GTM Electronics (Shanghai) Ltd.
MOS測試原理解析
By Antly_law
仓储费MOSFET-簡介
►MOSFET定義及特點
►
►MOSFET工作原理(NMOS)►MOSFET特性曲線(NMOS)
►分立器件測試機
►MOSFET的直流參數及測試目的►MOSFET的交流參數
►MOSFET Related
►廠內分析MOSFET異常方法
►習題G
D
MOSFET定義
下午好►MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.
►MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
►MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、
pMOSFET等
►特點：
• 1.单极性器件(一种载流子导电)
• 2.输入电阻高(107 ~1015 Ω，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015Ω)
fineart
• 3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低
同传翻译培训MOSFET 結構►增強型NMOS 結構與符號;G
P 型衬底(掺杂浓度低)N +N +S D B古诗翻译
耗尽层•在一块掺杂浓度较低的P 型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d 和源极s 。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极g 。在衬底上也引出一个电极B ，这就构成了一个N 沟道增强型MOS 管。MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
它的栅极与其它电极间是绝缘的
•符號如右S
G D
科比宣布退役
impressiveMOSFET 工作原理►增強型NMOS 工作原理;
•
A.当U GS = 0，DS 间为两个背对背的PN 结；•
B.当0 < U GS < U GS (th )(开启电压)时，GB 间的垂直电场吸引P 区中电子形成离子区(耗尽层)；•
C.当u GS ≥U GS (th )时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。u GS 越大沟道越厚。客服中心英文
反型层(沟道)1)u GS 对导电沟道的影响(u DS = 0)，如左圖DS 间的电位
差使沟道呈
楔形，u DS ↑，
靠近漏极端
的沟道厚度
眼界是什么意思变薄。• 1.预夹断(U GD =U GS (th ))：漏极附近反型层消失。.•
长裙的英文2.预夹断发生之前：u DS ↑i D ↑。•
3.预夹断发生之后：u DS ↑i D 不变。
2)u DS 对i D 的影响(u GS > U GS (th ))
