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GGNMOS（grounded-gateNMOS）ESD保护结构原理说明
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GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保
护结构原理说明
在早期的ESD 保护⽅案中，这种反接在电源间的diode 结构被⼴泛应⽤。
正向连接的diode 可以更好的处理⼤电流传输，但由于其较低的正向启动点压咳嗽可以跑步吗
（6.5V），这样就限制了其在较⾼电源电平的电路中的应⽤。多极串联diode（正
向或者反向）可以解决这个问题，但是，同时由于其阻抗的增加减弱了其电流处
理能⼒。⽤⼤尺⼨的diode 提⾼ESD 保护性能的同时会产⽣更多的寄⽣效应。
⽬前I/O 中还添加了应⽤⼴泛的ggNMOS（grounded-gate NMOS）ESD 保
护结构，Drain 端接⾄PAD，Gate 端接⾄电源地。ESD 保护利⽤其寄⽣的NPN
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三极管，形成⼀个低阻抗的放电通路，以此来保护IC 的内部电路。
如下图所⽰
GGNMOS静电保护的⼯作原理
GGNMOS 的剖⾯结构如下
当PAD 端聚集⼤量的负电荷时，通过Drain 端与P-substrate 之间的PN 结，
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电荷由 B 端泻放到 GND 。当 PAD 端聚集⼤量的正电荷时，利⽤的是寄⽣的三极管。寄⽣三极管的启动原理如下说明。 1、⼤量的正电荷聚集在 Drain 端，⼀定的正电荷通过 Drain 和 P-substrate 之间反偏的 PN 结转移⾄ Psubstrate ，这部分正电荷聚集到同为 P 型材料的 B 端，转移到 GND 。如下图所⽰
2、
下巴尖的男人面相3、聚集到 B 端的正电荷，使得与 Source 端的 PN 结导通，由此导通寄⽣的三极管。如下图所⽰寄⽣的三极管被打开，⼤量的正电荷通过 Gate 下⾯的区域迅速由 Drain 端转移到 Source 端。聚集的正电荷得以快速的泻放到地。如下图所⽰
在 GGNMOS 结构的 ESD 保护中，器件的的不均匀性将影响到其性能，在 layout
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的时候需要充分考虑到这个问题，同时可对器件进⾏改进，增加Drain 端的宽度，在电路中相当于添加⼩电阻，减⼩电流，提⾼其均匀性。
儿童画彩虹乌髻岩GGPMOS 的⼯作原理可由此类推。
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