IC制程专业词汇

更新时间:2023-05-16 00:12:21 阅读: 评论:0

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英文名稱
中文名稱
1
Active Area
主動區(工作區)
2
ACETONE
丙酮
3
ADI----After Develop Inspection
顯影後檢查
4
AEI-----After Etch Inspection
蝕刻後檢查
5
AIR SHOWER
空氣洗塵室
6
ALIGNMENT
對準
7
ALLOY/SINTER
熔合
8
AL/SI
/
9
AL/SI/CU
//
10
ALUMINUN
11
ANGLE LAPPING
角度研磨
12
ANGSTROm
13
APCVDATMOSPRESSURE
常壓化學氣相沈積
14
AS75
15
ASHINGSTRIPPING
電漿光阻去除
16
ASSEMBLY
晶粒封裝
17
BACK GRINDING
晶背研磨
18
BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE
烘烤,軟烤,預烤
19
BF2
二氟化硼
20
BOAT
晶舟
21
B.O.E
緩衝蝕刻液
22
BONDING PAD
銲墊
23
BORON
24
BPSG
含硼及磷的矽化物
25
BREAKDOWN VOLTAGE
崩潰電壓
26
BURN IN
預燒試驗
27
CAD
電腦輔助設計
28
CD MEASUREMENT
微距測試
29
CH3COOH
醋酸
30
CHAMBER
真空室,反應室
31
CHANNEL
通道
32
CHIP ,DIE
晶粒
33
CLTCARRIER LIFE TIME
截子生命週期
34
CMOS
互補式金氧半導體
35
COATING
光阻覆蓋
36
CROSS SECTION
橫截面
37
C-V PLOT
電容,電壓圓
38
CWQC
全公司品質管制
39
CYCLE TIME
生產週期時間
40
CYCLE TIME
生產週期時間
41
DEFECT DENSITY
缺點密度
42
DEHYDRATION BAKE dehydration bake
去水烘烤
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
電漿預處理
45
DESIGN RULE
設計規範
46
EDSIGN RULE
設計準則
47
DIE BY DIE ALIGNMENT
FIELD均對準
48
DIFFUSION怎样制作相册
擴散
49
DI WATER
简笔画小船
去離子水
50
DOPING
參入雜質
51
DRAM , SRAM
動態,靜態隨機存取記憶體
52
DRIVE IN
驅入
53
E-BEAM LITHOGRAPHY
電子束微影技術
54
EFREARLY FAILURE RATE
早期故障率
55
ELECTROMIGRATION
電子遷移
56
ELECTRON/HOLE
電子/ 電洞
57
ELLIPSOMETER
橢圓測厚儀
58
EMELECTRO MIGRATION TEST
電子遷移可靠度測試
59
END POINT DETECTOR
終點偵測器
60
ENERGY
能量
61
EPI WAFER
磊晶晶片
62
EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM
電子可程式唯讀記憶體
63
ESD
ELECTROSTATIC DAMAGE
ELECTROSTATIC DISCHARGE
靜電破壞
靜電放電
64
ETCH
蝕刻
65
EXPOSURE
曝光
66
FABRICATIONFAB
製造
67
FBFCFULL BIT FUNCTION CHIP
全功能晶片
68
FIELD/MOAT
場區
69
FILTRATION
過濾
70
FITFAILURE IN TIME
71
FOUNDRY
客戶委託加工
72
FOUR POINT PROBE
四點偵測
73
F/SFINESONIC CLEAN
超音波清洗
74
FTIR
傅氏轉換紅外線光譜分析儀
75
FTYFINAL TEST YIELD
76
FUKE DEFECT
77
GATE OXIDE
閘極氧化層
78
GATE VALVE
閘閥
79
GECGOOD ELECTRICAL CHIP
優良電器特性晶片
80
GETTERING
吸附
81
G-LINE
G-光線
82
GLOBAL ALIGNMENT
整片性對準與計算
83
GOIGATE OXIDE INTEGRITY
閘極氧化層完整性
84
GRAIN SIZE
顆粒大小
85
GRR STUDY (GAUGE REPEATABILITyAND REPRODUUCIBILITY
測量儀器重複性與再現性之研究
86
H2SO4
硫酸
87
H3PO4
磷酸
88
HCL
氯化氫(鹽酸)
89
HEPA
高效率過濾器
90
HILLOCK
凸起物
91
HMDS
淘宝卖衣服怎么推广
HMDS蒸鍍
92
HNO3
硝酸
93
HOT ELECTRON EFFECT
熱電子效應
94
I-LINE STEPPER
I-LINE步進對準曝光機
95
IMPURITY
雜質
96
INTEGRATED CIRCUITIC
積體電路
97
ION IMPLANTER
離子植入機
98
ION IMPLANTATION
離子植入
99
ISOTROPIC ETCHING
等向性蝕刻
100
ITYINTEGRATED TEST YIELD
综合测试良率
101
LATCH UP
栓鎖效應
102
LAYOUT
佈局
103
LOAD LOCK
傳送室
104
LOT NUMBER
批號
105
LPCVDLOW PRESSURE
低壓化學氣相沈積
106
LP SINTER
低壓燒結
107
LPYLASER PROBE YIELD
雷射修補前測試良率
108
MASK
光罩
109
MICRO,MICROMETER,MICRON
微,微米
110
MIS ALIGN
對準不良
111
MOS
金氧半導體
112
MPYMULTI PROBE YIELD
