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マニュアル 手动
プローバー 探针
セミオート 半自动
テスター 测试仪
diff
PAD OX 8h/150 0.9
WELL Drive in 45min/150 0.9
AMOR-SI DEP 9h/150 0.75
SIN 8h/150 0.75
field ox 8h/150 0.9
SAC OX 8h/150 0.9
anneal after imp 8h/150 0.9
gate ox 8h/150 0.9
poly DEP 9h/150 0.75
undope teos dep 7h/150 0.85
poly imp anneal 8h/150 0.9
sog cure 7h/150 0.9
psg density 8h/150 0.9
sinter 8h/150 0.8
--------------------
imp
IMED 0.5/25 0.75
HIC 0.8/25 0.7
--------------------
PHOTO
COATER 0.7/25 0.85
STEPPER 0.625/25 0.8
DEVELOPMENT 0.75/25 0.7
--------------------
RTP 1/25 0.9
TI/TIN/AL 1.525/25 0.65
-
-------------------
cvd 1.5/25 0.8
倒阱，用高能离子注入将杂质打入阱底部，这种阱不像常规的阱表面浓度最高，阱底部浓度最低，而是正相反，所以叫做倒阱。
面的浓度很大，那么电子或电洞到了基极以后，高浓深井可以有效的增加复合，就不想到集极去了，降低bipolar的放大系数，使没有backbias偏置的晶体管免于latch-up。
罪魁祸首是氮化硅厚度。
117nm的厚度就是容易有驻波效应和Footing
改用了150nm就没有问题了。 soft bake 90 PEB110 Hardbake 110
"recipe中先是在 N2 + 1%O2 @900度中 进行60分钟，然后再在O2下升温到推入的温度。" 是为了结表面平滑，防止局部击穿点
1. 偏磷酸是POCL3在出炉时遇到空气形成，在炉口区域会形成高浓度区，严重的会出现雾状，污染
表面. 以前在建立这个工艺时, 我把内管给撤消了, 外管直径缩小 .这样加强了控温的直接性，也减少了POCL3在管壁间的残留.
温度是非常非常主要的, 扩散核心.
至于您谈到的 7~8片连续产品超标, 请测量48点以上MAP图，如果MAP是旋涡状，是您的POCL3气流不对, 如果MAP是其它形状，请查一下基区注入状态和基区扩散状态.
NV-GSD 原来的eaton公司的 设备 现在被 axelis收购拉
nv是伊顿公司的设备序列 gsd是一个系列的设备名称 分
GSD 200 200e EE
还有 GSDIII/LED GSD-HC3
LPTEOS应该主要用在spacer oxide。。APTEOS 现在好像都用O3作为反应气体吧，用SACVD生长。经常掺杂B，P，作为ILD层的介电层。PETEOS主要用在IMD和passivation。楼上讲用CONCEPT ONE，这机台没有见过，现在都用CONCEPT two。或者Applied 的Producer。PETEOS主要就是作为在metal之间的绝缘层，gap-fill能力不是很强。
LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
SiH4(g) + O2(g) → SiO2(s) + 2H2(g) (380 - 450 C)
TEOS + O3 --> SiO2
=> Si(OC2 H5)4(l)→SiO2(s) + 4C2H4(g)+ 2H2O(g) (350 - 450 C)
APCVD ( Atmospheric Pressure CVD) & SACVD (Sub-Atmospheric CVD)
SiH4 + O2 --> SiO2 ,380 - 450 C
TEOS + O3 --> SiO2 , 450 - 550 C
TEOS + O3 + P-source (TEPO) + B-source(TMB) --> SiO2 + P2O5 + B2O3;
PECVD (PLASMA Enhanced CVD)
SiH4 + N2O --> SiO2 , 300 - 450 C
=> SiH4(g) + 2N2O(g) → SiO2(s) + 2H2(g) +2N2(g)
SiH4 + NH3 +N2O --> SiON , 300 - 450 C
TEOS + O2 --> SiO2 , 350 - 450 C
HDP CVD ( High Density Plasma CVD)
SiH4 + O2 + Ar --> SiO2, 350 - 450 C
=> SiH4(g) + O2(g)+ Ar → SiO2(s) + 2H2(g)+ Ar
SiH4 + SiF4 + O2 +Ar --> FSG, 350 - 450 C
PSG : (a) SiH4(g) + 4PH3(g) + 6O2(g) → SiO2(s) +2P2 O5(g) + 2H2(g)
(b) Si(OC2 H5)4(l)→ SiO2(s) + 4C2H4(g)+ 2H2O(g)
BPSG :
SiH4(g) + O2(g) → SiO2(s) + 2H2(g)
--------------------
1. Undoped Oxide:USG application.
a. APCVD
Vendor" WJ and Canon
chemistry: O3/TEOS
Temperature: 4xxC
application: Spacer, IMD and barrier layer of BPSG
If optimizing process, the step coverage: flow-like
b.SACVD:
Vendor: AMAT
Chemistry: O3/TEOS1 p! q- L" a8 z/ K5 F8 }. u( g
Temperature: 4xxC
Pressure: ~400toor( also w/ ~3X torr for special application)
Main Application: IMD
side issue: pattern nsitivity.
c. LPTEOS
vendor: almost all furnace vendor
Chemistry: O2/TEOS w/ thermal formation
Pressure: forget
Temperature: 7xx~8xx.
Step coverage: conformal
Application: Spacer, barrier of BPSG.( main stream)
d. PECVD:
Vendor: AMAT, NVLS
Chemistry: O2/TEOS with RF power1
Pressure: <1x torr range
Step coverage: conformal/ E/
Application: IMD, passivation.
Doped Oxide: BPSG!
a,APCVD: WJ, Canon
or 8" era, they were almost gone( maybe some 1st generation 8" fab have some there.
