铜引线框架氧化对集成电路分层的影响浅析

更新时间:2023-05-30 10:35:33 阅读: 评论:0

铜引线框架氧化对集成电路分层的影响浅析
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counlor李习周;郭昌宏;李琦
shanwu【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2019(028)004
【摘要】本文简述了集成电路引线框架的特性, 分析了铜表面氧化的机理, 研究了铜表面氧化对集成电路分层可靠性的影响.阐述了铜引线框架氧化时间与氧化层厚度、剪切强度之间的关系, 在此基础上说明了控制氧化时间对Cu/EMC界面剪切强度的影响.%This paper briefly describes the characteristics of integrated circuit lead frame, analyzes the mechanism of copper surface oxidation, and studies the effect of copper surface oxidation on the layered reliability of integrated circuits. The relationship between the oxidation time of copper lead frame and the thickness and shear strength of the oxide layer was expounded. On this basis, the influence of controlling oxidation time on the shear strength of Cu/EMC interface
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genuine什么意思was illustrated.
prayer是什么意思【总页数】5页(76-80)
培训班平面设计【关键词】引线框架;氧化;分层
【作者】李习周;郭昌宏;李琦
jewel【作者单位】天水华天科技股份有限公司,甘肃天水,741000;天水华天科技股份有限公司,甘肃天水,741000;天水华天科技股份有限公司,甘肃天水,741000【正文语种】中文
【中图分类】
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