Fab厂常用术语

更新时间:2023-06-17 20:20:10 阅读: 评论:0

Fab厂常用术语
some phras and words in FAB cleanroom system* p% H- r+ B* Y: v9 M! V8 }
A.M.U 原子质量数
6 I9 c6 c* E$ a7 i1 PADI After develop inspection显影后检视 ! n( \+ q8 _% g' z
AEI 蚀科后检查 % Y4 _+ @7 ^% v9 U, g
Alignment 排成一直线,对平 7 B: R) M; B  R# i5 d  ]
Alloy 融合:电压与电流成线性关系,降低接触的阻值
6 U% l4 N: D2 j. N+ ^ARC anti-reflect coating 防反射层
/ p G. x" f+ H. h5 U" Z% z' TASHER: 一种干法刻蚀方式
8 `/ K! y( ]2 M. r1 DASI 光阻去除后检查 0 |' M  @6 ~2 \- K. V( w
Backside 晶片背面   F* L2 Y. @! {: i2 t4 t
Backside Etch 背面蚀刻 8 |! f9 Z) _4 ^4 I6 a. k2 J8 m
Beam-Current 电子束电流
. n7 G0 @( u! J: q2 L6 LBPSG: 含有硼磷的硅玻璃 / | \0 `& u% J" i
Break 中断,stepper机台内中途停止键
" L0 G2 @$ V8 L% k0 B8 o糕点师
Castte 装晶片的晶舟
7 p/ t# m) F- p oCDcritical dimension 关键性尺寸
! V) p, P, ~  F y' Q: _Chamber 反应室 下载音乐歌曲7 P) \: K" i7 l0 C3 O5 T0 u
Chart 图表
, p5 J5 ~+ y  e- [  `0 CChild lot 子批 圆明园十二生肖
# l# h  |; [1 c8 z- ?Chip (die) 晶粒
P- |! p0 {0 I" B$ o) _CMP 化学机械研磨 , U( a" l% g- i0 E1 H* ^
Coater 光阻覆盖(机台)
7 S; y8 |% ~% ~' ACoating 涂布,光阻覆盖
! E+ F' @" B) a5 X( O; \Contact Hole 接触窗 1 r" ^0 \  b/ l
Control Wafer 控片
' [2 B- f# T" S* ^: yCritical layer 重要层
3 ?+ P) `$ ^% ] C0 FCVD 化学气相淀积 # \3 U/ J M7 e) M
Cycle time 生产周期 4 B" l9 M# {* h; Z) I! G
Defect 缺陷 ! e) e) j% b) L Y
DEP: deposit 淀积 - w) i7 q4 x; [( j
Descum 预处理 % u$ j$ I6 Z* J3 g/ j
Developer 显影液;显影(机台)   B8 X2 V* X. l6 H1 G% r
Development 显影
4 b1 O* K9 h; Q [# x5 eDG: dual gate 双门
' X3 q* t  u zDI water 去离子水 5 w/ j8 ^1 F4 R7 q
Diffusion 扩散 @+ W& ~# Q; Q4 J0 j& i' h9 k; |; c
Doping 掺杂 4 j6 `' H" f, k8 R8 o
Do 剂量
# S8 ~ ~5 H8 Q- hDowngrade 降级 0 z2 Z* K, {$ y' d! a
DRC: design rule check 设计规则检查 8 }: W( O* n8 z/ d
Dry Clean 干洗
* E i) F0 ^, A4 r孙悟空图片简笔画Due date 交期
# q( r: Q! ^0 a( s. N+ uDummy wafer 挡片 5 W. W" k2 r. @ K/ r7 O3 @: J
E/R: etch rate 蚀刻速率
5 w: G+ i  |# H
EE 设备工程师
' P: u2 u" t, l z# K$ C& `2 F, W9 q" sEnd Point 蚀刻终点 8 I2 T1 ]; m/ z$ l( x
ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 ( N4 r" e: G$ r+ ~+ T- ~* n) i7 v
ET: etch 蚀刻 0 c8 r! S7 R' ^% ~' l; |/ z
Exhaust 排气(将管路中的空气排除)
+ F, a6 n+ ^( c, i/ j7 zExposure 曝光 / n' O( p7 D( S% F
