中华人民共和国国家计量检定规程
J J G48—2004
硅单晶电阻率标准样片
S t a n d a r dS l i c e o f S i n g l eC r y s t a l S i l i c o nR e s i s t i v i t y
2004-09-21发布2005-03-21实施国家质量监督检验检疫总局发布
硅单晶电阻率标准样片
检定规程
V e r i f i c a t i o nR e g u l a t i o no f S t a n d a r d S l i c e o f S i n g l eC r y s t a l S i l i c o nR e s i s t i v i t
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J J G48 2004代替J J G48 1990
本规程经国家质量监督检验检疫总局于2004年09月21日批准并自2005年03月21日施行㊂
归口单位：全国无线电计量技术委员会
主要起草单位：中国计量科学研究院
参加起草单位：广州半导体材料研究所
本规程委托全国无线电计量技术委员会负责解释
本规程主要起草人:
鲁效明(中国计量科学研究院)参加起草人:
谢鸿波(广州半导体材料研究所)
目 录
1 范围(1)……………………………………………………………………………………
2 概述(1)……………………………………………………………………………………
3 计量性能要求(1)…………………………………………………………………………3.1 标准样片的电阻率的测量范围(1)……………………………………………………3.2 标准样片的标称值(1)…………………………………………………………………3.3 标准样片应具备的参数及性能要求(1)………………………………………………
4 通用技术要求(2)…………………………………………………………………………
5 计量器具控制(3)…………………………………………………………………………5.1 检定条件(3)……………………………………………………………………………5.2 检定项目及检定方法(5)………………………………………………………………5.3 检定结果的处理(7)……………………………………………………………………5.4 检定周期(8)……………………………………………………………………………附录A 硅单晶电阻率标准样片温度修正系数表(9)……………………………………附录B 硅单晶电阻率标准样片的清洗方法(10)…………………………………………附录C 硅单晶电阻率标准样片检定原始记录(11)………………………………………附录D 硅单晶电阻率标准样片检定证书及检定结果通知书内页
格式(12)……………附录E 硅单晶电阻率标准样片检定结果的计算与处理(13)……………………………附录F 计算硅单晶电阻率标准样片的各种修正系数表(15)……………………………附录G 不同直径的硅单晶电阻率标准样片距边缘6mm 处的修正系数表(F e g )(16)…
硅单晶电阻率标准样片检定规程
1范围
本规程适用于硅单晶电阻率标准样片的首次检定㊁后续检定和使用中的检验㊂
2概述
硅单晶电阻率标准样片(以下简称标准样片)是用高纯多晶硅，经过单晶制备，再经中子嬗变掺杂等多种工艺制造的，具有一定几何尺寸的实物标准㊂由不确定度已知的标准装置，对该实物标准的电阻率及其它指标给予标定，使用时以标准样片为准，对相关参数进行量值传递㊂
3计量性能要求
3.1标准样片的电阻率的测量范围
电阻率的测量范围0.005Ω㊃c m~5000Ω㊃c m㊂
3.2标准样片的标称值
标准样片的标称值应符合下述19个规格中的一个，见表1:
表1标准样片的标称值Ω㊃c m
电阻率标称值
0.0050.010.020.050.10.20.5125 102575180250500100020005000
3.3标准样片应具备的参数及性能要求
3.3.1标准样片，除具有电阻率标称值和实际值外，还应有下列参数或数据：导电类型㊁掺杂元素㊁直径值㊁厚度值和使用要求㊂
3.3.2对不同级别的标准样片，各项指标的要求见表2㊂
表2标准样片的各项指标
样片级别
合格指标
国家级标准样片一级标准样片二级标准样片项目
直径(40~75)ʃ1%mm(40~75)ʃ1%mm(25~100)ʃ2%mm
厚度Wɤ1.0mm Wɤ1.0mm Wɤ1.0mm 标称值偏差0.01Ω㊃c m~500Ω㊃c mʃ5%ʃ10%ʃ15%中心点电阻率重复性(2σ)0.3%0.4%0.8%
径向电阻率不均匀度ɤ3%ɤ4%ɤ8%
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