⏹ 管脚说明及定义
⏹ 基本电气特性
VDD=5V ，T A =25℃的条件下： SD BYP IN-OV2Top View
特性曲线
图1：Input Amplitude VS. OutputPower
图2：Input Voltage VS. Output Power
图3：Output Power VS.THD+N
低速档图4：Input Voltage VS.Power Crrent
图5：Frequency VS.THD+N
图6：Frequency Respon
10100
1000
10000
10
100
100010000O u t p u t A m p l i t u d e (m V r m s )
Input Voltage Amplitude （mVrms ）
VDD=5V RL=4Ω
Input Amplitude VS Output Amplitude
0.01
鲨鱼吃鱼0.1
分娩的过程
110
0.1
1
T H D +N %
Output Power （W ）
VDD=6V RL=4Ω
VDD=5V RL=4Ω VDD=4.2V RL=4Ω
Output Power VS THD+N
0.01
鸦片战争的时间0.1
1
10
10
100
100010000T H D +N %
Frequency(HZ)
VDD=5V PO=1W RL=4Ω
Frequency VS THS+N
-6-5-4-3-2-10123
10
100100010000
70年属相
G a i n （d b ）
Frequency(HZ)
VDD=5V RL=4Ω
Frequency Respon
第一个不平等条约
SD 管脚是芯片使能脚位。控制芯片打开和关闭，SD 管脚为高电平时，功放芯片关断，SD 管脚为低电平时，功放芯片打开，正常工作。SD 管脚不能悬空。
● 功放增益控制
LTK8002E 接受模拟信号输入，输出为模拟音频信号，
其增益均可通过R IN 调节，计算公式为：
A V 为增益，通常用D
B 表示，上述计算结果单位为倍
焦熬投石
数、20Log 倍数=DB 。
LTK8002E 的串联电阻（Rin ）和反馈电阻（Rf ）都
由外部定义，用户可根据根据实际供电电压、输入
幅度、和失真度定义。
如Rf=56K 时，Ri=10K 。A V =2*56/10、=11.2倍、
A V =20.2DB
输入电容（Cin ）和输入电阻（Rin ）组成高通滤波
器，其截止频率为：
IN IN C C R f ⨯⨯=π21
Cin 电容选取较小值时，可以滤除从输入端耦合入
的低频噪声，同时有助于减小开启时的POPO 声
● Bypass 电容 Byp 电容是非常重要的，该电容的大小决定了功放芯片的开启时间，同时Byp 电容的大小会影响芯片的电源抑制比、噪声、以及POP 声等重要性能。建议将该电容设置为1uf，因该Byp 的充电速度速度比
输入信号端的充电速度越慢，POP 声越小。
LTK8002E 是高性能CMOS 音频放大器，足够的电源退耦可保证输出THD 和PSRR 尽可能小。电源的退耦需要可以用插件电容和陶瓷电容组合来实现。陶瓷电容典型值为1.0µF ，放置在尽可能靠近器件VDD 端口可以得到最好的工作性能，
● PCB 设计注意事项
芯片供电VDD 脚位，建议使用一个贴片电容，
电容值为1uf 。为了提升芯片工作性能以及让
电源在动态时更稳定，可在VDD 处使用一个插
件电容220uf-470uf 。
功放芯片电源走线要粗，最好使用敷铜方式连
接。电源供电脚（VDD ）走线网络中如有过孔必须使用多孔连接，并加大过孔内径，不可使用单个过孔直接连接。
BYPASSD 电容尽量靠近芯片管脚放置。
输入电容（Ci ）、输入电阻（Ri ）尽量靠近功
放芯片管脚放置，音频走线最好使用包地处理，
可以有效的抑制其他信号耦合的噪声。
LTK8002E 输出连接到喇叭的管脚走线管脚尽可能的短，并且走线宽度不能过小。 。
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