FAB 工厂
3 [4 p, ?; ?1 t0 \; p) Y! r# qFIB: focud ion beam 聚焦离子束
; s! y# r* _ d9 Q& V# _Field Oxide 场氧化层
) o( D" r) z4 L4 ` mFlatness 平坦度
+ E3 j: [4 @2 B$ z1 JFocus 焦距   c6 x: ~/ P' v* v
Foundry 代工 : K; b5 H% S; {' N( J3 t' P* v
FSG: 含有氟的硅玻璃
% E/ }  X/ C7 \3 B8 t3 gFurnace 炉管 3 E( ?/ b, k6 l, H$ U5 {
GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性 / z5 y$ x X! J- Q& @+ ^
H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片,将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物,称H.M.D.S
/ ?+ N% m9 Q* B$ jHCI: hot carrier injection 热载流子注入 8 J g/ x6 q. Q4 e6 `7 |. y5 w
HDPhigh density plasma 高密度等离子体 ; |% ?# [ {- g
High-Voltage 高压 $ |  u! c9 ~+ e/ X- |$ H. w+ w$ j
Hot bake 烘烤 ! T5 t" V3 d0 a5 t
ID 辨认,鉴定 / @8 ?/ p" Z3 U; e- N- B
Implant 植入 4 ^# n3 c- W5 X$ J0 v! V
Layer 层次
# r" Q6 s! E4 X3 DLDD: lightly doped drain 轻掺杂漏
5 ?: X/ Q# d# E; h) W. ZLocal defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 / r2 P5 L5 T' Q0 a0 h3 d5 ]8 }
LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
  v" i4 P  Z8 }) y* d) [Loop 巡路
$ p8 O- B" v. F  DLot
' L* z: u' u* ?: |# m. j# I1 D
Mask (reticle) 光罩 Z( o1 o' L' ~3 E% d( s
Merge 合并
+ |7 k2 a: x: H9 d8 i" Y: uMetal Via 金属接触窗 $ B2 f3 b" _6 y1 Y! W* M
MFG 制造 ) l" P; P8 c% u0 H2 A% `
Mid-Current 中电流 5 F1 j5 k) N; `1 t' Q1 L1 ?
Module 部门
; `+ W r9 H  j2 O2 k# B: s# `  ONIT: Si3N4 氮化硅 ) b9 [+ F* `6 q0 Y d
Non-critical 非重要
5 C ^  J  L& C. e6 ~2 vNP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
9 j8 j  ^1 s% I  o* ?NW: n-doped well N % A1 t4 E7 M; C" L; w$ g/ ^/ J. T
OD: oxide definition 定义氧化层 8 ?  {$ X0 |4 i4 Y8 D4 t
OM: optic microscope 光学显微镜 5 y5 X! W/ j o
OOC 超出控制界线 ; L2 t: i6 j1 S) v. {7 [
OOS 超出规格界线
7 c/ q/ Z, D- X9 dOver Etch 过蚀刻 * c: a. j( S8 F8 v0 k# k
Over flow 溢出
* @! G2 c$ I9 l! ?6 e% eOverlay 测量前层与本层之间曝光的准确度
' E6 G( C( ]$ x: r9 T, {OX: SiO2 二氧化硅
Q6 q8 H% Z+ i8 u* |P.R. Photo resisit 光阻
; s3 w5 ]5 s) ^* W0 j# ZP1: poly 多晶硅
9 W! l9 K$ ^- j/ ^5 u0 z  sPA; passivation 钝化层
# b' j* b/ a/ b+ z公转方向Parent lot 母批
4 B; z  p4 U5 \Particle 含尘量/微尘粒子 + o F! _; P% w; }0 L0 c
PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1工艺工程师 2、等离子体增强
