1引言
电力电子技术作为本世纪的关键技术，
目前已经应用在国民经济的各个方面，
同时开启了自身高频化、集成化和智能化的时代[1-2]。在用新型半导体
材料制成的功率器件中，
目前发展前景最好的是碳化硅功率器件。碳化硅具有宽带隙、高本征温度、高
热导、高绝缘强度（比硅高一个数量级）等优点[3-4]，因此作为一种优越的材料被应用在航空航天、雷达如何有效减肥
与通信领域，特别是在高温、
强酸强碱和辐射等极端环境下，
商业业态碳化硅器件也越来越发挥着重要作用[5-6]。2SiC 肖特基器件氧化技术理论
随着SiC 材料制备的提纯结晶方面的问题的解
决和器件加工工艺的发展，特别是高温加工技术的突破，使其应用领域日益拓宽，甚至进入实用化。在不远的未来时期，新型SiC 功率器件将大有可为[7-8]。因为在SiC 的加工过程中，氧化速率与其表面晶向、衬底掺杂浓度有关，加之SiC 中C 的存在，使得SiC 材料的氧化速率相对比较慢。另外，氧化后的界面状
碳化硅肖特基器件的氧化退火技术研究
崔严匀，袁敏杰，王训辉
（无锡华润上华科技有限公司，无锡214061）
摘要：为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势，对作为关键工艺的氧化退火技术
展开研究，
优化SiC/SiO 2的界面电学参数从而提升整个器件的性能。基于理论分析，探索表面晶向与掺杂浓度、氧化速率等参数的影响。通过在不同工艺条件下进行工艺实验，
确立干-湿-干氧化条件及工艺，形成优化方案，确保得到优质氧化层。经实际检验，该方案可有效调控氧化速率，从而得到均
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匀、致密的氧化层以及优异的界面态密度，提升了碳化硅肖特基器件的成品率和可靠性，
四川省美术馆>《我的父亲母亲》
对碳化硅肖特基二极管的加工制备技术有重要的参考意义。
公开课评价意见
关键词：碳化硅；氧化退火；肖特基；
半导体器件DOI ：10.3969/j.issn.1002-2279.2020.05.004中图分类号:TN305.5文献标识码:A 文章编号：1002-2279（2020）05-0014-03
论文网Study on Oxidation Annealing Technology of Silicon Carbide
Schottky Devices
CUI Yanyun,YUAN Minjie,WANG Xunhui
(CSMCTechnologies Fab5Co.,Ltd.,Wuxi 214061,China )
Abstract:In order to comply with the increasingly mature manufacturing process of silicon carbide Schottky devices,the oxidation annealing technology,which is a key process,is studied to optimize the interface electrical parameters of SiC/SiO 2and improve the performance of the whole device.Ba
d on theoretical analysis,the influence of surface crystal orientation on doping concentration,oxidation rate and other parameters was explored.Through process experiments under different process conditions,the oxidation conditions and process of dry-wet-dry oxygen are determined,and an optimized scheme is formed to ensure that a high-quality oxide layer is obtained.The actual test shows that the scheme can effectively control the oxidation rate,so as to obtain a uniform and den oxide layer and excellent interface state density,which improves the yield and reliability of silicon carbide Schottky devices,and has important reference significance for the processing and preparation technology of silicon carbide Schottky diodes.
Key words:Silicon carbide;Oxidation annealing;Schottky;Semiconductor device
作者简介：崔严匀（1984—），女，江西省南昌市人，硕士，
工程师，主研方向：电子器件扩散工艺。收稿日期：2020-08-07美文欣赏励志篇
微处理机
MICROPROCESSORS
第5期2020年10月
No.5Oct.，2020
