CMOS工艺名词解
saliside——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物，叫难融金属硅化物，此及saliside。
siliside——一种工艺，在源漏区淀积（或是叫覆盖？）硅化物，这样一种
工艺就叫siliside。
poliside——也为一种工艺，乃在栅极poly上淀积硅化物。
纂书
A.M.U 原子质量数
ADI After develop inspection显影后检视
AEI 蚀科后检查
Alignment 排成一直线，对平
Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
ARC： anti-reflect coating 防反射层
ASHER: 一种干法刻蚀方式
ASI 光阻去除后检查
Backside 晶片背面
Backside Etch 背面蚀刻
Beam-Current 电子束电流
BPSG: 含有硼磷的硅玻璃
Break 中断，stepper机台内中途停止键
Castte 装晶片的晶舟
CD：critical dimension 关键性尺寸
Chamber 反应室
Chart 图表
Child lot 子批
Chip (die) 晶粒
CMP 化学机械研磨
Coater 光阻覆盖（机台）
Coating 涂布，光阻覆盖
人民楷模Contact Hole 接触窗
美女图片
Control Wafer 控片
Critical layer 重要层
CVD 化学气相淀积
Cycle time 生产周期
Defect 缺陷
DEP: deposit 淀积
Descum 预处理
Developer 显影液；显影（机台）
Development 显影
DG: dual gate 双门
DI water 去离子水
Diffusion 扩散
Doping 掺杂
Do 剂量
Downgrade 降级
DRC: design rule check 设计规则检查
Dry Clean 干洗
Due date 交期
Dummy wafer 挡片
E/R: etch rate 蚀刻速率
卷发工具EE 设备工程师
End Point 蚀刻终点
ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
ET: etch 蚀刻
Exhaust 排气（将管路中的空气排除）
Exposure 曝光
FAB 工厂
FIB: focud ion beam 聚焦离子束
Field Oxide 场氧化层
Flatness 平坦度
Focus 焦距
Foundry 代工
FSG: 含有氟的硅玻璃
Furnace 炉管
GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性
中华优秀传统文化有哪些H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S
HCI: hot carrier injection 热载流子注入
HDP：high density plasma 高密度等离子体
High-Voltage 高压
Hot bake 烘烤
ID 辨认，鉴定
Implant 植入
Layer 层次
LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏
Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污
LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
Loop 巡路
Lot 批
Mask (reticle) 光罩
Merge 合并
Metal Via 金属接触窗
MFG 制造部
Mid-Current 中电流
Module 部门
NIT: Si3N4 氮化硅
Non-critical 非重要
NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
NW: n-doped well N阱
OD: oxide definition 定义氧化层
OM: optic microscope 光学显微镜
OOC 超出控制界线
OOS 超出规格界线
Over Etch 过蚀刻
Over flow 溢出
Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度
OX: SiO2 二氧化硅
P.R. Photo resisit 光阻
P1: poly 多晶硅
PA; passivation 钝化层
Parent lot 母批
Particle 含尘量/微尘粒子
PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强
PH: photo 黄光或微影
Pilot 实验的
Plasma 电浆
Pod 装晶舟与晶片的盒子
Polymer 聚合物
POR Process of record
PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂
PR: photo resist 光阻
PVD 物理气相淀积
PW: p-doped well P阱
Queue time 等待时间
R/C: runcard 运作卡
Recipe 程式
Relea 放行
Resistance 电阻
自制八宝饭Reticle 光罩
RF 射频
RM: remove. 消除
Rotation 旋转
RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火
RTP: rapid thermal process 迅速热处理
SA: salicide 硅化金属
SAB: salicide block 硅化金属阻止区
SAC: sacrifice layer 牺牲层
Scratch 刮伤
宋徽宗作品
Selectivity 选择比
SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜
Slot 槽位
Source-Head 离子源
SPC 制程统计管制
Spin 旋转
Spin Dry 旋干
Sputter 溅射
SRO: Si rich oxide 富氧硅
Stocker 仓储
Stress 内应力
STRIP: 一种湿法刻蚀方式
TEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。
Ti 钛
TiN 氮化钛
TM: top metal 顶层金属层
TOR Tool of record
Under Etch 蚀刻不足
USG: undoped 硅玻璃
W (Tungsten) 钨
WEE 周边曝光
Yield 良率
FICD: FInal CD
DICD: Development Inspection CD
集成电路词条
1.集成电路
随着电子技术的发展及各种电器的普及，集成电路的应用越来越广，大到飞入太空的“神州五号”，小到我们身边的电子手表，里面都有我们下面将要说到的集成电路。
我们将各种电子元器件以相互联系的状态集成到半导体材料（主要是硅）或者绝缘体材料薄层片子上，再用一个管壳将其封装起来，构成一个完整的、具有一定功能的电路或系统。这种有一定功能的电路或系统就是集成电路了。就像人体由不同器官组成，各个器官各司其能而又相辅相成，少掉任何一部分都不能完整地工作一样。任何一个集成电路要工作就必须具有接收信号的输入端口、发送信号的输出端口以及对信号进行处理的控制电路。输入、输出（I/O）端口简单的说就是我们经常看到的插口或者插头，而控制电路是看不到的，这是集成电路制造厂在净化间里制造出来的。
如果将集成电路按集成度高低分类，可以分为小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）和超大规模（VLSI）。近年来出现的特大规模集成电路（UISI），以小于1um为最小的设计尺寸，这样将在每个片子上有一千万到一亿个元件。
2.系统芯片（SOC）
不知道大家有没有看过美国大片《终结者》，在看电影的时候，有没有想过，机器人为什么能够像人一样分析各种问题，作出各种动作，好像他也有大脑，也有记忆一样。其实他里面就是有个系统芯片（SOC）在工作。当然，那个是科幻片，科技还没有发展到那个水平。但是SOC已成为集成电路设计学领域里的一大热点。在不久的未来，它就可以像“终结者”一样进行工作了。
系统芯片是采用低于0.6um工艺尺寸的电路，包含一个或者多个微处理器（大脑），并且有相当容量的存储器（用来记忆），在一块芯片上实现多种电路，能够自主地工作，这里的多种电路就是对信号进行操作的各种电路，就像我们的手、脚，各有各的功能。这种集成电路可以重复使用原来就已经设计好的功能复杂的电路模块，这就给设计者节省了大量时间。
SOC技术被广泛认同的根本原因，并不在于它拥有什么非常特别的功能，而在于它可以在较短的时间内被设计出来。SOC的主要价值是可以有效地降低电子信息系统产品的开发成本，缩短产品的上市周期，增强产品的市场竞争力。
车站广告3.集成电路设计
对于“设计”这个词，大家肯定不会感到陌生。在修建三峡水电站之前，我们首先要根据地理位置、水流缓急等情况把它在电脑上设计出来。制造集成电路同样也要根据所需要电路的功能把它在电脑上设计出来。
集成电路设计简单的说就是设计硬件电路。我们在做任何事情之前都会仔细地思考究竟怎么样才能更好地完成这件事以达到我们预期的目的。我们需要一个安排、一个思路。设计集成电路时，设计者首先根据对电路性能和功能的要求提出设计构思。然后将这样一个构思逐步细化，利用电子设计自动化软件实现具有这些性能和功能的集成电路。假如我们现在需要一个火警电路，当室内的温度高于50℃就报警。设计者将按照我们的要求构思，在计算机上利用软件完成设计版图并模拟测试。如果模拟测试成功，就可以说已经实现了我们所要的电路。
