SCALABLE VERTICAL TRANSISTOR BOTTOM SOURCE-DRAIN E

更新时间:2023-05-29 19:33:40 阅读: 评论:0

pollution是什么意思专利名称:SCALABLE VERTICAL TRANSISTOR BOTTOM
不确定的意思
SOURCE-DRAIN EPITAXY
圣诞节 英文发明人:Chun-Chen Yeh,Ruilong Xie,Alexander
dslReznicek
申请号:US16732642
申请日:20200102
s cute 247
北京新东方前途出国咨询有限公司公开号:US20210210631A1
withoutyou是什么意思公开日:
20210708
专利内容由知识产权出版社提供
知识就是力量英文
专利附图:
三月英语缩写摘要:A method of forming a miconductor device includes forming a sacrificial
epitaxial layer upon a substrate, forming a stack of miconductor material layers upon
the sacrificial epitaxial layer, forming fin mandrels for vertical transistors, lectively etching the sacrificial epitaxial layer beneath the fin mandrels, forming source-drain regions beneath the fin mandrels, lectively removing portions of the fin mandrels creating the fins, and forming source-drain contacts electrically connected to the source-drain regions.
卡萨布兰卡主题曲申请人:International Business Machines Corporation
地址:Armonk NY US
国籍:US
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