质量管理体系标准Power MOSFET
counterattack♦ 内容
MOSFET类型 功率MOSFET内部结构 MOSFET工作原理 MOSFET重要参数 MOSFET驱动电路 MOSFET功耗及选择 DC/DC的MOSFET选择和 PCB布板 MOSFET工艺和生产流程 Draincurious
Gate Source Drain Gate
Source
Circuit Symbol
Package Pin Layout
Power MOSFETaussie
♦ 什么是MOSFET，定义MOSFET ♦ Metal - Oxide – Semiconductor Field Effect Transistor ♦ MOSFET is a three-terminal devices which in basic term behaves as a voltage controlled switch
Drain
trashGate Source Drain Gate
宾语从句讲解Source
Circuit Symbol
Package Pin Layout
escape什么意思Power MOSFET
高中英语单词下载
lacoste怎么读♦ 氧化层：形成门极，由多晶硅代替 氧化层：形成门极， ♦ 氧化隔离层：防止电流在门极和其它两个电极间D、S极流动，但并不阻 氧化隔离层： 极流动， 断电场 ♦ 半导体层：依赖于门极电压，阻断或允许电流在漏极D和源极S间流动 半导体层：依赖于门极电压，
Power MOSFET
zbox♦ MOSFET类型 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
按导电沟道可分为： 按导电沟道可分为：P沟道和N沟道 按栅极电压幅值可分为： 按栅极电压幅值可分为： 栅极电压为零时， 耗尽型--栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道 沟道器件，栅极电压
大于（小于） 增强型--对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 功率MOSFET主要是N沟道增强型
1
Power MOSFET
♦ MOSFET内部结构
横向导电(信号MOSFET）/垂直导电（功率MOSFET） 垂直导电：平面型和沟槽型Trench(U型沟槽和V型沟槽） 不同厂商制造的功率MOSFET有不同的命名：HEXFET (IR)、VMOS (Phillips)、 SIPMOS (Siemens)，但都是通过将大量物理单元扩散到外延硅基板形成并联结 构的方法制成 功 率 MOSFET 为 多 单 元 集 成 结 构 ， 如 IR 的 HEXFET 采 用 六 边 形 单 元 ； 西 门 子 Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元；摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形 单元按品字形排列 横向导电：平面型 垂直导电:V型沟槽 垂直导电：平面型 垂直导电:U型沟槽
