頁次 | 英文名稱 | 中文名稱 |
1 | Active Area | 主動區(工作區) |
2 | ACETONE | 丙酮 |
3 | ADI----After Develop Inspection | 顯影後檢查 |
4 | AEI-----After Etch Inspection | 蝕刻後檢查 |
5 | AIR SHOWER | 空氣洗塵室 |
6 | ALIGNMENT | 對準 |
7 | ALLOY/SINTER | 熔合 |
8 | AL/SI | 鋁/矽 靶 |
9 | AL/SI/CU | 鋁/矽/銅 |
10 | ALUMINUN | 鋁 |
11 | ANGLE LAPPING | 角度研磨 |
12 | ANGSTROm | 埃 |
13 | APCVD(ATMOSPRESSURE) | 常壓化學氣相沈積 |
14 | AS75 | 砷 |
15 | ASHING,STRIPPING | 電漿光阻去除 |
16 | ASSEMBLY | 晶粒封裝 |
17 | BACK GRINDING | 晶背研磨 |
18 | BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE | 烘烤,軟烤,預烤 |
19 | BF2 | 二氟化硼 |
20 | BOAT | 晶舟 |
21 | B.O.E | 緩衝蝕刻液 |
22 | BONDING PAD | 銲墊 |
23 | BORON | 硼 |
24 | BPSG | 含硼及磷的矽化物 |
25 | BREAKDOWN VOLTAGE | 崩潰電壓 |
26 | BURN IN | 預燒試驗 |
27 | CAD | 電腦輔助設計 |
28 | CD MEASUREMENT | 微距測試 |
29 | CH3COOH | 醋酸 |
30 | CHAMBER | 真空室,反應室 |
31 | CHANNEL | 通道 |
32 | CHIP ,DIE | 晶粒 |
33 | CLT(CARRIER LIFE TIME) | 截子生命週期 |
34 | CMOS | 互補式金氧半導體 |
35 | COATING | 光阻覆蓋 |
36 | CROSS SECTION | 橫截面 |
37 | C-V PLOT | 電容,電壓圓 |
38 | CWQC | 全公司品質管制 |
39 | CYCLE TIME | 生產週期時間 |
40 | CYCLE TIME | 生產週期時間 |
41 | DEFECT DENSITY | 缺點密度 |
42 | DEHYDRATION BAKE dehydration bake | 去水烘烤 |
43 | DENSIFY | 密化 |
44 | DESCUM | 電漿預處理 |
45 | DESIGN RULE | 設計規範 |
46 | EDSIGN RULE | 設計準則 |
47 | DIE BY DIE ALIGNMENT | 每FIELD均對準 |
48 | DIFFUSION怎样制作相册 | 擴散 |
49 | DI WATER | 简笔画小船 去離子水 |
50 | DOPING | 參入雜質 |
51 | DRAM , SRAM | 動態,靜態隨機存取記憶體 |
52 | DRIVE IN | 驅入 |
53 | E-BEAM LITHOGRAPHY | 電子束微影技術 |
54 | EFR(EARLY FAILURE RATE) | 早期故障率 |
55 | ELECTROMIGRATION | 電子遷移 |
56 | ELECTRON/HOLE | 電子/ 電洞 |
57 | ELLIPSOMETER | 橢圓測厚儀 |
58 | EM(ELECTRO MIGRATION TEST) | 電子遷移可靠度測試 |
59 | END POINT DETECTOR | 終點偵測器 |
60 | ENERGY | 能量 |
61 | EPI WAFER | 磊晶晶片 |
62 | EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM) | 電子可程式唯讀記憶體 |
63 | ESD ELECTROSTATIC DAMAGE ELECTROSTATIC DISCHARGE | 靜電破壞 靜電放電 |
64 | ETCH | 蝕刻 |
65 | EXPOSURE | 曝光 |
66 | FABRICATION(FAB) | 製造 |
67 | FBFC(FULL BIT FUNCTION CHIP) | 全功能晶片 |
68 | FIELD/MOAT | 場區 |
69 | FILTRATION | 過濾 |
70 | FIT(FAILURE IN TIME) | |
71 | FOUNDRY | 客戶委託加工 |
72 | FOUR POINT PROBE | 四點偵測 |
73 | F/S(FINESONIC CLEAN) | 超音波清洗 |
74 | FTIR | 傅氏轉換紅外線光譜分析儀 |
