三极管及场效应管原理讲解

更新时间:2023-05-16 00:14:12 阅读: 评论:0

三極管及場效應管原理講解
珠海去香港大綱:   三極管與場效應管的簡介
  三極管與場效應管的工作原理
  三極管與場效應管的區別
  三極管與場效應管的實際應用
  三極管與場效應管的簡介
1. 三機管的簡介
半導体三極管又稱晶体三極管,簡稱晶體管.它是由三塊半導体組成,構成兩個PN,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,如下圖所示:
                  C                  C
                          B
        B                         
                    E                          E
      B為基極,C為集電極彩椒的做法大全,E為發射極 
半導体三極管
不能说的爱世界杯主题歌
TRANSISTOR
Test #
Description
1
hFE
Forward-current transfer ratio
2
VBE
Ba emitter voltage(e also Appendix F)
3
IEBO
Emitter to ba cutoff current
4
我是一坨屎VCESAT
Saturation voltage
5
ICBO
Collector to ba cutoff current
6
ICEO
Collector to emiter cutoff current
ICER,
with ba to emiter load
ICEX,
rever bias,or
ICES
short(e also Appendix F)
7
BVCEO
Breakdown voltage,collector to emitter,
BVCER
with ba to emiter load,
BVCEX
rever bias,or
BVCES
short(e also Appendix F)
8
BVCBO
Breakdown voltage,collector to ba
9
BVEBO
Breakdown voltage,emitter to ba
10
VBESAT
Ba emitter saturation voltage
  2 .場效應管簡介
場效應管又稱金属-氧化物-体場效應管,也就是我們通常所說MOS(
Metal  Oxide  Semiconductor ).
場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導体 場效應管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高.
場效應管分為:結型場效應管(JFET)和絕緣型場效應管(IGFET)兩大類.
結型場效應管
颜将军洞
JEFT
Test #
Description
1
VGSOFF
Gate to source cutoff voltage.
2
lDss
Zero gate voltage drain current.
3
BVDGO
Drain to gate breakdown voltage.
4
IGSS
Gate rever current.
5
IDGO
Drain to gate leakage.
6
IDOFF
Drain cut-off current.
7女配是重生的
BVGSS
Gate to source breakdown voltage.
8
VDSON
Drain to source on-state voltage.
結型場效應管有N型和P型溝道兩種,费用分摊電路符號如下
        d                  d    結型場效應管有三極:珊極
  g                  g                              源極   
      N    s        P    s                        漏極
結型場效應管有兩個PN,源極上加一定電壓,在場效應管內部會形成一個導電溝道,d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏極電流的控制.
結型場效應管的主要參數
1. 夾斷電壓UDS(off),UDS等于某一個定值(10v),使Id等于某一
  個微小電流(50uA), 源極間所加的UGS即為夾斷電壓

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