IGBT的擎住效应与安全工作区
第一篇：IGBT 的擎住效应与安全工作区
IGBT 的擎住效应与安全工作区
作者：本站 来源：本站整理 发布时间：2006-9-16 6:40:45 发布人：ralphcheng
擎住效应
在分析擎住效应之前，我们先回顾一下 IGBT 的工作原理（这里假定不发生擎住效应）。
1 ．当 Uce ＜ 0 时， J3 反偏，类似反偏二极管， IGBT 反向阻断；
2 ．当 Uce ＞ 0 时，在 Uc
3 ． IGBT 的关断。在 IGBT 处于导通状态时，当栅极电压减至为零，此时 Ug ＝ 0 ＜ Uth ，沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使 Ic 有一个突降。但由于 N 一区注入大量电子、空穴对， IC 不会立刻为零，而有一个拖尾时间。
IGBT 为四层结构，体内存在一个奇生晶体管，其等效电路如图 2 － 60 所示。在 V2 的基极与发射极之间并有一个扩展电阻 Rbr ，在此电阻上 P 型体区的横向空穴会产生一定压降，对 J3 结来说，相当于一个正偏置电压。在规定的漏极电流范围内，这个正偏置电压不大， V2 不起作用，当 Id 大到一定程度时，该正偏置电压足以使 V2 开通，进而使 V2 和 V3 处于饱和状态，于是寄生晶体管开通，栅极失去控制作用，这就是所谓的擎住效应 .IGBT 发生擎住效应后，漏极电流增大，造成过高功耗，导致损坏。可见，漏极电流有一个临界值 Idm 。，当 Id ＞ Idm 时便会产生擎住效应。
什么柴不能烧在 IGBT 关断的动态过程中，假若 dUds ／ dt 过高，那么在 J2 结中引起的位移电流 Cj2 （ dUds/d t ）会越大，当该电流流过体区扩展电阻 Rbr 时，也可产生足以使晶体管 V2 开通的正向偏置电压，满足寄生晶体管开通擎住的条件，形成动态擎住效应。使用中必须防止 IGBT 发生擎住效应，为此可限制 Idm 值，或者用加大栅极电阻 Rg 的办法延长 IGBT 关断时间，以减少 d Uds /d t 值。
值得指出的是，动态擎住所允许的漏极电流比静态擎住所允许的要小，放生产厂家所规定的） Id 值是按动态擎住所允许的最大漏极电流来确定的。
安全工作区
安全工作区（ SO A ）反映了一个晶体管同时承受一定电压和电流的能力。 IGBT 开通时的正向偏置安全工作区（ FBSOA ），由电流、电压和功耗三条边界极限包围而成。最大漏极电流 I dm 是根据避免动态擎住而设定的，最大漏源电压 Udsm 是由 IGBT 中晶体管 V3 的击穿电压所确定，最大功耗则是由最高允许结温所决定。导通时间越长，发热越严重，安全工作区则越窄，如图 2 － 61 。所示。
IGBT 的反向偏置安全工作区（ R BSO A ）如图 2 － 61b 所示，它随 IGBT 关断时的 d Uds ／ d t 而改变， d Uds ／ dt 越高， RBSOA 越窄。
第二篇：IGBT的锁定效应和安全工作区
真诚的句子
西游记故事概括IGBT的锁定效应和安全工作区
1.锁定效应
IGBT为四层结构，体内存在一个寄生晶体管，其等效电路如图1所示。在V2的基极与发射
极之间并有一个扩展电阻Rb，在此电阻上，P型体区的横向空穴会产生一定压降，对J3结来说，相当于一个正偏电流范围内，这个正偏置电压不大，对V2不起作用，当Id大到一定程度时，该正偏置电压足以使V2开通，进而使V2和V3处于饱和状态，于是寄生晶体管开通，栅极失去对集电极电流的控制作用，这就是所谓的IGBT的静态锁定效应，IGBT发生锁定效应后，漏极电流增大，造成过高功耗，导致损坏。可见，漏极电流有一个临界值Idm，当Id> Idm时便会产生锁定效应。
图1 具有寄生晶体管的IGBT等效电路在IGBT 关断的动态过程中，假若dvds/dt过高，那么在J2结中引起的位移电流会增大，当该电流流过体区扩展电阻Rb时，也可产生足以使晶体管V2开通的正向偏置电压，满足寄生晶体管开通锁定的条件，形成动态锁定效应。为此，在应用中必须防止IGBT发生锁定效应，为此可限制Idm值，或用加大栅极电阻RG的办法延长IGBT关断时间，以减少dvds/dt值。值得指出的是，动态锁定效应允许的漏极电流比静态锁定所允许的要小，IGBT 器件提供的Id值是按动态锁定效应所允许的最大漏极电流来确定的。锁定效应曾限制 IGBT 电流容量提高，这个问题在20世纪90 年代中后期开始逐渐解决，即将IGBT与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件。 2．安全工作区
