超薄栅氧化层击穿（TDDB）
前⾯讲过关于TDDB的⼏种模型，今天更详细、深⼊、系统的介绍超薄栅氧化层击穿的相关知识，由于内容较多，也会分⼏次来完成，有兴趣的朋友可以仔细阅读。
按摩膏
gprof下⾯这种图给出了栅氧化层在栅电压下的表现，或是氢释放，或是阳极空⽳注⼊，导致氧化层缺陷，经过缺陷累积，致使介质击穿的过程，并且指出缺陷产⽣率与栅电压的正⽐关系。
栅氧化层击穿分类：硬击穿和软击穿
测试⽅法⽐较简单，我想⼤家都知道怎么测。
应⼒条件：CCS,CVS, PVS，扫描应⼒
祝考试顺利
测量步骤：
CVS: 在恒定的Vg电压下测试，持续⼀定时间，直到Ig击穿（如⼤于1uA）；霸王别姬的故事
CCS：在恒定电流下测试，持续⼀段时间，直到Vg急剧降低，此时栅氧化层击穿。不要惊动爱情
福建南安市氧化层击穿应⼒模式：沟道注⼊，栅注⼊，衬底热载流⼦注⼊
氧化层击穿电学特性
硬击穿，软件穿，漏电三种曲线对⽐：
击穿发⽣时，Drain端电流变⼩，因为电流主要流向了栅。
表征⽅法：威布尔分布累积分布函数
本征击穿：物理过程，空⽳注⼊或者氢注⼊
栅氧化层中存在陷阱缺陷，在应⼒作⽤下，陷阱积累，导致导电通路的出现，缺陷积累到⼀定程度，最后因为热损伤，导致出现硅丝，氧化层穿通。
栅氧化层击穿图⽚
影响击穿的因素：⾯积效应，氧化层厚度，温度
早孕的表现
以上⼏种关系⼤家定性理解就可以了，也⽐较容易理解的。
今天的内容就是这些，有机会⼤家可以拿⾃⼰的测试结构多测些数据对⽐是否有类似效应，当然，没有机会的话也可以直接拿来⽤的，这些结论都是显⽽易见的，有点经验的常识就能理解的。推算预产期的方法
