丹麦语【光刻百科】前道工艺(Frontendofline,FEOL)
集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件,简单地说,首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区域(activearea),然后是离子注入实现N型和P型区域,其次是做栅极,随后又是离子注入,完成每一个晶体管的源极(source)和漏极(drain)。这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管,又被称为前道(front end of line,FEOL)工艺。图1是一个逻辑器件的剖面示意图。新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料,例如:前道(FEOL)栅极的高介电常数材料,它能有效地增大栅极的电容并减少漏电流。前道(FEOL)中的关键光刻层是 FIN 和栅极(gate)。后道(BEOL)的关键光刻层是 V0/M1/V1/M2,其中V0/V1是通孔层,M1/M2是金属层[1]。
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cracks图1 一个逻辑器件的剖面示意图october是什么意思
参考文献:
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旅游胜地英文[1]韦亚一,超大规模集成电路先进光刻理论与应用,科学出版社,2016,3-3,424-424
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