Fab厂常用术语some phras and words in FAB cleanroom system A.M.U 原子质量
数ADI After develop inspection显影后检视AEI 蚀科后检查Alignment 排成一直
线对平Alloy 融合电压与电流成线性关系降低接触的阻值ARC anti-reflect coating 防反射层ASHER: 一种干法刻蚀方式ASI 光阻去除后检查Backside 晶片背面Backside Etch 背面蚀刻Beam-Current 电子束电流BPSG: 含有硼磷的硅玻璃Break 中断stepper机台内中途停止键Castte 装晶片的晶舟CDcritical dimension
关键性尺寸Chamber 反应室Chart 图表Child lot 子批Chip die 晶粒CMP 化学机械研磨Coater 光阻覆盖机台Coating 涂布光阻覆盖Contact Hole 接触窗Control Wafer 控片Critical layer 重要层CVD 化学气相淀积Cycle time 生产周给老师新年祝福语
期Defect 缺陷DEP: deposit 淀积Descum 预处理Developer 显影液显影机台Development 显影DG: dual gate 双门DI water 去离子水Diffusion 扩散Doping 掺杂Do 剂量Downgrade 降级DRC: design rule check 设计规则检查Dry Clean 干洗Due date 交期Dummy wafer 挡片E/R: etch rate 蚀刻速率EE 设备工程师End Point 蚀刻终点ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤ET: etch 蚀刻Exhaust 排气将管路中的空气排除Exposure 曝光FAB 工厂FIB: focud ion beam 聚焦离子束Field Oxide 场氧化层Flatness 平坦度Focus 焦距Foundry 代工FSG: 含有氟的硅玻璃Furnace 炉管GOI: gate
oxide integrity 门氧
化层完整性H.M.D.S Hexamethyldisilazane经去水烘烤的晶片将涂上一层增加光阻
与晶片表面附着力的化合物称H.M.D.S HCI: hot carrier injection 热载流子注入HDPhigh density plasma 高密度等离子体High-Voltage 高压Hot bake 烘烤ID 辨认鉴定Implant 植入Layer 层次LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化Loop 巡路Lot 批Mask reticle 光罩Merge 合并Metal Via 金属接触窗MFG 制造部Mid-Current 中电流Module 部门NIT: Si3N4 氮化硅Non-critical 非重要NP: n-doped plusN N型重掺杂NW: n-doped well N阱OD: oxide definition 定义氧化层OM: optic microscope 光学显微镜OOC 超出控制界线OOS 超出规格界线Over Etch 过蚀刻Over flow 溢出Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度OX: SiO2 二氧化硅P.R. Photo resisit 光阻P1: poly 多晶硅PA passivation 钝化层Parent lot 母批Particle 含尘量/微尘粒子PE: 1. process engineer 2. plasma enhance 1、工艺工程师2、等离子体增强PH: photo 黄光或微影Pilot 实验的Plasma 电浆Pod 装晶舟与晶片的盒子Polymer 聚合物POR Process of record PP: p-doped plusP P型重掺杂PR: photo resist 光阻PVD 物理气相淀积PW: p-doped well P阱Queue time 等待时间R/C: runcard 运作卡Recipe 程式Relea 放行Resistance 电阻Reticle 光罩RF 射频RM: remove. 消除Rotation 旋转RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火RTP: rapid thermal process 迅速热处理SA: salicide 硅化金属SAB: salicide block 硅化金属阻止区SAC: sac
rifice layer 牺牲层Scratch 刮伤Selectivity 选择比SEMscanning electron microscope 扫描式电子显微镜Slot 槽位
Source-Head 离子源SPC 制程统计管制Spin 旋转Spin Dry 旋干Sputter 溅射SR Si rich oxide 富氧硅Stocker 仓储Stress 内应力STRIP: 一种湿法刻蚀方式TEOS – CH3CH2O4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯常温下液态。作LPCVD /PECVD 生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。Ti 钛TiN 氮化钛TM: top
metal 顶层金属层TOR Tool of record Under Etch 蚀刻不足USG: undoped 硅玻璃W Tungsten 钨WEE 周边曝光Yield 良率EOT: 有效栅极氧化层厚度
HK/MGhigh k/金属栅ALD原子层沉积atom layer deposition DHF稀释的HF Term Explanation CESL Contact etch stop layer DIBL Drain induced barrier lowering EOT Equivalent oxide thickness FER Fin Edge Roughness GER Gate Edge Roughness IC Integrated circuit ITRS International technology roadmap for miconductors LER Line edge roughness MGG Metal gate granularity NBTI Negative bias temperature instability PBTI Positive bias temperature instability RDD Random discrete dopants RMS Root mean square TCAD Technology computer aided design SRAM Static random access memory VAM Variability aware model VAMIF Variability aware model interface 专业
