离子直入装置用语
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D4401 Ion implanter离子注入机 是指对具有运动能量的离子加以照射，为能将试料的物性加以控制的装置。此一装置是由离子源，提取电极系统，质量分析系统，注入室等所构成。
D4402 Low energy ion implanter低能量离子注入机 是指离子能量（1美国第一任总统是谁价离子）的最大值，在10Kev以下的离子注入装置。
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D4403 Medium energy ion implanter中能量离子注入机 是指离子能量（1价离子）的最大值，超过10Kev而在250Kev以下的离子注入装置。
toxicD4404 Low current ion implanter小电流离子注入机 是指线束电流量的最大值，未超过0.5mA的离子注入装置。
D4405 Medium current ion implanter中电流离子注入机 是指线束电流量的最大值，在0.5mA ~
5mA的离子注入装置。
D4406 High current ion implanter 大电流离子植入机 系指线速电流的最大值，在5Ma以上的离子植入装置。
D4407 High energy ion implanter 高能量离子植入机 系指离子能量（1软件培训价离子）的最大值，超过250Kev复仇者联盟英文台词的离子植入装置。
D4410 Ion source离子源 系形成各种元素等离子体的部分。因放电种类的不同，有直流型、高频波型以及微波型，目前最适用者为弗里曼型，系属于直流型。此一离子源，系利用由磁场中的灯丝所放出的热电子，来形成离子。
D4411 Ion implantation离子植入，离子移植 系指将被加速离子植入半导体基片的方法。通常利用硼（B），磷(P)，砷(As)灵犀相通等离子，作为引进用杂质。其控制性与再现性相当优异，被广泛用作取代以往的热扩散法，作为半导体基片的杂质导入法。
成都国际学校排名榜D4412 Ion beam离子束 系指将无秩序状态的离子，加以控制而获得有方向性且步调一致的离子流。中性的原子或分子，当失去电子而被离子化状态下，各个离子系未具有方向性，
且有无秩序的举动。
D4413 Mass resolution质量分解力 系指在质量分析系统中，能将质量数很接近的2种以上的离子，加以分离的能力限度。质量分解力可以质谱上线速电流量的半值宽，与其离子质量数的比来表示
D4414 Wafer-to-wafer do uniformity晶圆间离子植入的均质型 系在同一植入条件下，对多数晶圆片进行植入离子，经算出每一片晶圆的平均面电阻系数，根据此一电阻系数求得各晶圆片的偏差值者。亦称为再现性，同为重要的评价项目。
D4415 Wafer twist 晶圆扭转 系将晶圆片上置于晶缘固定板(platen)上时，由基准位置将主定向平面(orientation flat)，以晶圆面中心点为轴，加以旋转一定角度。此一角度称为扭转角(twist angle)。
D4416 Wafer disk晶圆圆盘 系指为能使晶圆可以分批处理，能将其数片~十数片，加以装填的圆盘。为要确保离子注入的均质性，与为避免因热损及晶圆，可以使其高速旋转又可同时作业并进运动。
D4417 Wafer tilt晶圆倾斜 系指当进行离子注入的际，将晶圆加以倾斜者。由晶圆中心竖立的法线达到晶圆中心的线速所成角度，称为倾斜角。
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D4418 Wafer do uniformity晶源离子注入均质性 系指当晶圆被注入杂质的离子时，为表示晶圆内究竟注入何种程度均质性的指针。就其评价方法而言，通常在退火后，经由4探针法，在晶圆面内进行数十点的面电阻系数分布测试，经由统计处理求得偏差值。
D4419 Wave guide 离子波束引导管（腔），导波管 系指在质量分析系统中，为时离子波束中通过,所设置的真空腔(vacuum chamber)。为防止有不必要波束的碰撞削去其内壁，设置有内衬保护板(liner)者为数不多。有时亦称为分析管(腔)。
2016考研英语二Analyzing chamber 分析管（腔）
D4420 Energy contamination 能量污染，杂质能量 系指离子能量位在可作目标值以外的离子能量总称。因离子与残留气体（中性粒子）的碰撞，经电荷交换所产生离子，或分的离子的分解所产生离子，变成非目标能量而植入晶圆者。
D4421 Electron suppressor电子抑制器 系指当将离子植入靶子的过程中，将与各种电极或孔径相碰撞。籍电场或磁场将该时产生二次电子，不至于从产生地点泄漏到外界的机构。为要抑制产生二次电子所加的称为偏压。
Ba偏压
D4422 Electron flood gun淹没式电子枪，电子流枪 系指对晶圆植入离子时，为防止在晶圆片上产生正电荷(charge up)，可对晶圆提供低能量电子，籍以中和的机构。有时亦称为电子(electron show)流枪，或电子障壁。
