第一部分电源技术实践
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3.HTM
3. PP51
一．输入回路
1. 保险丝FUSE
FUSE有1。MICRO FUSE 微型保险丝2。CERAMIC FUSE 陶瓷保险丝3。GLASS FUSE 玻璃管型保险丝4。SMD FUSE贴片型保险丝
按熔断速度分为快熔型（FAST）慢熔型（SLOW）
个人经验取值参考：1. Pin=Pout/Eff 2. Vacmin=INPUT VOLTAGE
取（AC电流值）Iac *2--- 3 倍值为FUSE值比较合适。
举例：ACin=90V—264V Pout=60W
Idc=(Pout/Eff)/Vacmin/PF= (60/0.8)/90/0.55 = 75/90/0.55 = 1.5 * 2 = 3取2.5A -3A/250V 功率较大的，可以具实际情况减小
125V FUSE只应用于低段电压，全范围电压用250V之FUSE。
2. 热敏电阻电源主要用到NTC型的
1.负温度系数NTC：电阻值随温度增加而减小
2.正温度系数PTC：电阻值随温度增加而增加
输入电路的是抑制开机瞬间，防大电容开始充电时，呈现很低阻抗，产生大电流造成损坏。当温度升高时，阻值变小，对电路的损耗很小。
取值：I =Pout/Eff/ACinmin/PF
最少大于2倍电流值，在根据实际测试温度高低做调整。可以根据实际经验和现有物料等取。
3. 突波吸收器（压敏电阻METAL OXIDE V ARISTORS）
电源常用三种：241—ACVrms 150Vrms DCV 200V
271-- ACVrms 175Vrms DCV 225V
471-- ACVrms 300Vrms DCV 385V
突波吸收器选取主要根据两点：1。电压值–是运用在电路中该件的最大端电压，取最大端电
压的110％-120％，低端常用241或271，高端电压常用
471。
2。器件所承受最大的尖峰电流
3.估算出电路所承受最大瞬间的能量的焦耳数。
突波电流值—般在做雷击实验所要求，但过电压也是一个目的限制。我们一般按经验
选取。在考虑不做雷击实验时和成本时可以不用安装。
4. X电容
X电容主要用来消出差模干扰，主要集中在消出中，低频段，一般在10MHZ以下明显。
具体选取值，没有限制，只要考虑以下因素即可：
1．满足传导测试可以达到要求，可加大，或减小（成本）。2。PCB板能尽量安装有位置，以避免重新做板，增大工作量和成本。
X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，
EMI防制效果愈好(但价格愈高).
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相对应泻放电阻要根据X电容变化而变化。一般X电容取值在0.1Uf - 2.uF间。
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5. Y电容
1．Y电容主要用来消出共模干扰，对10MHZ以下很明显，一般Y电容越大，传导测试波形越好，不过必须在考虑高压测试时的漏电流的要求可允许下，漏电流(Leakage Current )必须符合安规须求。OPEN FRAME符合前条件即可，ADAPTER一般要求Y电容最大用222。
2．Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap接FG ，AC Input若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价格外(Y1较昂贵)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)。
一般Y电容取值在1000PF—10000PF间。主要有：102,152,222,332,472等等。
6. 共模电感
磁性材料主要有：铁素体(FERRITE)，纳米晶，铁粉芯，金属铁芯等。
铁素体：主要有四种：1.锰锌铁氧体（Mn-Zn Ferrite）（现在常用的）2.镍锌铁氧体（Ni-Zn Ferrite）
3.铜镁锌铁氧体(CU-Mg-Zn Ferrite)
4.多合金的
适用高频率变压器，EMI滤波器，能量存储用等。
纳米晶: 对低端频率有好的效果。
可用在EMI电路，对KHZ段有很好的抑制效果，但容易饱和
铁粉芯: 1.碳基铁粉芯Carbonyl Iron 2.铁硅铝铁粉芯Sendust
适用高频率变压器，滤波器等，主要常应用在储能电感, 输出DC直流滤波器上。
金属铁芯：实用于低频段，宜30KHZ以下。
共模电感一般用高磁导率铁素体(FERRITE)磁芯，铁素体是EMI电路最常用的材料。（高频率变压器，EMI滤波器等是一种材质，但配比不同，不能通用）
加减共模电感的圈数是改善传导测试的最常用方法，在设计和改善时共模电感一定要注意避免接近饱和。还要注意它的温度不能太高或太靠近热体，以造成冷机OK，热机NG现象。
1mm= r²*3.14*4A =3.14 A 输入电感的线径确定：具4A/1mm²的电流密度，Φ
I =Pout/Eff/ACinmin/PF
根据实际经验，可以适当减小线径取值，大于I =Pout/Eff/ACinmin稍大即可。
可以根据实测温度做调整.