术语大集合话题专业术语大集合Engineer 工程PE: Products Engineer 生产工程Process engineer 制程工程TE: Test Engineer 测试工程ME: Manufacturing Engineer 制造工程Mechanical Engineer 机械工程IE: Industrial Engineer 工业工程DCC: Document Control Center 文管中心BOM: Bill OF Material 材料清单ECN: Engineering Change Notice 工程变动公告TECN: Temporary Engineering Change Notice 工程临时变动公告ATY: Asmbly Test Yield Total Yield 直通率TPM: Total Productivity Maintenance PM: Product Manager Project Manager ECR: Engineering Change Request 工程变更申请ECO: Engineering Change Request 工程变更指令EN: Engineering Notice 工程通报WPS: Work Procedure Sheet 工作说明书ICT: In Circuit Test 电路测试P/R: pilot run C/R control run T/R trial run 试做EVT: engineer Verification Test 工程验证测试DVT: Design Verification Test 设计验证测试MVT: Mass Verification Test 多项验证测试ORT: On Going Reliability Test 出货信赖性测试S/W:software 软件H/W: hardware 硬件DCN: Design Change Notice 设计变更通知PVT: Production Verification Test 生产验证测试MTF: Modulation Transfer Function 调整转换功能CAT: Carriage Alignment Tool 载器调整具ID: Industrial Design 工业设计外观设计PCBA: Printed Circuit Board Asmbly 电路板组装F/T: Function Test 功能测试CCD: Charge Coupled Device 扫描器之读器ERS: External Reference Spec 外部规格PMP: Production Management Plan 工程管理计划QA Quality Assurance 质量保证QRA uality amp Reliability Assurance质量与可靠性保证MQA :Manufacturing Quality Assurance 制造质量保证DQA: Design Quality Assurance 设计质量保证QC: Quality Control 质量控制IQC: Incoming Quali
孔雀公主的故事
虽然但是造句子ty Control 收益质量控制VQC: Vendor Quality Control 售货质量控制IPQC: In Process Quality Control 制程质量控制OQA: Out going Quality Control 出货质量控制QE: Quality Engineer 质量工程AQL: Acceptable Quality Level 可接受的质量水平DPPM: Defective Pieces Per Million units 百万件中有损件数PPM: Pieces Per Million 百万分之一CS: Custom Service 顾客服务MRB: Marerial Review Board DMR Defective Material Report 材料缺陷报告RMA: Return Marerial Administration 材料回收处理Life Test 寿命测试T/C: Temperature Cycle 温度循环H/T: High Temperature Test 高温测试L/T: Low Temperature Test 低温测试ISO: International Standard Organization 国际标准化组织SPC: Statistic process control 统计过程控制5S: 整理.整顿.清理.清扫.素养VMI: Visual Mechanical Inspection 外观机构检验MIL-STD: Military Standard 美军标准SPEC: Specification 规格AVL:
Approval Vendor List 合格厂商QVL: Qualified Vendor List 合格厂商FQC: Final Quality Control 最终质量控制OBA: Open Box Audit 成品检验EAR: Engineering Analysis Request FAI: First Article Inspection 首件检验VQM: Vendor Quality Management 厂商质量管理CAR: Corrective Action Request 改进对策要求4M: Man Machine Material Method 人机材方法5M: Man Machine Material Method Mwasurment 人机材方法测量MTBF: Mean Time Between Failure 平均寿命TTL: Total FIN FinanceampAccounting 财务与账目PampL: Profit amp Lo PV : Performance Variance 现象差异3 Element of Cost MLO M: Material 材料L: Labor 人力Overhead 管理费用Fix OH Fix Overhead 固定管
理费用Var OH Variable Overhead 不定管理费用COGS Cost Of Goods Sold 工厂制造成本AR: Account Receivable 应收AP: Account Payable 应支MIS Management Information System 资迅管理系统IS: Information System 资迅系统IT: Information Technology 系统技术MRP: Material Requisition Plan 材料需求计划I2:Information Integration System 资迅整合系统SAP: System Application Programming 系统申请项目ERP: Enterpri Resource Programming 企业资源项目HR Human Resource 人力资源PR: Public relation 公共关系T/O: Turn Over RateMonthly T/O Total People12 GR: General Affair 总务Organization 组织HQ Head Quarter 总公司Chairmen 主席Lite-On Group 光宝集团President总裁Executive Vice President 常务副总裁Vice President 副总裁HR