M1 | M2 | M3 | M4 |
0.23um | 0.28um | 0.28um | 1.50um |
问题描述 | 三年大学规划解决办法 | 建议 |
Min. M1 area < 0.202 | Minimum area of M1 region ≥0.202 | 版图连线未完成之前由于端口悬空产生的错误,先不用理会,完成之后,自动消失 |
Min. different potential NWEL space >1.40 | 保持不同电位的N阱之间的最小距离为1.4um | 尽量避免把两个衬底电位不相同的管子放一起 |
Min. same potential NWEL space > 0.6 | 保持相同电位的N阱之间的最小距离为0.6um | |
NP space >0.440 (NP:N+ S/D Implantatiaon) | 保持两个N管N+注入区最小距离0.440um(对应的Layer name为 NIMP层) | |
PP space >0.440 (PP:P+ S/D Implantatiaon) | 保持两个P管P+注入区最小距离0.440um(对应PIMP层) | 蟋蟀怎么养 |
VIA3 must be 0.36 x 0.36 | 通孔的大小由默认值决定,不能更改 | |
VTMN.S.1 { @ Min. space between two VTM_N regions < 0.44um } | 保持两个器件的VTM_N层间距>=0.44um | 同样是距离的问题,这是中阈值管相对其它管子多出的一层掩模层 |
A bent PO region is not allowed in VTM_N region | 用POLY做连接时 POLY的宽度必须与管子的栅长相等 | 何忌直接用POLY连接两个器件的栅时,首先必须保证两个器件的栅长相等! |
浪漫的爱情故事@ Any point inside NMOS source/drain space to the nearest PW STRAP in the same PW <= 30 um @ Any point inside PMOS source/drain space to the nearest NW STRAP in the same NW <= 30 um | 对相应的器件打阱即可 | |
Min. enc.Of NTAP by NP<0.18 with PWLL<0.43 | 在通孔周围画N阱,使得N阱到扩散区的距离>=0.43um | 这是在自动生成M1_NWELL contact时产生的错误,是由于自动生成的contact的扩散区到NWELL的距离小于0.43um |
本文发布于:2023-06-20 11:12:13,感谢您对本站的认可!
本文链接:https://www.wtabcd.cn/fanwen/fan/89/1046799.html
版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。
留言与评论(共有 0 条评论) |