⼊：先使杂质游离，然后加速植⼊芯⽚。
68、Dosage剂量
表⽰离⼦数的⼀个参数。
69、DRAM,SRAM动态，静态随机存取内存
随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM)，在⼀段时间(⼀般
是0.5ms~5ms）后，数据会消失，故必须在数据未消失前读取原数据再重写(refresh)，此为其最⼤缺点，此外速度较慢也是其缺点。⽽DRAM的最⼤好处为，其每⼀记忆单元(bit)只需⼀个Transistor(晶体管）⼀个Capacitor(电容器)，故最省⾯积，⽽有最⾼的密度。⽽SRAM则有不需重写、速度快的优点，但是密度低，其每⼀记忆单元(bit)有两类:
需要六个Transistor(晶体管）
四个Transistor(晶体管）两个Loadresistor(负载电阻)。
由于上述它优缺点，DRAM⼀般皆⽤在PC(个⼈计算机)或其它不需⾼速且记忆容量⼤的记忆器，⽽SRAM则⽤于⾼速的中⼤型计算机或其它只需⼩记忆容量，如：监视器(Monitor)、打印机(Printer)等周控制或⼯业控制上。
70、汲极爱丁堡大学官网
通过掺杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极（Drain）与源极。
71、DriveIn驱⼊
离⼦植⼊(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离⼦能量，⽆法将杂质打⼊芯⽚较
深(um级)的区域，因此需借着原⼦有从⾼浓度往低浓度扩散的性质，在相当⾼的温度去进⾏，⼀⽅⾯将杂质扩散到较深的区域，且使杂质原⼦占据硅原⼦位置，产⽣所要的电性，另外也可将植⼊时产⽣的缺陷消除。此⽅法称的驱⼊。此法不再加⼊半导体杂质总量，只将表⾯的杂质往半导体内更深⼊的推进。
在驱⼊时，常通⼊⼀些氧⽓﹒因为硅氧化时，会产⽣⼀些缺陷，如空洞(Vacancy)，这些缺陷会有助于杂质原⼦的扩散速度。另外，由于驱⼊是藉原⼦的扩散，因此其⽅向性是各⽅均等，甚⾄有可能从芯⽚逸出(out-diffusion)，这是需要注意的
72、DryOxidation⼲式氧化
在通⼊的⽓体中只有氧⽓与载⽓，只有氧⽓与底材发⽣氧化反应。我们将这种氧化叫⼲式氧化。
如我们的Gate-OX，这种⽅法⽣成的SiO2质量⽐较好，但⽣成速度⽐较慢。
73、Drypump
Drypump是最基本的真空pump，它是利⽤螺杆原理来⼯作的，它主要的特点是可以从⼤⽓压下直接开始抽⽓，所以可以单独使⽤。
⼀般真空度要求不⾼（E-3torr以下）如CVD及furnace仅使⽤drypump即可。
特点：Fewermovingparts、HigherReliability、Lesscomplexity、Highspeed
1. Drypump⽤在chamber由⼤⽓压下直接抽真空，可以维持进出⼝压差105倍；