75 | FTY(FINAL TEST YIELD) | |
76 | FUKE DEFECT | |
77 | GATE OXIDE | 閘極氧化層 |
78 | GATE VALVE | 閘閥 |
79 | GEC(GOOD ELECTRICAL CHIP) | 優良電器特性晶片 |
80 | GETTERING | 吸附 |
81 | G-LINE | G-光線 |
82 | GLOBAL ALIGNMENT | 整片性對準與計算 |
83 | GOI(GATE OXIDE INTEGRITY) | 閘極氧化層完整性 |
84 | GRAIN SIZE | 顆粒大小 |
85 | GRR STUDY (GAUGE REPEATABILITyAND REPRODUUCIBILITY) | 測量儀器重複性與再現性之研究 |
86 | H2SO4 | 硫酸 |
87 | H3PO4 | 磷酸 |
88 | HCL | 氯化氫(鹽酸) |
89 | HEPA | 高效率過濾器 |
90 | HILLOCK | 凸起物 |
91 | HMDS 淘宝卖衣服怎么推广 | HMDS蒸鍍 |
92 | HNO3 | 硝酸 |
93 | HOT ELECTRON EFFECT | 熱電子效應 |
94 | I-LINE STEPPER | I-LINE步進對準曝光機 |
95 | IMPURITY | 雜質 |
96 | INTEGRATED CIRCUIT(IC) | 積體電路 |
97 | ION IMPLANTER | 離子植入機 |
98 | ION IMPLANTATION | 離子植入 |
99 | ISOTROPIC ETCHING | 等向性蝕刻 |
100 | ITY(INTEGRATED TEST YIELD) | 综合测试良率 |
101 | LATCH UP | 栓鎖效應 |
102 | LAYOUT | 佈局 |
103 | LOAD LOCK | 傳送室 |
104 | LOT NUMBER | 批號 |
105 | LPCVD(LOW PRESSURE) | 低壓化學氣相沈積 |
106 | LP SINTER | 低壓燒結 |
107 | LPY(LASER PROBE YIELD) | 雷射修補前測試良率 |
108 | MASK | 光罩 |
109 | MICRO,MICROMETER,MICRON | 微,微米 |
110 | MIS ALIGN | 對準不良 |
111 | MOS | 金氧半導體 |
112 | MPY(MULTI PROBE YIELD) | 多功能偵測良率 |
113 | MTBF(MEAN TIME BETWEEN FAILURE) | 平均失效时间 |
114 | N2,NITROGEN | 氮氣 |
115 | N,P TYPE SEMICONDUCTOR | N,P型半導體 |
116 | NSG(NONDOPED SILICATE GLASS) | 無參入雜質矽酸鹽玻璃 |
117 | NUMERICAL APERTURE(N.A.) | 數值孔徑 |
118 | OEB(OXIDE ETCH BACK ) | 氧化層平坦化蝕刻 |
119 | OHMIC CONTACT | 歐姆接觸 |
120 | ONO(OXIDE NITRIDE OXIDE) | 氧化層-氮化層-氧化層 |
121 | OPL(OP LIFE)(OPERATION LIFE TEST) | 使用期限(壽命) |
122 | OXYGEN | 氧氣 |
123 | P31 | 磷 |
124 | PARTICLE CONTAMINATION | 塵粒污染 |
125 | PARTICLE COUNTER | 塵粒計數器 |
126 | PASSIVATION OXIDE(P/O) | 護層 |
127 | P/D(PARTICLE DEFECT) | 塵粒缺陷 |
128 | PECVD | 電漿CVD |
129 | PELLICLE | 光罩護膜 |
130 | PELLICLE | 光罩保護膜 |
131 | PH3 | 氫化磷 |
132 | PHOTORESIST | 光阻 |
133 | PILOT WAFER | 試作晶片 |
134 | PINHOLE | 針孔 |
135 | PIRANHA CLEAN | 過氧硫酸清洗 |
136 | 钓黑鱼PIX | 聚醯胺膜 |
137 | PLASMA ETCHING | 電將蝕刻 |
138 | PM(PREVENTIVE MAINTENANCE) | 定期保養 |
139 | POCL3 | 三氯氧化磷 |
140 | POLY SILICON | 複晶矽 |
141 | POX | 聚醯胺膜含光罩功能 |
142 | PREHEAT | 預熱 |
143 | PRESSURE | 壓力 |
144 | REACTIVE ION ETCHING(R.I.E.) | 活性離子蝕刻 |