* w- T  ?: b3 I  g$ o, N; ~PH: photo 黄光或微影 ' A3 Y: u) G6 H# y* I0 X
Pilot 实验的
6 B. g  `, `0 q5 M! TPlasma 电浆
, L% f' z9 u9 g# N* L0 aPod 装晶舟与晶片的盒子 ) {3 l" k, N) E5 j2 u3 k k8 _1 H
Polymer 聚合物 6 b" r6 p; X, }3 n% V
POR Process of record
% F+ c8 A2 F2 n% K0 J
PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂
+ f* v. N0 Q! [# {# _PR: photo resist 光阻
' K/ ?. z1 ^( d4 T  t" fPVD 物理气相淀积
) Y" B0 E2 I! J$ [  q aPW: p-doped well P # K8 g L/ V+ @. Q; s8 t
Queue time 等待时间 : I c: \; `; A4 N$ X# c* a4 w3 o
R/C: runcard 运作卡
  ?! h! c0 f# i* ~) }2 ~Recipe 程式
2 D) X5 |6 n5 x" j% W- ~6 }Relea 放行 7 ?5 {5 d) h% ]. o" K
Resistance 电阻 ( `7 B! d2 q' [
Reticle 光罩
% o( `; U1 j' {, |+ \RF 射频 : P" N) u8 _6 @+ M9 |. @
RM: remove. 消除
# p" V2 b0 p0 b! P* m" v6 DRotation 旋转 7 R' F5 H0 K  P5 D' Y! ?
RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火
$ ~0 K5 U7 h' l1 d" o% nRTP: rapid thermal process 迅速热处理
; B2 G, E. O3 D! ^
SA: salicide 硅化金属 y" [2 {/ B' C5 C' @  c
SAB: salicide block 硅化金属阻止区 $ k% S v0 K9 U9 M( ]
SAC: sacrifice layer 牺牲层 ; }  a  F3 n8 V  f6 C
Scratch 刮伤 6 a# F- g; K8 e; F( Y
Selectivity 选择比
. s5 c4 b3 k1 Q$ R% ?SEM中国所有传统节日scanning electron microscope 扫描式电子显微镜
8 y. a9 T' k5 p! i- A; ^ m3 |Slot 槽位
$ v0 \$ b# X |; p( T6 |Source-Head 离子源 3 k% m5 ^% {' d( z
SPC 制程统计管制
. W, l: k D" W& e* B3 @Spin 旋转
% D; A/ W5 q# q: Y5 r$ ~3 JSpin Dry 旋干
6 ^# w# c. R3 Z# I. i( fSputter 溅射 ) J( c* Y" ?' C. a2 t) C3 l) K
鸦片花SR Si rich oxide 富氧硅
4 A# f3 V7 T" v. G8 {* G5 g/ Q; FStocker 仓储 7 L# e) U) |; Z( E
Stress 内应力 % j- p4 P6 T3 }6 w
STRIP: 一种湿法刻蚀方式
' X' d! V% X4 e; FTEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯,常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。 + s: C) A/ _; n4 Z. o: x4 T
Ti
7 w! C/ ^: f* i9 A+ KTiN 氮化钛
$ u% ?4 p. a2 l9 I! C$ G7 \TM: top metal 顶层金属层 ) [( i* U8 ]) Y7 N$ o: g2 n
TOR Tool of record $ P' w( _* r- c$ x3 I$ B, f" J
Under Etch 蚀刻不足 ' C7 Y) c: l' z) Z  f
USG: undoped 硅玻璃
打陀螺9 M- J. q. p N5 U' TW (Tungsten)
2 n3 `6 b9 Q! d, J! lWEE 周边曝光 P9 U4 d* Z3 ~# r
Yield 良率

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