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practi
Rev.:A0
目录
欺负英文一．适用范围 (3)
二．工艺目的 (3)
三．工艺原理 (3)
四．参数设置 (3)
4．1适用范围 (3)
4．2工艺参数 (4)
五．工艺流This document and information herein is the property of JY and all unauthorized u and
warwick程 (4)
deny是什么意思
钱英文六．工艺过程控制 (5)
七．工艺控制目标 (6)
八．附件 (7)
haven氮化硅颜色与厚度对照表 (7)
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This document and information herein is the property of JY and all unauthorized u and 适用范围及执行
本文件适用于PECVD 车间工艺过程控制。
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本文件由工艺部负责制定，质检部监督并保证如实执行，生产部具体执行。
本文件的修改由工艺部负责，修改后的文件必须经过质检部的签字认可并备案，方可交
付生产执行。
lawyer1. 工艺目的
采用PECVD 镀膜方式在硅片表面镀上一层SiNx:H 减反射钝化膜，起到： 1） 减少硅片表面的光反射率；
2） 氢离子注入，增强硅片表面和体内的钝化效果，降低载流子的复合。
2. 工艺原理
PECVD 即等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ）技术，是一种利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。晶体硅太阳能电池生产中主要用PECVD 设备来淀积SiNx:H 减反射钝化膜。 其反应方程式如下：
panzerlied245034:H H SiN NH SiH x C
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o +−−−−−→−+等离子体、
在等离子体场的作用下，硅烷（SiH 4）和氨气（NH 3）发生分解、电离或激发，化学反应后在硅片表面沉积，生成富含氢的非晶薄膜。
3. 镀膜工艺参数设置
适用范围：
1) 本工艺方案适用于中联科伟达公司生产的管式PECVD 设备； 2) 本工艺方案适用于156多晶电池片生产；
镀膜工艺参数：