145 | RECIPE | 程式 |
146 | REFLOW | 回流 |
147 | REGISTRATION ERROR | 註記差 然后的然后 |
148 | RELIABILITY | 可靠性 |
149 | REPEAT DEFECT | 重複性缺點 |
150 | RESISTIVITY | 阻值 |
151 | RESOLUTION | 湿淋淋解析力 |
152 | RETICLE | 光罩 |
153 | REWORK/SCRAP/WAIVE | 修改 /報廢/簽過 |
154 | RUN IN/OUT | 擠進/擠出 |
155 | SCRUBBER | 刷洗機 |
156 | SAD (SOFTWARE DEFECT ANALYSIS) | 缺陷分析軟體 |
157 | SEM (SCANNING ELECTRON MICROSCOPE) | 電子顯微鏡 |
158 | SELECTIVITY | 選擇性 |
池上 159 | SILICIDE | 矽化物 |
160 | SALICIDE | 金屬矽化物 |
161 | SILICON | 矽 |
162 | SILICON NITRIDE | 氯化矽 |
163 | SMS (SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS) | 半導體製造系統 |
164 | SOFT WARE, HARD WARE | 軟體 ,硬體 |
165 | S.O.G.(SPIN ON GLASS) | 旋製氧化矽 |
166 | S.O.J. (SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE) | 縮小型J形腳包裝IC |
167 | SOLVENT | 溶劑 |
168 | SPECIFICATION(SPEC) | 規範 |
169 | SPICE PARAMETER | SPIC參數 |
170 | S.R.A (SPREADING RESISTENCE ANALYSIS) | 展佈電阻分析 |
171 | SPUTTERING | 濺鍍 |
172 | SSER (SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST) | 系統暫時性失效比率測試 |
173 | STEP COVERAGE | 階梯覆蓋 |
174 | STEPPER | 步進式對準機 |
175 | SURFACE STATUS | 表面狀態 |
176 | SWR(SPECIAL WORK REQUEST) | |
177 | TARGET | 靶 |
178 | TDDB (TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN) | 介電質層崩溃的時間依存性 |
179 | TECN(TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE) | 臨時性製程變更通知 |
180 | TEOS (TETRAETHYLOR THOSILICATE) | 四乙基氧化矽/正硅酸乙脂 |
181 | THRESHOLD VOLTAGE | 臨界電壓 |
182 | 拿站THROUGH PUT | 產量 |
183 | TMP (TI MEMORY PROTOTYPE,TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT) | TI 記憶產品樣品(原型),TI記憶體標準產品 |
184 | TOX | 氧化層厚度 |
185 | TROUBLE SHOOTING | 故障排除 |
186 | UNDERCUT | 底切度 |
187 | UNIFORMITY | 均勻度 |
188 | VACUUM | 真空 |
189 | VACUUM PUMP | 真空幫浦 |
190 | VERNIER | 遊標尺 |
191 | VIA CONTACT | 連接窗/接触孔 |
192 | VISCOSITY/stickness | 黏度 |
193 | VLF (VERTICAL LAMINAR FLOW) | 垂直流層 |
194 | WELL/TANK | 井區 |
195 | WLRC (WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL) | 晶圓層次(廠內)可靠度控制 |
196 | WLQC(WAFER LEVEL QUALITY CONTROL ) | 晶圓層次(廠內)品質控制 |
197 | X-RAY LITHOGRAPHY | X光微影技術 |
198 | YELLOW ROOM | 黃光室 |
本文发布于:2023-05-16 00:12:21,感谢您对本站的认可!
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