NPN三极管NPN TRANSISTOR SUO13009

更新时间:2023-05-18 07:27:29 阅读: 评论:0

NPN 三极管/NPN TRANSISTOR      E13005
特点:高耐压 高开关速度 符合RoHS 规范
FEATURES: ■HIGH VOLTAGE ■CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING ■ROHS COMPLIANT    应用:节能灯 电子变压器 开关电源
APPLICATION: ■FLUORESCENT LIGHT  ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWEITCH MODE POWER SUPPLY    最大额定值 / ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A =25℃) 参数/
PARAMETER
符号/ SYMBOL 额定值/ RATING
单位/ UNIT
gomei集电极-基极电压/ Collector-Ba Voltage V CBO  700 V 集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage V CEO  400 V 发射极-基极电压/ Emitter -Ba Voltage
V EBO  9 V 集电极电流/Collector current
I C    4 A 集电极耗散功率/ Collector Power Dissipation
T C =25℃
man and computerP C  65 W 最高结温/Junction Temperature T J  150 ℃ 贮存温度/Storage Temperature
T STG
初中物理电学公式-65~150
电特性 / ELECTRONIC CHARACTERISTICS (T A =25℃)
参数/ PARAMETER
policy是什么意思>livingroom>tempo
汉英互译器符号/
SYMBOL 测试条件/ TEST CONDITIONS 最小值/ MIN
六级报名入口官网最大值/ MAX
单位/ UNIT
集电极-基极截止电流/ Collector-Ba Cut-off Current I CBO  V CB=700V,I E =0
1
mA
绅士的英文
发射极-基极截止电流/ Emitter- Ba Cut-off Current I EBO  V EB=9V,I C =0  1 mA 集电极-发射极击穿电压/ Collector-Emitter Breakdown Voltage BV CEO  I C =10mA, I B =
0 400  V 发射极-基极击穿电压/ Collector-Ba Breakdown Voltage BV EBO  I E =1mA, I C =0 9  V 集电极-基极击穿电压/ Collector-Ba Breakdown Voltage
BV CBO  I C =1mA, I E =0 700  V V CE (sat) I C =2A, I B =0.5A,  0.6 集电极-发射极饱和电压/  Collector- Emitter Saturation Voltage
V CE (sat) I C =4A, I B =1A,    1.0
学习外语的网站V 基极-发射极饱和电压/  Ba-Emitter Saturation Voltage
V BE (sat) I C =1A, I B =200mA,    1.2 V H FE1 V CE =10V,I C =1A  10 40 直流放大倍数/ DC Current Gain
H FE2 V CE =10V,I C =2A
5
特征频率 / Current Gain Bandwidth Product
f T
V CE =10V,I C =100mA 4
MHz
贮存时间 / Storage Time t s  4.0 下降时间 / Falling Time
t f  I C =2A, I B1=I B2=0.4 A ,
V CC =125V  0.7
μS
H FE1分档 / H FE1 CLASSIFICATION
A B C D E F 9~15 15~20 20~25 25~30 30~35 35~40
索尔半导体有限公司 Suoer Semiconductor Co.,Ltd.            2008.01

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