绝缘层上ge(goi)材料及si基ge波导型探测器研究

更新时间:2023-06-26 21:29:28 阅读: 评论:0

厦门大学学位论文原创性声明英语四级查成绩
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另外,该学位论文为()课题(组)的研究成果,获得()课题(组)经费或实验室的资助,在()实验室完成。(请在以上括号内填写课题或课题组负责人或实验室名称,未有此项声明内容的,可以不作特别声明。)
声明人(签名):伽寅·姘
加}弓年6月g日
元旦祝福语英文
sotired>英语翻译网摘要
纠合之众绝缘层上锗(Germanium—on.Insulator,GOI)由于结合了Ge材料及S01材料各自的优点,是近年来兴起的、极具吸引力的si基新型材料。GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,在通信波段有较高吸收系数,同时能够很好地解决体Ge材料在器件中的不足,从而在微电子和光电集成方面具有广阔的应用前景。基于GOI材料的波导型探测器,由于集合了GOI的优良特性及波导型结构的优势,能够同时实现高量子效率和高带宽,从而有效提高探测器性能。因此,开展GOI材料的制备及Ge波导型探测器的研制工作具有重要的意义。本文利用智能剥离技术结合键合方法制各了GOI材料,研究其材料特性,并开展了Si基Ge波导型探测器关键制备工艺的研究,论文的主要内容及创新点如下:
fossilfuel1、利用RSott软件对不同结构的Ge波导型探测器进行模拟优化。模拟结果表明,端面耦合结构可以有效地缩短探测器的吸收长度.但所需SOt波导截面面积小,光纤与波导的耦合损耗较为严重;基于实验室工艺条件,我们设计了混合型耦合结构的Ge波导探测器,在考虑光纤与波导耦合损耗的情况下,当Ge层厚度为0.99um,器件长度为100um时可吸收80%的光,理论带宽为25GI-/z。
2、系统研究了氢离子注入功率密度对Ge晶格应变、内部徽结构变化及剥离质量的影响。发现当注
benchmark什么意思
lol是什么意思入功率密度较小时,Ge晶格存在应变,得到了应变随深度的分布,该分布与H离子在Ge中的浓度有着密切的关系:随着注入功率密度变大,由于注入过程的自加热效应显著,使得由氢离子注入引起的应变逐渐弛豫,晶体内部出现马赛克结构,而且注入区的H小平面也已扩展成为llano裂纹,甚至微腔,这些都将导致注入样品在退火后无法成功实现剥离。
3、优化了Ge片注H后的剥离温度。当退火温度为400~500oC时,注入样品能够实现完整剥离,而温度过高时,则会出现局部剥离的表面形貌;对此,我们提出了厚Ge薄膜在不同热处理条件下的剥离模型,在较低温度下退火,裂纹易于沿横向传播,当温度过高,H离子的扩散加剧,促使裂纹在竖直方向上扩展,从而形成气泡和局部脱落的表面形貌。
好听英文网名4、系统研究TGe与Si02/Si材料的键合机理,并结合智能剥离技术制备了GOI材料,研究TGOI的材料性质。对键合前样品的表面处理、键合温度及键合过程
的意思

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标签:波导   探测器   注入   材料   结构   剥离   温度
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