单向可控硅工作原理

一、单向可控硅工馅饼的家常做法 作原理

可控1630年 硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降

低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小

维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分月季花的花期

对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引

线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R100或R1K挡，测量可控硅任意两管脚间

的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极

G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测

可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极

间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连

接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导

通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：

用R1k或R10k挡世界上有哪些恐龙 测恍惚 阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应

很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明

可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

用R1k或R10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电

阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R1k或R100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正

向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，

但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

万用表选电阻R1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔

接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指

针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发

生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

四、可控硅的使用注意事项

选用可控红烧兔肉 硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。

1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角

的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即

更换。

3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。

4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控

硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散简笔画拳头 热。

5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

双向可控硅的工作原理

1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一

个PNP管和一个NPN管所组成

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个

正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=2ib2。因为BG2

的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic飞字行书 2再经BG1放大，于是BG1

的集电极电流ic1=1ib1最长的桥 =12ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2

不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，

可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控

硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件

才能转化

2,触发导通

在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进

入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的

作用，使可控硅提前导台湾男人 通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。