7. 放电电阻
主要是在关断AC输入后，X电容上的电量在1秒内释放达到安全电压内，测试输入插头端。
取值主要考虑以下因素：
1. 根据放电时间取电阻大小，R=T/(
2.21*C) T=取1 S ,C= 所有X电容相加的总容量。（不
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同的标准放电时间有些不同的要求）
2. 是放电电阻根据自身阻值本身承受的功率要求。公式为：P=V*V / R天若有情歌词
3. 若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻。
EMI电路总结：
1. EMI高端不好，可在输入电源线上加上磁环，有较好效果。在输出DC线加铁粉芯磁
环，也有改善，特别在辐射时。
2．EMI电路根据功率大小，所用电路形式和经验，在设计前确定滤波级数，大概取值，然后在EMI 测试时根据实际情况再做调整即可。（最好参考成熟的EMI电路，以节约
时间）.
3．如果出现差模干扰，而X电容不能很好解决时，可单边串入带CORE电感，来解决。
4．增大Gate电阻，可减小EMI干扰，但会增加MOS发热温度。
5. 在A V OK时,QP不一定能OK，有可能是EMI电感有出现饱和现象, 或者主变压器也可
能影响.
QP是根据A V计算得到的
6. 辐射表现不太突出时，抑制的办法，可以在输出输入线加铁粉芯磁环，或者用铜箔，铝等金
属屏蔽整机.
7．EMI分为传导Conduction及辐射Radiation两部分，Conduction标准规范一般常用两种: FCC Part 15J Class B 、CISPR 22(EN55022) Class B 两种，FCC测试频率在
450K~30MHz，CISPR 22测试频率在150K~30MHz，Conduction可以用频谱分析仪
验证，Radiation 则必须到专用实验室验证。
以下是传导的实测波形图一，图二是辐射测试波形.
图一传导测试波形
昆虫乐园图二, 辐射测试波形
二.整流滤波
1. 整流
电压：峰值反向电压PIV，一般要求大于600V
电流：最大正向整流电流，选择时，至少大于两倍整流二极管稳态电流容量。
要有所承受浪涌电流的能力。
2. 滤波Cin
取滤波后纹波电压△V=30V 放电维持时间T=(1/Finac) / 2 (由于波形是半周，故取一半/2)
Idc=Pin/(Acin*1.414)
Cin=Idc*T/△V
举例说明：
Pout=40W
Pin=Pout/EFF=40/0.8=50W Idc=Pin/(Acin*1.414)=50/(90*1.414)=0.39A T= (1/Finac) / 2=(1/60)/2=16.67US/2=8US
Cin=Idc*T/△V=0.39*8/30=0.104*1000=104 uF取82uF/400V即可
(经验取值:2uF-1瓦)
一般滤波后的VDC不小于Vacin*1.2倍（重载），峰值≦1.414*Vacin（轻载）在应用倍压整流时，一定要在各电容两端加平衡电阻，可经验取值，一般是几百K欧。
三．PWM IC振荡频率及周围电路
双鱼女1.振荡频率
PWM的振荡频率一般根据IC的应用说明来选取，(有的是曲线，有的是公式)。有些
IC是固定工作频率的。
举例说明：UC3843/2
当Rt>5KR, F=1.72/(Rt*Ct)，开关频率约等于计算值，Rt是振荡电阻，Ct是振荡电容，
1.72是常数。当Rt<5KR, F=1.0/(Rt*Ct)
注意：计算值为工作频率，如UC3842/UC3843。
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侧是便计算值的一半为工作频率，如UC3844/5.
2. Rins
根据IC要求的Ins值来计算电阻值和功率。
举例说明：UC38XX系列
PIN3-Ins 限制为1V , Rs-max=1.0/Is-max
Rs-max：Rins电阻。Is-max：MOSFET S极的PK电流
调试时可以适当改动，以达到最佳状态。
IC-ns脚接至Rs端时，须接如RC滤波网络，改善波形。是根据SENS-VOLTAGE对RC 充放电的时间常数来取值，计算较为麻烦，且不理想，可根据实际经验和调试来取，较为方便。如38XX系列一般应用1KR/470-1000PF来改善。
3.Rgate （MOS-Gate与IC OUT 间接的电阻）
（1）. 主要用来消除由于MOS结电容和分布电容所引起的高频振荡。选取合适值，可以减小Gate极的振荡，减小MOS导通时的PK电流，减小EMI干扰。但会增加了开关的上升
沿时间，MOS的发热量会加大。
（2）. 在与该电阻并联须反结一普通二极管，可以改善开关的下降沿，以减小MOS开关的关断时损耗，降低发热量。可以根据实际调试来或串入一小电阻。
4. 启动电阻：
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根据IC的启动电压，电流值来取。
注意电阻的承受功率，耐电压等以免烧坏。
5．VCC
一．在设计PWM-IC VCC电压时，电源在各种情况下都能保证VCC输出电压合乎要求，足
