专利名称：VACUUM-INTEGRATED HARDMASKhonorary
PROCESSES AND APPARATUS
英文邮箱发明人：ジェフリー・マークス,リチャード・エー．・ゴットショ,デニス・エム．・ハウスマン,エイドリア
ン・ラボイエ,トーマス・ニスレー,シリッシュ・
ケー．レディ,バドリ・エヌ．・バラダラジャン,
アーサー・コリクス,ジョージ・アンドリュー・ア
ントネリ
人大附中官网申请号：JP2015016254
申请日：20150130
公开号：JP6495025B2
onlyif公开日：
英语4级
ntv
20190403
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：PROBLEM TO BE SOLVED: To form metal hardmasks without the u of a photoresist.SOLUTION: Vacuum-integrated photoresist-less methods and apparatus for forming metal hardmasks can provide sub-30 nm patterning resolution. A metal-containing film (e.g., metal salt or organometallic compound) that is nsitive to a patterning agent is deposited on a miconductor substrate. The metal-containing film is then patterned directly (i.e., without the u of a photoresist) by exposure to the patterning agent in a vacuum ambient to form the metal mask. For example, the metal-containing film is photonsitive and the patterning is conducted using sub-30 n
美剧复仇第二季m wavelength optical lithography, such EUV lithography.
申请人：ラム リサーチ コーポレーション
地址：アメリカ合衆国，カリフォルニア ９４５３８，フレモント，クッシング パークウェイ
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国籍：US
代理人：特許業務法人明成国際特許事務所更多信息请下载全文后查看
