Lead free bump and its formation method

更新时间:2023-07-19 00:51:20 阅读: 评论:0

专利名称:Lead free bump and its formation method
发明人:下山 正,横田 洋,黄海 冷,栗山 文夫,齋藤 信利
rump申请号:JP2004562939
英语四级听力下载
以上英语申请日:20031225
公开号:JPWO2004059042A1
公开日:
20060427
范玮琪和黑人婚纱照
专利内容由知识产权出版社提供英语辅导报答案
专利附图:
摘要:As for this invention, it regards lead free bump and its formation methodmyhobby>clarify
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occurrence of the void which is obtained by reflow doing the Sn-Ag bad solder alloy plated membrane which adjusted the Ag density in the plated membrane being
controlled. Lead huiribanpu of this invention forms the Sn-Ag bad alloy membrane of the Ag content which is lower than the eutectoid formation density of Sn-Ag with plating,is obtained by reflow doing the particular alloy plated membrane.
申请人:株式会社荏原製作所
地址:東京都大田区羽田旭町11番1号
会计进修学院国籍:JP
代理人:渡邉 勇,堀田 信太郎,小杉 良二,森 友宏更多信息请下载全文后查看
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