半导体制造流程（转）
半导体相关知识
●本征材料：纯硅9-10个9
250000Ω.cm
●N型硅：掺入V族元素—磷P、砷As、锑Sb
●P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B
●PN结：
半导体元件制造过程可分为
●前段(Front End)制造过程
晶圆处理过程(Wafer Fabrication；简称Wafer Fab)、晶圆针测过程(Wafer Probe);
●后段(Back End)
构装(Packaging)、测试过程(Initial Test and Final Test)
一、晶圆处理制造过程
●晶圆处理制程的主要工作在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸汪峰筠子>抱朴子内篇
等），为上述制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程。以微处理器为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room)，虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关，不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗之后，接着进行氧化(Oxidation)及沉积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
二、晶圆针测制程
●经过Wafer Fab制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或晶粒(Die)，在
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一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性，而不合格的晶粒将会被标上记号(Ink Dot)，此过程即称之为晶圆针测制程(Wafer Probe)。然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒。
三、IC构装制程
●IC构装制程(Packaging)：利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成机体电路
●目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路收到机械性刮伤或是高温破坏。
半导体制造工艺分类
第勒尼安海生肖猪今日运势一双极型IC的基本制造工艺
● A 在元器件间要做电隔离区
（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）、ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL （饱和型）、STTL（饱和型）
● B 在元器件间自然隔离
I2L（饱和型）
二MOSIC的基本制造工艺
根据栅工艺分类
● A 铝栅工艺
● B 硅栅工艺
●其他分类
1.根据沟道：PMOS、NMOS、CMOS
2.根据负载元件：E/R、E/E、E/D
三Bi-CMOS工艺
A 以CMOS工艺为基础
P阱N阱
B以双极型工艺为基础
双极型集成电路和MOS集成电路优缺点
●双极型集成电路
小炒黄牛肉的家常做法中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比较大
●CMOS集成电路
低静态功耗、宽的电源电压范围、宽的输出电压幅度（无阈值损失），具有高速度、高密度潜力；可与TTL电路兼容。电流驱动能力低
半导体制造环境要求
●主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属粒子。
●超净间：洁净等级主要由微尘颗粒数/m3
半导体元件制造工程
前段（Front End）制程---前工序
晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称Wafer Fab）
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程
仄平横向晶体管剖面图
纵向晶体管剖面图
NPN晶体管剖面图
1.衬底选择
P型Si ρ10Ω.cm 111晶向，偏离20~50相信的力量作文
晶圆（晶片）
晶圆（晶片）的生产有砂（即二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的【多晶硅】。一般晶圆制造厂，将多晶硅熔解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。
一支85公分长，重76.6公斤的8寸硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导体之原料-晶圆片。
第一次光刻----N+埋层扩散孔
● 1.减小集电极串联电阻
● 2.减小寄生PNP管的影响
要求：
1.杂质固浓度大
2.高温时在Si中的扩散系数小，以减小上推
3.与衬底晶格匹配好，以减小应力
涂胶—烘烤—掩膜（曝光）—显影—坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗—N+扩散（P）
外延层淀积
1.VPE(Vaporous pha epitaxy)气相外延生长硅SiCl4+H2Si+HCl
2.氧化Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+tepi-ox