Human Resource 人力资源部FIN Finance 财务Sales 销售RampD: Rearch amp Developing 研发部QA: 质量保证QA DQA CS MIS: Management Information System 资迅管理系统PUR 采购Purchasing IMD: Image Management Division 影像管理事业部ITS: Information Technology System 电脑部QRA: Quality Reliability Assurance 品保部MFG: Manufacturing 制造部PMC: Production amp Material Control 生产物料管理Materials 材料PC: Production Control 生产控制MPS: Mass Production Schedule 量产计划FGI: Finished goods Inventory 成品存货UTS: Units To Stock 存货单元WIP: Working In Process Inventory 在制品C/T: Cycle Time 循环时间瓶颈WD: Working Days 工作天MTD: Month To Days 月初到今日例如总表整理YTD: Year To Days年初到今日SO: Sales Order 销售清单MO: Manufacture Order 制造清单BTO: Build To Order 订单生产
P/N: Part Number 料号MC: Material Control 材料控制MRP: Material Requisition Plan 材料需求计划INV: Inventory 存货清单Inv Turn Over DaysINVS/NSB X WD 库存周转天数PSI: Production Shipping Inventory 预备待出货JIT: Just In Time 即
时Safety Inventory 安全存量CKD: Completed Kits Delivery 全件组装出货SKD: Semi Kits Delivery 半件小件组装出货W/H: Warehou 仓库Rec: Receiving Center 接?罩行?Raw MTL 原物料F/G: finish goods 成品Import/Export 进出口SI: Shipping Instruction 发货指令PL: Packing List 包装清单Inv: Shipping Invoice 出
货发票ETD: Estimate Arrive 预估离开时间BL: Bill of Landing 提货单海运AWB: Air Way Bill 提货单空运MAWA: Master Air Way Bill 主提货单HAWB: Hou Air Way Bill 副提货单TEU: Twenty foot Equipment UnitContain 二十英尺货柜FEU: Forty foot Equipment UnitContain 四十英尺货柜CY: Container Yard 货柜场THC: Terminal Handing Charge 码头费ORC: Original Receiving Charge 码头费PUR:
Purchasing 采购FOB: Free on Board 货运至甲板离岸价CIF: Cost Insurance Freight 成本运费保险OA: Open Account 开户TT: Telegram Transfer 电汇COD: Cash On Delivery CRP: Cost Reduction Program 降低成本方案PR: Purchasing Requisition 采购申请PO: Purchasing Order 采购单MFG Man
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ufacturing Production 制造生产DL: Director Labor 直接人工IDL: Indirect Labor 间接人工DLH: Direct Labor Hours 直接工时ProductivityUTS/DLH PPH: Pieces Per Hour 每小时件数
EfficiencyActual/Target DT: Machine Down Time 停机时间AI: Auto Inrtion 自动插入MI: Manual Inrtion 人工插入SMD: Surface Mount Device 表面粘著零件SMT: Surface mount technology 表面粘著技术B/I: Burn Infor how many hours at how many degree 烧机WI: Work Instruction 工作说明SOP: Standard Operation Procedure 作业指导书R/I: Run In 运转机器ESD: Electrical Static Discharge 静电释放MP: Mass Production 量产半导体词汇1. acceptance testing WAT: wafer acceptance testing 2. acceptor: 受主如B掺入Si中需要接受电子3. ACCESS一个EDAEngineering Data Analysis系统4. Acid酸5. Active device有源器件如MOS FET 非线性可以对信号放大6. Align markkey对位标记7. Alloy合金8. Aluminum铝9. Ammonia氨水10. Ammonium fluorideNH4F 11. Ammonium hydroxideNH4OH 12. Amorphous siliconα-Si非晶硅不是多晶硅13. Analog模拟的14. AngstromA1E-10m 埃15. Anisotropic各向异性如POLY ETCH 16. AQLAcceptance Quality Level接受质量标准在一定采样下可以95置信度通过质量标准不同于可靠性可靠性要求一定时间后的失效率17. ARCAntireflective coating抗反射层用于METAL等层的光刻18. AntimonySb锑19. ArgonAr氩20. ArnicAs砷21. Arnic trioxideAs2O3三氧化二砷22. ArsineAsH3 23. Asher去胶机24. Aspect ration形貌比ETCH中的深度、宽度比25. Autodoping自搀杂外延时SUB的浓度高导致有杂质蒸发到环境中后又回掺到外延层26. Back end后段