安全工作区（SOA)反映了一个功率器件同时承受一定电压和电流的能力。IGBT的安全工作区可以分为三个主要区域： 1)正向导通[正向偏置安全工作区( FBSOA)]。这部分安全工作区是指电子和空穴电流在导通瞬态时流过的区域。在lc处于饱和状态时，IGBT所能承受的最大电压是器件的物理极限。IGBT开通时的正向偏置安全工作区由 电流、电压和功耗三条边界极限包围而成（最大集电极电流、最大集电极—发射极间电压和最大集电极功耗）。最大集电极电流ICmax是根据避免动态锁定效应而设定的，最大集电极—发射极电压VCEmax是由IGBT中晶体管V2的击穿电压所确定，最大功耗则是由最高允许结温所决定。导通时间越长，发热越严重，安全工作区则越窄，如图2a所示。
图2 IGBT的安全工作区a) IGBT 正向偏置
b）IGBT的反向偏置
付颀淘2)反向偏置安全工作区(Rever Bias Safe Operation Area，RBSOA) 由反向最大集电极电流、最大集电极—发射极间电压和最大允许电压上升率dvCE/dt 确定，这个区域表示栅偏压为零或负值但因空穴电流没有消失，丽；存在时的关断瞬态。IGBT的反向偏置安全工作区如图2b所示，它随IGBT 关断时的dvCE/dt而改变，dvCE/dt越高，RBSOA越窄。 3)短
黄瓜条牛肉路安全工作区（短路安全运行Short CircUit Safe Operation Area，SCSOA）。SCSOA是在电源电压条件下接通器件后，所测得的驱动电路控制被测试器件的时间最大值。
在设计缓冲电路时要保证使关断时VCE - IC的工作轨迹全部容纳在该RBSOA区域内。由于SCSOA区在集电极电流变大时有变窄的倾向，在应用设计中需要加以注意。
第三篇：C效应与I效应
共轭效应;
性质：又称离域效应（delocalization effect）。存在于共轭体系中的一种极性（静态）和极化（动态的）现象。是一个分子在“静止”状态以及在微扰状态（例如在反应过程中）的特性。在单双键交替出现的共轭分子中，可以看做两个孤立的双键用一个单键联合在一起，π电子的运动范围由两个碳原子之间扩充到四个碳原子之间，因此称为离域现象。在外界的影响下，共轭效应能使电子分布移并在化学特性上有所反映。例如（1）电性：离域π键的形成增加了物质的电导。（2）颜色：离域π键的形成扩大了π电子的活动范围，使体系能量降低，能级间隔变小，由σ键的紫外光区移至离域π键的可见光区。含离域π键的
化合物往往是染料、生色剂和指示剂等。酚酞在碱性溶液中变红就是因为扩大了π电子的离域范围。（3）酸碱性：苯酚呈酸性，苯胺呈碱性。前者是因为电离掉H+后离域范围稳定存在；后者是因为本来分子中就有离域π键，不易电离，可接受H+。（4）化学反应性能：芳香化合物的芳香性、游离基的稳定性，丁二烯类的1,4加成等都和离域π键的生成有关。
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共轭效应;conjugation effect
性质：在共轭体系分子中，由于原子间的相互影响和π电子云的离域，引起分子内能降低、体系趋向稳定、键长趋于平均化，以及某些性质的变化等效应，称为共轭效应。产生共轭效应的必要条件是，组成共轭体系的各个原子必须处在同一平面上。这样才能使参加共轭的每个原子的p轨道相互平行而发生侧面重叠。反之，会减弱、甚至使共轭效应完全消失。例如，1,3-丁二烯分子具有共轭效应，而环辛四烯由于组成环的八个碳原子不在同一平面上，因而使共轭效应受到影响。
C效应
定义
拖拉管施工工艺效应包括：+c效应、-c效应
通常将共轭体系中给出π电子的原子或原子团所显示的共轭效应称为+c效应,而将吸引π电子的原子或原子团所显示的共轭效应称为-c效应
+C效应;+C effect
性质：在p，π-共轭体系中，与双键相连的X是具有未共享电子对的原子或原子团时，它表现出供电子性能，由它所引起的使共轭体系 的π电子云向双键方向转移，称为+C效应。X为不同原子或原子团时，同族元素的+C效应强弱比较为：-F>-C1>-Br>-I；-OR>-SR>SeR>TeR；-O->-S>-Se—>-Te—。同周期元素为：-NR2>-OR>-F
+I效应;+I effect
性质：诱导效应常用符号I表示，比较原子、原子团诱导效应方向时，常以氢原子为标准。若某个原子或原子团的电负性比氢小(<1.5)，吸电子的能力就不如氢原子强，这个原子或原子团称为斥(推)电子基，具有正的诱导效判断原子、原子团诱导效应的强弱顺序，主要通过实验测定，最常用的方法是测定取代甲酸或取代乙酸的电离常数。此外，可用测偶极大学生寒假社会实践报告
矩等方法。不同方法测定的强弱顺序不完全一致，
第四篇：暗示效应与反暗示效应
暗示效应与反暗示效应
11新闻1班
王超飞
111505427
摘要：暗示效应与反暗示效应在人的社会化过程中起着不可替代的作用,他们的过程是人、行为与环境相互作用的过程,要想方设法激活人、行为和环境的因素。特别要充分发挥替代性强化和认知的中介作用,使人们更加理性地去理解。
