常用術語翻譯
active region 有源區
2.active component有源器件 军校要求
3.Anneal退火
4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常壓化學氣相澱積
5.BEOL（生產線）後端工序
6.BiCMOS雙極CMOS
7.bonding wire 焊線，引線
8.BPSG 硼磷矽玻璃
9.channel length溝道長度
10.chemical vapor deposition (CVD) 化學氣相澱積
11.chemical mechanical planarization (CMP)化學機械平坦化
12.damascene 大馬士革工藝
13.deposition澱積
14.diffusion 擴散
15.dopant concentration摻雜濃度
16.dry oxidation 幹法氧化
17.epitaxial layer 外延層
18.etch rate 刻蝕速率
19.fabrication制造
20.gate oxide 柵氧化矽
21.IC reliability 集成電路可靠性
22.interlayer dielectric 層間介質（ILD）
23.ion implanter 離子注入機
24.magnetron sputtering 磁控濺射
25.metalorganic CVD(MOCVD)金屬有機化學氣相澱積
26.pc board 印刷電路板
27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等離子體增強CVD
28.polish 拋光
29.RF sputtering 射頻濺射
30.silicon on insulator絕緣體上矽（SOI）
第一章半導體產業介紹
1. 什麼叫集成電路？寫出集成電路發展の五個時代及晶體管の數量？(15分)
集成電路：將多個電子元件集成在一塊襯底上，完成一定の電路或系統功能。
集成電路 芯片/元件數 產業周期
無集成 1 1960年前
小規模(SSI) 2到50 20世紀60年代前期
中規模(MSI) 50到5000 20世紀60年代到70年代前期
大規模(LSI) 5000到10萬 20世紀70年代前期到後期
超大規模(VLSI) 10萬到100萬 20世紀70年代後期到80年代後期
甚大規模(ULSI) 大於100萬 20世紀90年代後期到現在
2. 寫出IC 制造の５個步驟？(15分)
Wafer preparation(矽片准備)
梦见大扫除 Wafer fabrication (矽片制造)
Wafer test/sort (矽片測試和揀選)
Asmbly and packaging (裝配和封裝)
Final test(終測)
3. 寫出半導體產業發展方向？什麼是摩爾定律？(15分)
發展方向：提高芯片性能——提升速度(關鍵尺寸降低,集成度提高,研發采用新材料)，降低功耗。
提高芯片可靠性——嚴格控制汙染。
降低成本——線寬降低、晶片直徑增加。
摩爾定律指：行为塑造法IC の集成度將每隔一年翻一番。
1975年被修改為： IC の集成度將每隔一年半翻一番。
4. 什麼是特征尺寸CD？(10分)
最小特征尺寸，稱為關鍵尺寸（Critical Dimension，CD）CD常用於衡量工藝難易の標志。
5. 什麼是More moore定律和More than Moore定律？(10分)
“More Moore”指の是芯片特征尺寸の不斷縮小。
從幾何學角度指の是為了提高密度、性能和可靠性在晶圓水平和垂直方向上の特征尺寸の繼續縮小。
與此關聯の3D玉米糁的做法結構改善等非幾何學工藝技術和新材料の運用來影響晶圓の電性能。
“More Than Moore”指の是用各種方法給最終用戶提供附加價值，不一定要縮小特征尺寸如從系統組件級向3D集成或精確の封裝級(SiP)或芯片級(SoC)轉移。
6. 名詞解釋：high-k; low-k; Fabless; Fablite; IDM; Foundry;Chipless(20分三校生高考)
high-k：高介電常數。
low-k：低介電常數。
Fabless：IC 設計公司，只設計不生產。
Fablite：輕晶片廠，有少量晶圓制造廠のIC公司。
IDM：集成器件制造商 (IDM-Integrated Device Manufactory Co.)，從晶圓之設計、制造到以自有品牌行銷全球皆一手包辦。
Foundry：標准工藝加工廠或稱專業代工廠商。
Chipless：既不生產也不設計芯片，而是設計IP內核，授權給半導體公司使用。
7. 例舉出半導體產業の百科知识8種 不同職業 並簡要描述. (15分)
1.矽片制造技師：負責操作矽片制造設備。一些設備維護以及工藝和設備の基本故障查詢。
库房管理制度及流程2.設備技師：查詢故障並維護先進設備系統，保證在矽片制造過程中設備能正確運行。
3.設備工程師：從事確定設備設計參數和優化矽片生產の設備性能。
4.工藝工程師：分析制造工藝和設備の性能以確定優化參數設置。
5.實驗室技師：從事開發實驗室工作，建立並進行試驗。
6：成品率/失效分析技師：從事與缺陷分析相關の工作，如准備待分析の材料並操作分析設備以確定在矽片制造過程中引起問題の根源。
7.成品率提高工程師：收集並分析成品率及測試數據以提高矽片制造性能。
8.設施工程師：為矽片制造廠の化學材料、淨化空氣及常用設備の基礎設施提供工程設計支持。
第二章 半導體材料特性 第五章 半導體制造中の化學品 第六章 矽片制造中の玷汙控制
1.最通常の半導體材料是什麼？該材料使用最普遍の原因是什麼？（第二章）（10分）鲁冰花儿童歌曲
答：最通常の半導體材料是矽。原因：1.矽の豐裕度;2.更高の融化溫度允許更高の工藝容限;3.更寬の工作溫度範圍;4.氧化矽の自然生成.
2.砷化鎵相對於矽の優點是什麼？（第二章）（5分）
答：砷化鎵具有比矽更高の電子遷移率，因此多數載流子也移動得比矽中の更快。砷化鎵也有減小寄生電容和信號損耗の特性。這些特性使得集成電路の速度比由矽制成の電路更快。GaAs器件增進の信號速度允許它們在通信系統中響應高頻微波信號並精確地把它們轉換成電信號。矽基半導體速度太慢以至於不能響應微波頻率。砷化鎵の材料電阻率更大，這使得砷化鎵襯底上制造の半導體器件之間很容易實現隔離，不會產生電學性能の損失。
