产品规格 Product Specification | 产品名称Product Name | 单晶硅片monocrystal silicon wafer | |
文件名称Document Name | 125×125单晶硅片产品规格 125×125monocrystal silicon wafer specification | ||
材料特性jazzilipperMaterial properties | |||
边长Dimensions(W×W) | 125×125±0.5mm | ||
直径Diameter | climb165±0.5mm | ||
厚度Thickness | 200±20μm | ||
电阻率Resistivity | 1~3~6 Ωcm | ||
掺杂剂/型号Dopant/ Donor type | Boron/ P | ||
少子寿命Lifetime | ≥10s | ||
晶向Orientation | <100>±1° | ||
氧含量Oxygen Content | ＜1×1018/cm3 | ||
碳含量Carbon Content | ＜5×1016/cm3 | ||
线痕Saw marks | 深度≤15m Depth≤15m | ||
TTV | ≤30m | ||
垂直度Right Angle | 90°±0.3° | ||
翘曲度Warp | ≤75m | ||
碎片率Fragmentation rate | ≤3‰ | ||
崩边Edge Chip | 崩边宽度≤0.5 mm，长度≤1.0mm，数量≤2个。 Wide≤0.5 mm，Length≤1.0mm，Count≤2。英语小说 | ||
表面质量Surface quality | 产品表面光洁，无异常油污、裂纹、针孔。 Cleaned,no grea stains, No crack or pinhole | ||
产品规格 Product Specification | 产品名称Product Name | 多晶硅片Multi-Crystalline Si wafer | |
文件名称Document Name | 156×156多晶硅片产品规格 156×156Multi-Crystalline wafer specification | ||
材料特性Material properties | |||
边长Dimensions(W×W) | 156×156±0.5mm | ||
直径Diameter | 219.2±0.5mm | ||
厚度Thickness | 200±20μm | ||
电阻率Resistivity | 1~3Ωcm | ||
拉制方式Drawn way | 浇铸法Casting method | ||
掺杂剂/型号Dopant/ Donor type | Boron/ P | ||
少子寿命Lifetime | ≥2s | ||
氧含量gillOxygen Content | ＜1×1018/cm3 | ||
碳含量Carbon Content | 初中补习费用 ＜5×1017/cm3 | ||
线痕Saw marks | 深度≤15m Depth≤15m | ||
TTV | ≤30m | ||
垂直度Right Angle | 90°±0.3° | ||
翘曲度Warp | ≤75m | ||
碎片率Fragmentation rate | ≤3‰ | ||
崩边Edge Chip | 崩边宽度≤0.5 mm，长度≤1.0mm，数量≤2个。 Wide≤0.5 mm，Length≤1.0mm，Count≤2。 | ||
表面质量Surface quality | 产品表面光洁，无油污、裂纹、针孔。 Cleaned,no grea stains, No crack or pinhole | ||
微晶Microcrystal | 单个微晶面积＜3×3mm2，整个微晶区域面积＜3×3cm2 。 Single area3×3mm2，total area3×3mm2。 | ||
| 3年级英语上册 | |||
产品规格 Product Specification | 产品名称Product Name | 单晶硅片Monocrystal silicon wafer | |
文件名称Document Name | 156×156单晶硅片产品规格 156×156 monocrystal silicon wafer specification | ||
材料特性Material properties | |||
边长Dimensions(W×W) | 156×156±0.5mm | ||
直径Diameter | 200±0.5mm | ||
厚度Thickness | 200±20μm | ||
电阻率Resistivity | 1~3Ωcm | ||
掺杂剂/型号Dopant/ Donor type | Boron/ P | ||
少子寿命Lifetime | ≥10s | ||
氧含量关联词的用法Oxygen Content 学化妆盘发 | ＜1×1018/cm3 | ||
碳含量Carbon Content | ＜5×1016/cm3 | ||
线痕Saw marks | 深度≤15m Depth≤15m | ||
TTV | ≤30m | ||
垂直度Right Angle | 90°±0.3° | ||
翘曲度Warp | ≤75m | ||
碎片率Fragmentation rate | ≤3‰ | ||
崩边Edge Chip | 崩边宽度≤0.5 mm，长度≤1.0mm，数量≤2个。 Wide≤0.5 mm，Length≤1.0mm，Count≤2。 | ||
表面质量Surface quality | 产品表面光洁，无油污、裂纹、针孔。 Cleaned,no grea stains, No crack or pinhole | ||
156单晶硅片尺寸示意图 | |||
本文发布于:2023-05-12 23:16:21，感谢您对本站的认可！
本文链接：https://www.wtabcd.cn/fanwen/fan/78/605730.html
版权声明：本站内容均来自互联网，仅供演示用，请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系，我们将在24小时内删除。
| 留言与评论（共有 0 条评论） |
