研学旅行心得体会
ATE 测试及IC 测试原理之IDD 测试
IDD
Gross IDD
它测量的是流⼊VDD 管脚的电流。理论上讲，IDD 测试在器件功能正确且被成功预处理的情况下才能保证测量值的正确性，但是测试的效率性要求 Gross IDD 通常在功能测试之前实施，这种情况下我们不知道器件有没有被正确的预处理，因此 Gross IDD 的边界我们通常放得很宽
测试⽅法：麻辣香锅配菜>功能设计
Ret 器件或者将所有的输⼊管脚设置为固定的状态——低或者⾼，VIL 设 置为 0V，VIH 设置为 VDD；所有的输出管脚与负载断开。正确地并且尽可能简单地预处理相应的功能，使器件进⼊稳定的状态。⼀般，只是对IC进⾏电源的上电处理。IC有⾃带上电复位的功能。接下
来就是测量进⼊器件的整体供电电流了，电流超出界限则表⽰功耗过⼤、器件失效. 。
Static IDD
我的足球梦
静态指器件处于⾮活动状态，IDD 静态电流就是指器件静态时 Drain 到 GND 消耗的漏电流。静态电流的测试⽬的是确保器件低功耗状态下的电流消耗在规格书定义的范围内。 IDD 的定义有很多，其中
包括流过 Drain to Drain （CMOS D 极）的电流；Drain to GND 的电流；Drain 的 leakage 电流等等。普遍认为最符合实际的定义应该根据不同IC 测试时候，会分 sleepout_current sleepin_Current 。以LCD 驱动IC 为例，除上两current 测试，还会额外增加，displayon_current. 不同的IC 电路对应1
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也是测量流⼊ VDD 管脚的总电流，与 Gross IDD 不同的是，它是在运⾏⼀定 的测试向量将器件预处理为已知的状态后进⾏，典型的测试条件是器件进⼊低功耗状态。测试时，器件保持在低功耗装态下，去测量流⼊ VDD 的电流，再将测量值与规格书中定义的 参数对⽐，判断测试通过与否。VIL、VIH、VDD、向量序列和输出负载等条件会影响测试
结果，这些参数必须严格按照规格书的定义去设置。
Dynamic IDD
动态指器件处于活动状态，IDD 动态电流就是指器件活动状态时 Drain 到 GND 消耗的电流。动态电流的测试⽬的是确保器件⼯作状态下的电流消耗在规格书定义的范围内
动态 IDD 也是测量流⼊ VDD 管脚的总电流，通常由 PMU 或 DPS 在器件于最⾼⼯作频率下运⾏⼀段连续的测试向量时实施，测量结果与规格书中定义的参数对⽐，判断测试通过与否。与静态 IDD 测试相似，VIL、VIH、VDD、向量序列和输出负载等条件会影响测试结
果，这些参数必须严格按照规格书的定义去设置。。CP程式 代码实现。// A code block var foo = 'bar';
1作文二年级
2// An highlighted block SEND_LPAT ("pat_lpmipi_11.lpa", LPAT_STA ); 、、、、、、、、、、、、、、 、、、、、、、、、、、、、、 、、、、、 Test_Num (TestNum +3, "VSP_Stand_By_Current"); JudgeVal .MCMP (I_meas [1], 12mA , 1.5mA ); TSTime ("VSP_Stand_By_Current"); Test_Num (TestNum +4, "VSN_Stand_By_Current"); JudgeVal .MCMP (I_meas [2], -1.5mA , -12mA ); TSTime ("VSN_Stand_By_Current"); Test_Num (TestNum +2, "IOVCC_TP_Stand_By_Current"); JudgeVal .MCMP (I_meas [3], 22mA , 10mA ); TSTime ("IOVCC_TP_Stand_By_Current");1
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