D4424 Orientation flat aligner / flat orientor定向平面对准器 系指将晶圆搭载于晶圆固定板的际，将晶圆的定向平面(orientation)，或将缺口(notch)加以对准所定位位置的机构。由此对准器可以决定离子植入时的扭转角(twist angle)，与晶圆倾斜(wafer tilt)共同决定离子植入晶圆时的入射角度。
D4425 Rotational implant 旋转式（离子）植入 系指将晶圆依其经晶圆面中心点为轴，作为旋转进行的离子植入。有时离子植入中晶圆并不旋转，植入一定量后加以旋转一定角度，然后再继续植入者，称为步进旋转植入法。 ipad应用软件
D4428 Acceleration tube加速管 系指经由加速方式，设置在分析系统先后，可给与离子能量的管子，系由绝缘物与电极所构成，通常是属多段构造。对各电极施加以分割的加速电压，由形成在电极间的电场来加速离子。
D4429 Acceleration voltage加速电压 系指为能对经由提取电压所加速的离子，给予一定离子能量，对加速管所施加的电压。离子能量可加速电压与提取电压的总和，及离子价数来决定。
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D4431 Cross contamination交互污染 系指经由离子注入装置构成材料的污染。是由晶圆保持夹以及晶圆附近的金属制品等，受到离子波束的溅射，而引进晶圆内部的污染者。在同一装置内一连串不同制程间，各个制程所使用瓦斯或生成物，污染到其它制程环境者。随着组合设备工具(cluster tool )的普及，此一用语的使用日益增多。
D4433 Post acceleration system后段加速系统 系指在质量分析系统的前，将以20-40 Kev 的低加速能量给予离子波束，而在质量分析系统的后，加速至所需要能量的方式，后段加速方式可以小型的质量分析磁铁，可实现较高能量的 离子注入。
D4435 Solid vaporizer固体蒸发源 系指要产生的际，可搭配与离子源而被用作固试料的蒸发源。试料在真空中被加热器加热至数百度oC,变成蒸汽而被引进等离子形成室。主要从安全性的观点，此一固体蒸发大都用作替代有毒瓦斯。
D4436灵通英语第一册 Contamination level污染量 系指关于晶圆中的注入量，经由SIMS,原子吸光分析等的定量分析，可利用下述数式来计算。污染量[%，ppm]=混进离子的注入量（atoms/cm3） 所盼离子的注入量( atoms/cm3 )就离子注入装置而言，有时也可用混进离子波束电流，与所分离子波束电流的比值来表的。
D4439 Deionized water cooling 去离子水冷却 系指对离子注入装置的高电压端内，及终端站系统的去离子水冷却，去离子水冷却因具有绝缘性甚佳为由被用来替代氟氯烷(freon),而被普遍使用。若考量耐电压或波量测错误有必要将去离子水的比电阻作适当的管理。
D4440 Scanned beam current扫描波束电流 系指以离子波束加以扫描，使其注入晶圆时的波束电流值。以离子波束加以扫描时，离子波束因受离子注入装置遮光罩的限制，仅被限制领域的离子到达晶圆，成为较点状(spot ) 照射为少的电流值。
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D4442 Preacceleration system前置加速系统 系指从离子源被提取的离子波束，在质量分析系的前，给予必要的加速能量，经质量分析后，对靶子注入离子的方式。
D4443 Ion source magnet离子源磁铁 系指以协助原子，分子的电离为目的，而对离子源施加磁场的磁铁。大都被当作正交电磁场或不均一磁场（镜面磁场）来使用。其磁场的强度以离子源的种类而定。
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D4444 Tandem electrostatic accelerator 串接静电加速器 将置于大地电位的离子源，所产生的负离子，经由静电场加速后面向正电位的高压部，又被设在该部的电荷变换器换成正离子，然后再面向大地电位，进一步被静电场加速，而获得所需要能量离子加速方式的离子植入装置。系为形成高能离子时使用。
D4445 Channeling穿隧效应/沟道效应 若沿着结晶轴或结晶面，将离子加以照射时，大多数离子不会与结晶中的原子核或电子碰撞，而侵入到结晶内部。此一过程称为穿隧效应（channeling）。离子沿着结晶轴侵入者，称为轴穿隧效应，离子沿着结晶面侵入者，称为面穿隧效应。
D4446 Charge up 充电，使绝缘物带电 系指注入离子中，晶圆片上的绝缘物会带电的情况。为此组件在离子植入中，有时会劣化甚至被破坏。为防止这一情形发生，大都设有淹没式电子枪（ electron flood gun）.
D4447 Implant chamber离子植入室 系指对晶圆进行离子植入的处理室。当植入离子时，为避免室内某瓦斯原子与离子加速，因碰撞所产生中性粒子，被打进晶圆内而产生离子植入量有维持高真空的必要。为达成高生产量（high throughput ）,亦准备真空预备室或2套离子植入室的设备。有时亦可称为处理室或打靶室。
Process chamber处理室
