晶体中电子的能带理论
晶体中电子的能带理论
1. 价电子的共有化模型
设想物体由大量相同原子组成。这些原子在空间的排列与实际晶体排列相
同,但原子间距很大,使每一原子可看成自由原子,这时孤立原子中的电子组态
及相应能级都是相同的,成为简并能级。
简化模型
现设想原子间距按一定比例逐步减少,使整个原子体系过渡为实际晶体。每
一原子中电子特别是外层电子(价电子)除受本身原子的势场作用外,还受到相
邻原子的势场作用。其结果这些电子不再局限于某一原子而可以从一个原子转移
到相邻的原子中去,可以在整个晶体中运动,这就是所谓价电子的共有化。
布洛赫()定理:
周期势场中运动的电子其势能函数应满足周期性条件:
U(x)=U(x+nl)
其中:l为晶格常数(相邻格点的间距)n为任意整数电子满足定态薛定谔
方程为:
布洛赫证明:定态波函数一定具有下列特征:
布洛赫定理说在周期场中运动的电子波函数(x)为自由电子波函数与具有
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晶体中电子的能带理论
晶体结构周期的函数u(x)的乘巴比伦文明 积,具有这种形式的波函数称为布洛赫新生儿破伤风 函数或称为
布洛赫波。
克龙尼克—潘尼模型(Kronig-Penney Model)
考虑一粒子处在一维周期性方势阱中的运动骑驴看账本
在0 12 +b 在势阱内:其中则 在势垒内:其中则 安徒生是哪个国家的
由布洛赫定理: 且有: 再结合波函数的单值有限连续可得: 由于-1<coskl<1对等式左侧的kk(或E)附加了限制。 12 令: 超越方程为:f(E)=coskl K的变化使E变化,有的E可能使| f(E)|>1粒子不 可能取这样的能量——禁带。 特例退休政策
:对自由电子:k1=k2=k则: 要量子化。 根据以上讨论,显然有在金属中 2. 固体能带 2 晶体中电子的能带理论 在晶体中,原来的简并能级即自由原子中的能级分裂为许多和原来能级很接 近的能级,形成能带。 理论计算表明,原先自由原子中电子的s能级分裂为和原来能级很接近N个 能级,形成一个能带,称为s能带。其中N为组成晶体的原子数。 例:N=6 (晶体由6个原子组成) 结论: ① 分裂的新能级在一定能量范围内,一般不超过10eV数量级,而晶体原 2 子数目N极大。所以分裂而成的新能级形成一个连续分布的能量带,称 能带,也称容许带。 ② 在相邻的容许带之间可能出现不容许能级存在的能隙,称为禁带。 ③ 自由原子中电子能级越高,对应能带越宽。 ④ P能级由于是3度简并,要分裂为3N个新能级,形成一个能带,称为p 能带。 3 晶体中电子的能带理论 实例 钠晶体(3s电子是钠原子的价电子)金刚石能带结构 2s,2p电子是 碳原子的四个 价电子,禁带 宽度5.2eV。混 合能带:上下 两能带,每个 能带包含2N 个能级。 导体、绝缘体和半导体 1.晶体中的电子所占据的能级,也服从泡利不相容原理和能量最小原理, 从最低能级到高能级依次占据能带中的各个能级。 2.在一个能带中所有能级都已被电子所占据,这个能带称为满带。满带中 的电子不会导电。 3.在一个能带中,部分能级被电子所占据。这种能带中的电子具有导电性, 称为导带 4.当一个能带没有一个电子占据(在原子未被激发的正常态下),这种能带 称为空带。空带中一旦存在电子就具有导电性质,所以空带也称导带。 导体能带分布图 4 晶体中电子的能带理论 绝缘体能带分布 半导体能带分布 硅: 1.满带中跑掉一部电子而在相应能级上留下一些空位,叫做空穴。导带中 电子参与导电,称为电子导电。满带中存在空穴而产生的导电性,称为空穴导电。 2.本征半导小学心理健康教案
体中,在外电场作用下,既有导带中的电子导电,又有满带中 的空穴导电,这种混合导电波尔津吉斯身高
机构,叫做本征导电。空穴和电子为本征载流子。 3.n型半导体:硅晶体中掺入少量五价元素砷原子。砷原子称为施主。 这种杂质半导体主要靠施主能级激发到导带中去的电子来导电,故称为电子 型半导体,称为n型半导体。 3.P型半导体:硅晶体中掺入少量三价硼(或镓)原子。硼原子称为受主。 这种杂质半导体的导电机构主要取决于满带空穴运动,故称空穴半导体,称 为p型半导体。 5 晶体中电子的能带理论 5钓鲶鱼技巧
.p-n结 由于p区和n区的两种载流子浓度不相等。n区电子向p区扩散,p区的空 穴向n区扩散,结果在交界处积累电荷,形成电偶极层,称p-n结。 p-n结的整流作用 (a)图:当p-n结加正向电压 势垒高度降为。这样载流子就容易通过p-n结,形成正向电流。 时,则外电场方向与阻挡层电场方向相反, (b)图:当p-n结加反向电压,p-n结势垒高度增大,产生阻挡载流子运 动效果。 上述p-n结所产生的单向导电机理,称为整流。 6蒙多符文
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