多功能偵測良率
113
MTBFMEAN TIME BETWEEN FAILURE
平均失效时间
114
N2,NITROGEN
氮氣
115
N,P TYPE SEMICONDUCTOR
N,P型半導體
116
NSGNONDOPED SILICATE GLASS
無參入雜質矽酸鹽玻璃
117
NUMERICAL APERTUREN.A.
數值孔徑
118
OEBOXIDE ETCH BACK
氧化層平坦化蝕刻
119
OHMIC CONTACT
歐姆接觸
120
ONOOXIDE NITRIDE OXIDE
氧化層-氮化層-氧化層
121
OPLOP LIFE)(OPERATION LIFE TEST
使用期限(壽命)
122
OXYGEN
氧氣
123
P31
124
PARTICLE CONTAMINATION
塵粒污染
125
PARTICLE COUNTER
塵粒計數器
126
PASSIVATION OXIDEP/O
護層
127
P/DPARTICLE DEFECT
塵粒缺陷
128
PECVD
電漿CVD
129
PELLICLE
光罩護膜
130
PELLICLE
光罩保護膜
131
PH3
氫化磷
132
PHOTORESIST
光阻
133
PILOT WAFER
試作晶片
134
PINHOLE
針孔
135
PIRANHA CLEAN
過氧硫酸清洗
136
钓黑鱼PIX
聚醯胺膜
137
PLASMA ETCHING
電將蝕刻
138
PMPREVENTIVE MAINTENANCE
定期保養
139
POCL3
三氯氧化磷
140
POLY SILICON
複晶矽
141
POX
聚醯胺膜含光罩功能
142
PREHEAT
預熱
143
PRESSURE
壓力
144
REACTIVE ION ETCHINGR.I.E.
活性離子蝕刻
145
RECIPE
程式
146
REFLOW
回流
147
REGISTRATION ERROR
註記差
然后的然后
148
RELIABILITY
可靠性
149
REPEAT DEFECT
重複性缺點
150
RESISTIVITY
阻值
151
RESOLUTION
湿淋淋解析力
152
RETICLE
光罩
153
REWORK/SCRAP/WAIVE
修改 /報廢/簽過
154
RUN IN/OUT
擠進/擠出
155
SCRUBBER
刷洗機
156
SAD
SOFTWARE DEFECT ANALYSIS
缺陷分析軟體
157
SEM
SCANNING ELECTRON MICROSCOPE
電子顯微鏡
158
SELECTIVITY
選擇性
池上
159
SILICIDE
矽化物
160
SALICIDE
金屬矽化物
161
SILICON
162
SILICON NITRIDE
氯化矽
163
SMS
(SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS
半導體製造系統
164
SOFT WARE, HARD WARE
軟體 ,硬體
165
S.O.G.SPIN ON GLASS
旋製氧化矽
166
S.O.J.
(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE
縮小型J形腳包裝IC
167
SOLVENT
溶劑
168
SPECIFICATIONSPEC
規範
169
SPICE PARAMETER
SPIC參數
170
S.R.A
(SPREADING RESISTENCE ANALYSIS
展佈電阻分析
171
SPUTTERING
濺鍍
172
SSER
SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST
系統暫時性失效比率測試
173
STEP COVERAGE
階梯覆蓋
174
STEPPER
步進式對準機
175
SURFACE STATUS
表面狀態
176
SWRSPECIAL WORK REQUEST
177
TARGET
178
TDDB
TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN
介電質層崩溃的時間依存性
179
TECNTEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE
臨時性製程變更通知
180
TEOS
TETRAETHYLOR THOSILICATE
四乙基氧化矽/正硅酸乙脂
181
THRESHOLD VOLTAGE
臨界電壓
182
拿站THROUGH PUT
產量
183
TMP
TI MEMORY PROTOTYPETMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT
TI 記憶產品樣品(原型),TI記憶體標準產品
184
TOX
氧化層厚度
185
TROUBLE SHOOTING
故障排除
186
UNDERCUT
底切度
187
UNIFORMITY
均勻度
188
VACUUM
真空
189
VACUUM PUMP
真空幫浦
190
VERNIER
遊標尺
191
VIA CONTACT
連接窗/接触孔
192
VISCOSITY/stickness
黏度
193
VLF
VERTICAL LAMINAR FLOW
垂直流層
194
WELL/TANK
井區
195
WLRC
(WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL
晶圓層次(廠內)可靠度控制
196
WLQCWAFER LEVEL QUALITY CONTROL
晶圓層次(廠內)品質控制
197
X-RAY LITHOGRAPHY
X光微影技術
198
YELLOW ROOM
黃光室
1.•Vt could drops or climbs as gate length shrinks Short Channel Effect or Rever Short Channel Effect.

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