CONTACT以后、PCM测试前27. Baline标准流程28. Benchmark基准29. Bipolar双极30. Boat扩散用石英舟31. CD Critical Dimension临界关键尺寸。在工艺上通常指条宽例如POLY CD 为多晶条宽。32. Character window特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。33. Chemical-mechanical polishCMP化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。34. Chemical vapor depositionCVD化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。35. Chip碎片或芯片。36. CIMcomputer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。37. Circuit design 电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。38. Cleanroom一种在温度湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。39. Compensation doping补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。40. CMOScomplementary metal oxide miconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。41. Computer-aided designCAD计算机辅助设计。42. Conductivity type传导类型由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子在P型材料中多数载流子是空穴。43. Contact孔。在工艺中通常指孔1即连接铝和硅的孔。44. Control chart 控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45. Correlation 相关性。46. Cp工艺能力详见process capability。47. Cpk工艺能力指数详见process capability index。48. Cycle time圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通
常用来衡量流通速度的快慢。49.Damage损伤。对于单晶体来说有时晶格缺陷在表面处理后形成无法自住房
修复的变形也可以叫做损伤。50. Defect density缺陷密度。单位面积内的缺陷数。51. Depletion implant耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。52. Depletion layer耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。54. Deposition 淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。55. Depth of focusDOF焦深。56. design of experiments DOE为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的所设计的初始工程批试验计划。57. develop显影通过化学处理除去曝光区域的光刻胶形成所需图形的过程58. developerⅠ显影设备Ⅱ显影液59. diborane B2H6乙硼烷一种无色、易挥发、有毒的可燃气体常用来作为半导体生产中的硼源60. dichloromethane CH2CL2二氯甲一种无色不可燃不可爆的液体。61. dichlorosilane DSC二氯甲硅烷一种可燃有腐蚀性无色在潮湿环境下易水解的物质常用于硅外延或多晶硅的成长以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。62. die硅片中一个很小的单位包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。63. dielectricⅠ介质一种绝缘材料Ⅱ用于陶瓷或塑料封装的表面材料可以提供电绝缘功能。64. diffud layer扩散层即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。65. disilane Si2H6乙硅烷一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体燃烧时能产生高火焰暴露在空气中会自燃。在生产
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光电单元时乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。66. drive-in推阱指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67. dry etch干刻指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。68. effective layer thickness有效层厚指在外延片制造中载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69. EMelectromigration电子迁移指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。70. epitaxial layer外延层。半导体技术中在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料这一单晶半导体层即为外延层。71. equipment downtime设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。72. etch腐蚀运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。73. exposure 曝光使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。74. fab常指半导体生产的制造工厂。75. feature size特征尺寸指单个图形的最小物理尺寸。76. field-effect transistorFET场效应管。包含源、漏、栅、衬四端由源经栅到漏的多子流驱动而工作多子流由栅下的横向电场控制。77. film薄膜圆片上的一层或多层迭加的物质。78. flat平边79. flatband capacitan平带电容80. flatband voltage平带电压81. flow coefficicent流动系数82. flow velocity流速计83. flow volume流量计84. flux单位时间内流过给定面积的颗粒数85. forbidden energy gap禁带86. four-point probe四点
心累的诗句
探针台87. functional area功能区88. gate oxide栅氧89. glass transition temperature
去海南玻璃态转换温度90. gowning净化服91. gray area灰区92. grazing incidence interferometer切线入射干涉仪93. hard bake后烘.
