BP2866B_CN_DS_Rev.1.0

更新时间:2023-07-27 09:03:12 阅读: 评论:0

非隔离降压型LED恒流驱动芯片晶丰明源半导体
概述
BP2866B是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式,适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。 特点
⏹无VCC电容、无启动电阻 ⏹集成高压供电功能
⏹无需辅助绕组检测和供电⏹宽输入电压
⏹±5% LED输出电流精度
DRAIN
CS
NC
HV
GND DRAIN
NC
图1 BP2866B典型应用图
非隔离降压型LED恒流驱动芯片晶丰明源半导体
定购信息
定购型号 封装 温度范围 包装形式 打印
BP2866B SOP7 -40℃到105℃
春天的春
编带
4,000 颗/盘 BP2866B  XXXXXYY  WXXXYYZ
2 管脚封装图
描述 芯片地
无连接
芯片高压供电端
内部高压功率管漏极
电流采样端,采样电阻接在CS和GND
非隔离降压型LED恒流驱动芯片晶丰明源半导体
极限参数(注1)
符号 参数 参数范围 单位
HV 500V芯片高压供电接口 -0.3~500 V
家乡宝DRAIN 内部高压功率管漏极到源极峰值电压 -0.3~500 V
CS 电流采样端 -0.3~6 V
I DMAX漏极最大电流 @ T J=100℃ 750 mA
P DMAX功耗(注2) 0.45 W
串的组词
θJA PN结到环境的热阻 145 ℃/W
T J工作结温范围 -40 to 150 ℃
T STG储存温度范围 -55 to 150 ℃
ESD (注3)    2 KV
注1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由T JMAX, θJA,和环境温度T A所决定的。最大允许功耗为P DMAX= (T JMAX- T A)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注3:人体模型,100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。
推荐工作范围
符号 参数 参数范围 单位
I LED 1 输出LED电流@ Vout=72V
(输入电压176V~265V)
<220 mA
吃什么可以回奶ILED max 最大输出电流 260 mA V LED min 最小负载LED电压 >28 V
晶丰明源半导体
非隔离降压型LED恒流驱动芯片电气参数(注4, 5) (无特别说明情况下,T A =25℃)
符号描述条件最小值典型值最大值单位
电源电压
I CC芯片工作电流 F OP=3.3kHz 200 300 uA
东非大裂谷电流采样
V CS_TH电流检测阈值 368 380 392 mV
T LEB前沿消隐时间 500 ns T DELAY芯片关断延迟 200 ns
内部时间控制
T OFF_MIN最小退磁时间    2.5 us T OFF_MAX最大退磁时间 220 us T ON_MAX最大开通时间 40 us
功率管
R DS_ON功率管导通阻抗 V GS=10V/I DS=0.1A 9 Ω BV DSS功率管的击穿电压 V GS=0V/I DS=250uA 500 V
I DSS功率管漏电流 V GS=0V/V DS=500V    1 uA
过热调节
T REG过热调节温度140 ℃
注4:典型参数值为25˚C下测得的参数标准。
入库流程图注5:规格书的最小、最大规范范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。
水花镜月
非隔离降压型LED恒流驱动芯片晶丰明源半导体
内部结构框图
图3 BP2866B内部框图
应用信息
适合女孩子的专业
BP2866B是一款专用于LED照明的恒流驱动芯片,应用于非隔离降压型LED驱动电源。采用专利的退磁检测技术和高压JFET供电技术,无需V CC电容和启动电阻,使其外围器件更简单,节约了外围的成本和体积。
启动
系统上电后,母线电压通过HV脚对芯片内部供电,当内部供电电压达到芯片开启阈值时,芯片内部控制电路开始工作。芯片正常工作时,所需的工作电流仍然通过内部的JFET对其提供。
恒流控制,输出电流设置 芯片逐周期检测电感的峰值电流,CS 端连接到内部的峰值电流比较器的输入端,与内部400mV阈值电压进行比较,当CS电压达到内部检测阈值时,功率管关断。
电感峰值电流的计算公式为:
)
(
380
PK
mA
R
I
CS
其中,R CS为电流采样电阻阻值。
CS比较器的输出还包括一个500ns前沿消隐时间。
LED输出电流计算公式为:

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