MOS反相器简介及其特性

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MOS反相器简介及其特性

【孜然羊肉的家常做法 摘要】本文主要介绍 MOS反相器的一些基本知识，以及一些特性的分析

过程。同时还有反相器的一些应用。

【关长沙哪里好玩 键词】MOS反相;反相器应用

【简介】反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在摸拟

电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中,经常要用到反相器。

主要介绍了关于MOS晶体管和反相器的相关知识，了解一些基本的分类和工作

原理。

一、 MOS 晶体管

MOS:金属─氧化物─半导体（Metal-Oxide-miconductor)

MOS晶体管是MOS逻辑门的基本构成部分；

MOS：1、源极S、漏极D、栅极G；

2、是电压控制器件；

3、栅极电压控制漏源电流。

按工作特性分：增强型、耗尽型 ；

按沟道类型分：P沟道、N沟道组合：

1、N沟道增强型；

2、N沟道耗尽型；

3、P沟道增强型；

4、P沟道耗尽型。

二 、MOS反相器

反相器是最基本的逻辑单元。MOS管构成反相器有四种类型：

1、负阻负载MOS电路

输入器件──增强型MOS管 负载──电阻

该电路在集成电路中很少用，在分离元件电路中乳头美白 常用。

2、E/E MOS反相器：（Enhancement/Enhancement MOS）

输入器件──增强型MOS管 负载──增强型MOS管

3、E/D MOS反相器：（Enhancement/Depletion MOS）

输入器件──增强型MOS管 负载──耗尽型MOS管

4、CMOS反相器（Complementary MOS）

E/E MOS和E/D MOS均采用同一沟道的MOS管；

CMOS则采用不同沟道的MO亮剑观后感 S管构成反相器。 输入器件──

增强型PMOS或增强型NMOS 负载──增强教师节短信息 型NMOS或增强型PMOS

例如：（1）E/E MOS反相

1、V=0时：输出管截止，输出特性与负载特性曲线相如何做鱼 交尝试的英语 于A点，

I

V=V=V-V

OOHDDGSthNL

（）

2、V=V时：输出管导通，交点于B点

IDD

当g>>g时，V=0

momLOL

（2）E/D MOS反相器及逻辑门电路

三、CMOS反相器

CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串

联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。

两个MO鱼下巴 S管的开启电压V<0， V>0，通常为了保证正常工作，要求

thPthN

V>|V|+V。

DD(thPthN

若输入v为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近

I

V。

DD

若输入v为高电平(如V)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近

IDD

0V

四、MOS反相器的应用

将MOS反相器与和、差式模拟乘法器结合起来，就可将此乘法器适用于任

何形式的输入信号了，不再要求至少一路输入为平衡差分信号电脑板 了。电路框图如图

7所示。将此乘法器应用于两路单端输入信号，使用SPICE模拟得到的输出特性

曲线如图9所示。差式模拟乘法器结合起来，就可将此乘法器适用。

五、结论

本文介绍了MOS晶体管，MOS反相器和CMOS反相器的一些基本知识。

本文提出了一种电路结构简单，性能优良的MOS型反相器，在输人士3.6V范

围内，满度误差小于士0.48%。本文给出了它的一种应用，作为MOS系统中的

一种特殊电路单元，它在其它方面还会大有用途的。

参考文献

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【2】召下牟舟，秦世才，贾香莺.半导体杂志，1994，19(2):19~23

【3】西北电讯工程学院201教研室.脉冲电路，北京:国防工业出版社，1979:188.

【4】郑爱林.天津大学硕士学位论文，1993年，天津大学研究生院.

【5】民才等.半导体学报，1991，12(10):637