P-Si与A-Si的区别

更新时间:2023-07-09 10:26:16 阅读: 评论:0

松花粉的功能  P-Si与A-Si的区别
什么是低温多晶硅:
    低温多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的缩写,一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600度,尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光照射”(lar anneal)要求更是如此。与a-Si相比,LTPS的电子移动速度要比a-Si快100倍,这个特点可以解释两个问题:首先,每个LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反应速度快;其次,LTPS PANEL 外观尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS与a-Si 相比所持有的显著优点:神思恍惚
    1、把驱动IC的外围电路集成到面板基板上的可行性更强;
    2、反应速度更快,外观尺寸更小,联结和组件更少;
围拢
    3、面板系统设计更简单;
代际关系    4、面板的稳定性更强;
    5、解析度更高,
    激光照射:
实验室管理规范
    p-Si 与 a-Si的显著区别是LTPS TFT在制造过程中应用了激光照射。LTPS制造过程中在a-Si层上进行了激光照射以使a-Si结晶。由于封装过程中要在基板上完成多晶硅的转化,LTPS必须利用激光的能量把非结晶硅转化成多晶硅,这个过程叫做激光照射。
   
    电子移动性:
怪哉虫    a-Si TFT的电子移动速率低于1 cm2/V.c,同时驱动IC需要较高的运算速率来驱动电路。这就是为什么a-Si TFT不易将驱动IC集成到基板上。相比之下,p-Si电子的移动速率
可以达到100 cm2/V.c,同时也更容易将驱动IC集成到基板上。结果是,首先由于将驱动IC、PCB和联结器集成到基板上而降低了生产成本,其次使产品重量更轻、厚度更薄。
   
    解析度:
    由于p-Si TFT 比传统的a-Si小,所以解析度可以更高。
    稳定性:
 
《大学》读后感    p-Si TFT的驱动IC合成在玻璃基板上有两点好处:首先,与玻璃基板相连接的连接器数量减少,模块的制造成本降低;其次,模块的稳定性将得以戏剧性的升高。
   
   
>故事歌曲

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标签:基板   激光   制造   电子   照射   驱动   过程
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