SilvacoTCAD仿真10——MOSFET结构仿真代码
MOS器件结构
go atlas
#定义⽹格
#⼆维⾮均匀⽹格
mesh
x.m l=0.0 spacing=0.3
x.m l=0.5 spacing=0.018
x.m l=2.5 spacing=0.018
x.m l=3 spacing=0.3
y.m l=-0.02 spacing=0.01
摆渡人英文y.m l=0.0 spacing=0.01
y.m l=0.3 spacing=0.06
y.m l=1.0 spacing=0.2
#定义材料
region num=1 y.min=0 silicon
女生怎样瘦腿region num=2 y.max=0.0 oxide
#定义电极
elect num=1 name=gate x.min=0.5 length=2 y.min=-0.02 y.max=-0.02
elect num=2 name=source left length=0.5 y.min=0.0 y.max=0.0
elect num=3 name=drain right length=0.5 y.min=0.0 y.max=0.0
elect num=4 name=substrate substrate
#定义掺杂
考察doping pe conc=2.e16
doping pe conc=1.e20 x.max=0.5 y.max=0.2
doping pe conc=1.e20 x.min=2.5 y.max=0.2
不同沟道状态
到字成语#模型定义
#迁移率模型（ cvt）、复合模型
models cvt srh print
#电极接触类型
#多晶硅栅（⾃对准效应）
contact name=gate n.poly
#界⾯电荷
#SiO2和Si的接触是不理想的，存在界⾯态，固定的界⾯电荷interface qf=3e10病骨支离
我学会了
method newton
#求解初始状态
solve init
#求解漏电压=10V的情况
solve vdrain=10
#存储结果
log outf=nmos1_1.log
solve vgate=0 vstep=0.25 vfinal=5.0 name=gate
移动硬盘在电脑上不显示怎么办save outf=nmos1_1.str
quit
仿真
对于硅基器件，
Vd=10V，Vg=5V，绝⼤部分器件，处于反型。
夹断，处于饱和状态。
器件结构
分布情况
右键->display
电场分布情况
高考成绩怎么查询
载流⼦分布情况
电流