SACVD:
AMAT
All there vendors: step coverage: more flow-like than SiH4 Bad Chemistry for as dep, and anneal.
b. PE BPTEOS
as I know, it also was gone.4 K# \7 R3 A;
3. ILD application
a. SABP CVD
b. HDP PSG
scrubber 尾气处理器
cubic meter Peter Hour, 立方公尺/时(M3/H)
MEP为以下三个字的简写，广义的解释为一般厂房或建筑物所需的水电空调工程，或是说机电工程。
M=mechan
ical(机械工程：含空调，消防等工程)
E=electric(电气工程：含高低压电，弱电，消防电，门禁工程)
P=plumbing(给水，排水工程)
VMB:Valve Manifold Box（阀箱，一般有调压等措施）
VMP:Valve Manifold Panel（阀盘，一般有调压等措施）
下面两个是我估计的，不一定正确，因为每个地方起的名字不一定完全一样，中文名称无所谓的，一般不说
VDB:Valve Dispen Box（阀箱，一般无调压等措施）
FVDP:Valve Dispen Box（阀盘，一般无调压等措施）
TMOP (Trimethylphosphate) 有機物三甲基氧磷
TEB (Triethyloxyborine) 三乙基硼
horizontal
肯定要先通O2，我还没听说过先通HCL的，具体比例要根据工艺不同做不同的选择和调整.这里给一个参考比例,O2:HCL=8SL :300SCCM .总之,O2要过量，通HCL之前和之后要通O2吹扫.
现在一般用湿氧+HCL ，单O2+HCL 用的不多.....
HCL的影响我最近也在找资料看，通入HCL主要是钝化氧化时一些容易形成mobile charge的杂质离子的，同时cl也会提高氧化的速率，另外在trench的热氧化rounding corner制程中，有cl的掺杂rounding的效果会比较好，同时能调节由于晶向的不同造成的氧化速率不同.但CL在低氧状态下会对Si造成各向异性蚀刻，有可能会形成pin hole defect，所以通与不通需要综合考虑清楚了.
湿氧5寸片用H2:O2=9:6就好了
氧化薄层的快速氮化(RTN) 晶片微缺陷与热施主消除 自对准难熔金属硅化物形成
一般fab会定义tube clean cycle,clean tube时会用DHF进行clean及用DI冲洗，烘干装管,run 货前会用含Cl的如TLC,HCL进行purge，且在使用过程中也会定期做这样的purge，炉管的清洗是分材质的，不同材质的炉管清洗的方法不同，所用的清洗液也不同.另在炉管里通HCL的目的也是起到清洗炉管的作用，只不过这种清洗为适时的动态清洗.如果在硅片扩散的同时通HCL，还能起到吸杂的作用.如果你已将炉管清洗可不别通HCL吹扫，除非你想在扩散时能起吸杂作用.定期安排HCL/DCE吹扫炉管；一般为一周左右
洗完炉管后，先烘干，在做密闭性，在用三氯乙烯处理炉管（2小时吹ccl3h+4个小时的氮气和低氧），然后做调试片！！！
有助于祛除tube内的金属离子
SiC tube 用HF+NHO3 clean + TCA purge
1.Drive in 相当于促进参杂原子在基体中扩散，目前由于imp可以精确的控制参杂的深度，现在在哪些工艺和产品还需要用这个工艺，
IMP可以将杂质打到Si表面并有一定的深度，但是深度有限，需要用Drive in进一步推进形成阱.有些工艺的推阱甚至要在高温推2天才能达到所要的深度.
2.炉管中的anneal和RTA的应用区别在哪里？)
是缓慢升温，但因为一炉可以放200多片(卧式)，因此产量高;RTA快速升温，产量不如炉管，而且温度不好控制，电极形成后，下面会有一次退火
，同时电极材料形成硅化物，称为anneal，后面的为了得到更稳定的电极材料，需要再一次的热处理，成为alloy，是不是这样呢？
应该说Anneal的目的是为了激活杂质，而Alloy的目的在于让金属与硅之间形成金属间化合物，形成欧姆接触，降低电阻
HTO 在约900℃下氧化物LPCVD（低压CVD）形成。
反应式：
iH2Cl2 + 2N2O → SIO2 + 2N2 + 2HCl HTO薄膜的优点是薄膜质量高（相似于TOX），同时均匀性极好。缺点是高的淀积温度可能造成下层薄膜出问题及衬底掺杂区杂质扩散。通常，HTO常用作第一层绝缘材料（接触孔蚀刻）或spacers蚀刻。 蚀刻速率略大于TOX。
LTO 随着在约400℃下，APCVD（常压CVD）工艺而形成。
SiH4 + O2 → SIO2 + 2H2 LTO薄膜用于金属间绝缘介质，钝化层，或者作为侧墙层（以前）。通常LTO用作衬底/栅多晶层和掺杂绝缘层（如BPSG）之间的过渡层。
LTO的缺点是：薄膜在没有致密化步骤的情况下质量较差，薄膜保型性好，因此不宜用于平坦化。 由于LTO是在低温下淀积的，薄膜性质通常不是很紧密，对针孔也很敏感，这就需要一个淀积后的高温致密工序（~900℃）。 在700℃左右LPCVD工艺。 有很强的保型性（甚至好于LTO），用于spacers和金属间绝缘介质。同样在平坦化中伴随SOG薄膜一起使用。 蚀刻速率略大于TOX。
Metal organic CVD system有机金属CVD系统有机金属CVD装置/MOCVD装置 系指利用有机金属化合物的热分解反应，来制作化合物半导体膜的CVD装置。与经由汽相磊生成法，所生长化合物半导体单
结晶的MOVPE装置，虽有所分但装置构成上有很多类同点。（MO CVD)
