一维传热路径节日的焰火下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法
前 言
本文已在JEDEC JC-15关于热性能的会议上作了充分准备。旨在详细规定从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维传热路径下，半导体器件结壳热阻（难忘时刻感人的小说）的可重复性测量方法。一维传热也就是说，热流方向是直线的。但是很明显实际上垂直方向的热扩散是三维传热的。
凤凰古城游玩攻略结壳热阻是半导体器件最重要的热性能参数之一。将半导体器件的表面与高性能的热沉相接触，结壳热阻说明了器件在最理想的冷却条件下热性能的极限。骆驼交配学习的榜样应在器件的数据手册中给出。值越小热性能越好。
半导体器件结壳热阻（）传统的定义是：将器件表面与水冷铜热沉相接触，直接测量结与壳的温度差，如MIL-883标准[N1]所述。壳温需用热电偶测量，很容易产生误差，测量的结果不具有可重复测量性。原因之一是器件的壳温分布不均匀，热电偶只测得与它相接触位置的壳温，这一点很可能不是壳温的最大值。另外一个原因是读取的壳温值偏低，热电偶不能充分与热沉绝热，热电偶测量点的热量会被热电偶引线和热沉导走。考虑到固定器件与热沉的压力会使分层不明显，可能引起更多的问题。还有一个系统误差是热沉中热电偶钻孔的影响。对于较小的器件，这一影响更明显。
本文详细说明了半导体器件结壳热阻（）的测量方法，而且不需要用热电偶测量壳温。这种方法大大提高了测量的可重复性，同时保证了企业间测量方法的一致性和数据的可比性。
本文是半导体器件热性能JESD51系列标准[N2]的补充，应与JEDED JESD51-1中描述的电学法一同使用。
介绍
结壳热阻 是衡量半导体器件从芯片表面到封装表面的热扩散能力的参量，其中封装表面与热沉相接触。JESD51-1将之定义为当半导体器件外壳与热沉良好接触以使其表面温度变化最小时，热源到离芯片峰值区最近的外壳表面的热阻。
日本人最怕客家人MIL833标准中给出的传统热电偶测量方法要求确定结温Tj，壳温Tc以及热耗散功率PH，并且器件外壳与热沉良好接触。结壳热阻采用下式计算：
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