Vertical gallium nitride Schottky diode

更新时间:2023-07-31 13:44:56 阅读: 评论:0

羊奶粉十大品牌专利名称:Vertical gallium nitride Schottky diode
发明人:オドノブリュードフ,ウラジミール,アクタス,オ
八达岭
ズギュル
歌曲英文申请号:JP2019553299
申请日:20180327
上升天蝎女
公开号:JP2020512698A
公开日:
20200423
专利内容由知识产权出版社提供
专利附图:
摘要:The vertical Schottky diode is in contact with an ohmic contact, a first epitaxial n-type gallium nitride layer that is physically in contact with the ohmic contact and has a first doping concentration, and is physically in contact with the first epitaxial n-type
gallium nitride layer and is lower than the first doping concentration Includes a cond epitaxial n-type gallium nitride layer having a cond doping concentration.Vertical Schottky diodeCoupled to the cond epitaxial n-type gallium nitride layerA first edge termination region and a cond edge termination region parated by a portion of the cond epitaxial n-type gallium nitride layerThe portion of the cond epitaxial n-type gallium nitride layerAlso includes a Schottky contact coupled to the first edge termination region and the cond edge termination region.Diagram
郊区城市化申请人:クロミス,インコーポレイテッド
地址:アメリカ合衆国,カリフォルニア州 95051,サンタ クララ,ウォルシュ アベ
伤感经典语录ニュー 2306
亮剑台词>折纸滑翔机
国籍:US
代理人:岡部 憲昭,穐場 仁
更多信息请下载全文后查看

本文发布于:2023-07-31 13:44:56,感谢您对本站的认可!

本文链接:https://www.wtabcd.cn/fanwen/fan/89/1103143.html

版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。

标签:专利   全文   下载   知识产权
相关文章
留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码:
推荐文章
排行榜
Copyright ©2019-2022 Comsenz Inc.Powered by © 专利检索| 网站地图