专利名称：Hybrid high-k first and high K last
乾隆儿子displacement gate process
心宽体胖
发明人：新実 寛明,マノイ メホートラ,マハリンガム ナンダクマール基因检测的作用与意义
申请号：JP2016543602
跳槽的原因申请日：20141229
公开号：JP6731344B2
公开日：
春节作文500字
20200729
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：An integrated circuit includes a metal gate NMOS transistor (130) with a high-k first gate dielectric (108) on a high quality thermally grown interface dielectric (106) and a chemically grown interface dielectric (134). And a metal gate PMOS transistor (132) with a high-k last gate dielectric (136). A metal gate NMOS transistor (130) with a high-k first gate dielectric (108) on a high quality thermally grown interface dielectric (106) and a high on a chemically grown interface dielectric (134). A process flow is provided to form an integrated circuit with a metal gate PMOS transistor (132) with a -k last gate dielectric (136).
申请人：日本テキサス・インスツルメンツ合同会社,テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
地址：東京都新宿区西新宿六丁目２４番１号,アメリカ合衆国 テキサス州 ７５２６５－５４７４ダラス メイル ステイション ３９９９ ピーオーボックス ６５５４７４
附的组词>电脑文件如何加密
国籍：JP,US
代理人：片寄 恭三饭前喝水
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