内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器系列
DIP-8-300-2.54
产品规格分类
产品名称封装类型打印名称材料包装SD6832 DIP-8-300-2.54 SD6832 无铅料管
典型输出功率能力
190~265V 85~265V
产品
开放式适配器开放式
适配器
SD6832 7W 12W 5W 10W
内部框图
符 号 参 数 范 围
参 数
=1MΩ）650 V
±30 V
6 A
=25°C) 1 A amb
信号脉冲雪崩能量注230 mJ
V28 V
-0.3~7 V 峰值电流采样端电压-0.3~2 V
6.3 W
ja 77
jc 20
+150
-
25~+85
-55~+150
注：1. 脉冲宽度由最大结温决定；
2. L=51mH， T J=25°C(起始)。
电气参数(感应MOSFET部分，除非特殊说明， T
=25°C)
amb
beyond成员参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏源击穿电压BV DSS V GS=0V，I D=50μA 650 -- -- V
V DS=650V，V GS=0V -- -- 50 μA
零栅压漏端电流I DSS
V DS=480V，V GS=0V T amb=125°C -- -- 200 μA
V GS=10V，I D=0.5A 7 10 13 Ω
静态漏源导通电阻R DS(ON)
V GS=10V，I D=0.75A 7.3 10.5 13.7 Ω
输入电容C ISS V GS=0V，V DS=25V，f=1MHz 108 155 202 pF
输出电容C OSS V GS=0V，V DS=25V，f=1MHz 16 23 30 pF
反向传输电容C RSS V GS=0V，V DS=25V，f=1MHz 0.4 0.6 0.8 pF
导通延迟时间T D(ON)V DD=0.5BV DSS，I D=25mA 4.2 6 7.8 ns
上升时间T R V DD=0.5BV DSS，I D=25mA 9.1 13 16.9 ns
关断延迟时间T D(OFF)V DD=0.5BV DSS，I D=25mA 6.3 9 11.7 ns输卵堵塞的症状
下降时间T F V DD=0.5BV DSS，I D=25mA 11.917 22.1 ns
电气参数(除非特殊说明，V
=12V，T amb=25°C)
CC
参 数 符 号 测 试 条 件 最小值典型值 最大值 单位
欠压部分
上电启动电压V START 14.515.5
V
17.0
关断电压V STOP 7.5
9.5
V
8.3
振荡部分
振荡频率最大值f OSCMAX V FB
73
KHz
67
=3V 61
振荡频率最小值f OSCMIN V BURL<V FB<V BURH20 25 30 KHz
虚有其表
振荡频率抖动最大值f MOD振荡频率最大±1.5±2.5 ±3.5 KHz
振荡频率随温度的变化率-- 25°C≤T amb≤+85°C --
%
±5
±10
最大占空比D MAX 72
%
82
77
反馈部分
shizizuo
反馈源电流最大值I FBMAX V FB
mA
项目评价1.1
美文加赏析0.9
=0V 0.7
反馈关断电压(过载保护) V SD 3.8
V
小脸迷人
4.3
4.8
反馈关断延迟时间T SD FB从0V瞬间上升至5V 15 27 40 ms
关断延迟电流I DELAY V FB
μA
8
=5V 3
5.5
咏牡丹
CS部分
CS最大值V CSMAX 0.7
V
1.1
0.9
打嗝模式控制
打嗝模式高电平V BURH FB电压0.400.50 0.60 V
打嗝模式低电平V BURL FB电压0.250.35 0.45 V
保护部分
过压保护V OVP V CC电压23 24.5 26 V
参 数 符 号 测 试 条 件 最小值典型值 最大值 单位
过温保护T OTP 125
150
°C
175
前沿消隐时间T LEB 250
ns
450
325
总待机电流部分
启动电流I START V CC从0V上升至12V 1 3 10 μA
静态电流I STATIC V FB
mA
3.0
1.9
=0V 1.0
工作电流I OP V FB
3.0
mA
2.0
=3V 1.0
端接在一起，可以更好地辅助散热。
功
地
峰值电流采样端
CS I
正电源输入端
反馈输入端
I/O
空脚
-
功率MOSFET开关漏端
Drain O
是用于离线式开关电源集成电路。电路含有高压功率MOSFET
式PWM+PFM控制器。控制器包含有振荡频率发生器及各个保护功能。振荡电路产生的频率抖动，可以降低
EMI。最大峰值电流补偿减小了电路启动时变压器的应力。通过CS端电阻可以调节极限峰值电流。在轻载
时，电路采用打嗝模式，可以有效的降低电路的待机功耗。保护功能包括：欠压锁定，过压保护，过载保
护，原线圈过流保护和温度保护功能。电路的前沿消隐功能，保证MOSFET的开通有最短的时间，消除了由
于干扰引起的MOSFET的误关断。使用SD6832可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，可用于正激变
换器和反激式变换器。
1.欠压锁定和自启动电路
开始时，电路由高压AC通过启动电阻对V CC脚的电容充电。当V CC 充到15.5V，电路开始工作。电路正
常工作以后，如果电路发生保护，输出关断，FB 源电流也关断，由于电路此时供电由辅助绕组提供，V CC 开始降低，当V CC 低于8.3V ，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对V CC 脚的电容充电，启动电路重新工作。
2.频率抖动和降频模式
，本电路使得振荡频率不断的变化，减小在某一个单一频率的对外辐射。振荡频率在一个很小的范围内变动，从而简化EMI 设计，更容易满足要求。中心频率67KHz 时变化的规律是：范围变化，共有63个频率点。
为提高效率，本电路采用降频模式。采用方式有二：管脚输出下拉电流I FB 来降低频率f 。当在典型电流I 1以上时，频率从典型值低，一直到典型电流I 2以上时降低至典型值25KHz 。变化关系如下左图所示。管脚输出下拉电流I 来改变峰值电流的变化率。变化关系如下右图所示。
3.
峰值电流采样电阻
本电路采用在CS 端外置采样电阻(R CS )实现峰值电流限制。极限峰值电流由下式决定：
PKMAX CS
0.9I R = 4.
峰值电流补偿和初始化
在不同交流电压输入时极限峰值电流变化很大，本电路通过峰值电流补偿可以使不同交流电压输入时极
