PTC生产工艺

更新时间:2023-07-09 10:07:51 阅读: 评论:0

PTC热敏电阻生产线工艺流程
一.PTC正温度系数热敏材料的分类、原理及主要应用
PTC是Positive Temperature Coefficient的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件,是热敏电阻的一种,正温度系数热敏电阻其电阻值随着PTC热敏电阻通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻,简称PTC热敏电阻。PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。
PTC的工作原理 PTC热敏电阻(正温度系数热敏电阻)是一种具温度敏感性的半导体电阻,一旦超过一定的温度(居里温度) 时,它的电阻值随着温度的升高几乎是呈阶跃式的增高.PTC热敏电阻本体温度的变化可以由流过PTC热敏电阻的电流来获得,也可以由外界输入热量或者这二者的叠加来获得. 陶瓷材料通常用作高电阻的优良绝缘体,而陶瓷PTC热敏电阻是以钛酸钡为基, 掺杂其它的多晶陶瓷材料制造的,具有较低的电阻及半导特性.通过有目的的掺杂一种化学价较高的材料作为晶体的点阵元来达到的:在晶格中钡离子或钛酸盐离子的一部分被较高价的离子所替代,因而得到了一定数量产生导电性的自由电子.  PTC热敏电阻(正温度系数热敏电
阻)是一种具温度敏感性的半导体电阻,一旦超过一定的温度(居里温度) 时,它的电阻值随着温度的升高几乎是呈阶跃式的增高.PTC热敏电阻本体温度的变化可以由流过PTC热敏电阻的电流来获得,也可以由外界输入热量或者这二者的叠加来获得. 陶瓷材料通常用作高电阻的优良绝缘体,而陶瓷PTC热敏电阻是以钛酸钡为基, 掺杂其它的多晶陶瓷材料制造的,具有较低的电阻及半导特性.通过有目的的掺杂一种化学价较高的材料作为晶体的点阵元来达到的:在晶格中钡离子或钛酸盐离子的一部分被较高价的离子所替代,因而得到了一定数量产生导电性的自由电子. PTC(Positive Temperature Coeff1Cient)是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料,可专门用作恒定温度传感器.该材料是以BaTiO3或 SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体,其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化,常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导(体)瓷;同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物,采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化,从而得到正特性的PTC热敏电阻材料.其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件(尤其是冷却温度)不同而变化.
PTC特点:1.灵敏度较高,其电阻温度系数要比金属大10~100倍以上,能检测出10-6
幻想的近义词
的温度变化;
2.工作温度范围宽,常温器件适用于- 55~315,高温器件适用温度高于315(目前最高温度可达到2000),低温器件适用于温度现在中国有多少人口-273~55
3.体积小,能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度;
4.使用方便,电阻值可在0.1~100kΩ间任意选择;
5.易加工成复杂的形状,可大批量生产;
6.稳定性好、过载能力强.
PTC研究现状和应用:BaTiO3裤子上油渍怎么去除施主掺杂正温度系数电阻陶瓷材料是一种铁电体半导体材料,是近年来发展迅速的新型电子材料之一。由于PTCR陶瓷具有温敏、直控、节能、无明火和安全等优点,已经广泛应用于电子通讯、航空航天、汽车工业、家用电器等各个领域。然而,它在低压领域的使用却近于空白,多为Polyswitch所垄断。低阻PTCR陶瓷包括有机PTCR材料、(V/Cr)2O3和BaTiO3基陶瓷材料三大类,后者的电阻率虽然不及前两种
低,但是其成批生产性、稳定性、成本以及应用方面均有很大的优势,因而目前普及和实用的仍然以BaTiO3基陶瓷材料为主流。
谈恋爱检讨当前,BaTiO3基PTC材料的研究正向低阻化、片式化、层叠化、高可靠方向发展。其材料研究势必在尽可能降低室温电阻率的同时,保证材料的耐电压和升阻比尽可能高,从而满足实用化要求。
二.PTC热敏电阻原料及配方选择
关于正温度系数(PTC)热敏电阻器应用很广泛,实践表明,正温度系数(PTC)热敏电阻瓷料得组成敏感性和工艺敏感是很突出的。原料、配方和工艺条件的微小变化都会给产品的性能带来严重的影响,批量生产中的经常出现的产品性能指标的分散性大、再现性差的问题,也往往都是与这类瓷料的组成敏感性和工艺敏感性有关。
1.原料和配方的选择依据
钛酸钡基半导体陶瓷是制备正温度系数热敏电阻的基本材料。在生PTC时除了碳酸钡和二氧化钛这两种原料外,还经常采用添加多种添加物来改善PTC的性能。
处于钛酸钡中Ti4+ 位置的施主离子有Nb5+、W6+、Ta5+等,处于Ba2+位置的有La2+、Ce4+、Y3+等稀土离子以及Bi3+、Sb3+等。一般来说,以化学共沉积法引入的促使钛酸钡基瓷料实现半导化的施主加入无的数量只有氧化物混合物法引入量的20~25%。通常施主加入物的加入量被限制在一个很狭窄的范围之内,即钛酸钡基陶瓷半导化对施主掺杂量是极为敏感的。
Sn4+、Sr2+和Pb2+紫薯和红薯的区别是主要的钛酸钡基陶瓷的移峰加入物,Sn4+和Sr2+是正温度系数的热敏电阻的起跳温度移向低温,是低温用正温度系数热敏电阻的常用移峰加入物,Pb2+排骨玉米冬瓜汤使起跳温度移向高温,是高温用正温度系数热敏电阻常用加入物。
铁、锰、铬、铜、钾、钠、镁等在钛酸钡半导化陶瓷中均为受主杂质,对半导化有毒害作用,原料和瓷料中的这类杂质含量必须限定在一定的范围内。
2.配方选择
本工艺选择配料如下:
键盘开机
【(Ba1-xSrxTi1.01O3+0.11%(mol)Nb2O5+0.04%(mol)MnO2学生会主席职责+0.06%(mol)Sb2O3+0.5%(mol)SiO2+0.167%(mol)Al2O3+0.1%(mol)Li2CO3;
以上配方是使电阻率起跳温度(即居里点Tc移向低温的配方。
上述配方由于加入了二氧化硅和三氧化二铝,且配方中TiO2过量,一般采用工业纯的合宜原料在空气中烧成即可制备出半导体性能良好的正温度系数热敏电阻陶瓷。故上述配方均适用于工业生产。另外Mg2+对TiO2和碳酸钡的半导化具有强烈的抑制作用,但有的工业生产中在TiO2中有时会人为的引入Mg2+,以提高其抗还原性能,所以在工业生产中钛酸钡基半导体陶瓷中Mg2+的量要严格控制,其含量一般在0.05%(mol以内。
由于在现代应用中研制性能优良的高温PTC热敏电阻材料具有重要意义,因为其直接影响到PTC的应用范围。故本次工艺设计选择第③组配方来作为设计研究对象。

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