Fab厂常用术语
Fab厂常用术语
some phras and words in FAB cleanroom system
A.M.U 原子质量数
ADI After develop inspection显影后检视! n( \+ q8 _% g' z
AEI 蚀科后检查% Y4 _+ @7 ^% v9 U, g
Alignment 排成一直线，对平7 B: R) M; B R# i5 d图阿鲁
Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值ARC： anti-reflect coating 防反射层
ASHER: 一种干法刻蚀方式
ASI 光阻去除后检查
Backside 晶片背面
模板台车
Backside Etch 背面蚀刻
Beam-Current 电子束电流
BPSG: 含有硼磷的硅玻璃
Break 中断，stepper机台内中途停止键
Castte 装晶片的晶舟
CD：critical dimension 关键性尺寸
Chamber 反应室
Chart 图表
Child lot 子批
Chip (die) 晶粒
CMP 化学机械研磨
佛手花的家庭养殖方法
Coater 光阻覆盖（机台）
Coating 涂布，光阻覆盖
Contact Hole 接触窗
Control Wafer 控片
Critical layer 重要层
CVD 化学气相淀积
Cycle time 生产周期
Defect 缺陷
DEP: deposit 淀积
Descum 预处理% u$ j$ I6 Z* J3 g/ j
Developer 显影液；显影（机台）
Development 显影
DG: dual gate 双门
DI water 去离子水
意思意思的段子Diffusion 扩散
叠字词语Doping 掺杂
Do 剂量
Downgrade 降级
DRC: design rule check 设计规则检查
Dry Clean 干洗
高一政治
Due date 交期
Dummy wafer 挡片
E/R: etch rate 蚀刻速率
EE 设备工程师
End Point 蚀刻终点
ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
ET: etch 蚀刻
Exhaust 排气（将管路中的空气排除）
Exposure 曝光
FAB 工厂
FIB: focud ion beam 聚焦离子束
Field Oxide 场氧化层
Flatness 平坦度
Focus 焦距
Foundry 代工
FSG: 含有氟的硅玻璃
Furnace 炉管
GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性/ z5 y$ x X! J- Q& @+ ^
H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着
力的化合物，称H.M.D.S
HCI: hot carrier injection 热载流子注入
HDP：high density plasma 高密度等离子体
much的比较级High-Voltage 高压
Hot bake 烘烤
ID 辨认，鉴定
Implant 植入
Layer 层次
LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏
Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污
LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
Loop 巡路
Lot 批
Mask (reticle) 光罩
Merge 合并
Metal Via 金属接触窗
MFG 制造部
Mid-Current 中电流
Module 部门
公费研究生
NIT: Si3N4 氮化硅
Non-critical 非重要
NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
NW: n-doped well N阱% A1 t4 E7 M; C" L; w$ g/ ^/ J. T
OD: oxide definition 定义氧化层
OM: optic microscope 光学显微镜
