干烧状态的识别方法、装置和电子雾化器与流程
1.本技术涉及雾化设备领域，特别是涉及一种干烧状态的识别方法、装置和电子雾化器。
背景技术：
2.电子雾化器的工作原理主要是通过雾化的手段，以电加热的方式将雾化介质加热蒸发为气溶胶后，被消费者吸入，从而达到抽吸体验。在此过程中，一旦雾化介质减少到无法及时给发热体供给时，则会出现发热体干烧的状态，一方面，严重降低了消费者的体验，另一方面，高温干烧会产生有害气体或者损坏电子雾化器，影响消费者的身体健康。因此，雾化器防干烧的功能成为了热门研究领域。
3.目前的防干烧技术主要是通过温度传感器、电容传感器、热敏电阻、湿度传感器等工具来判断雾化介质是否耗尽，这些技术手段对于不同类型的雾化介质所设定的域值不同，从而造成检测结果不准的几率增大。
技术实现要素：
4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高识别干烧的准确率的干烧状态的识别方法、装置和电子雾化器。
5.第一方面，本技术提供了一种电子雾化器。
6.所述电子雾化器包括：
7.处理模块、检测电路、加热元件和嵌入在所述加热元件内的磁芯；
8.所述检测电路，用于检测所述加热元件的反电动势；
9.所述处理模块，用于对所述反电动势进行识别，在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
10.在其中一个实施例中，所述检测电路包括采样单元和检波存储单元，所述检波存储单元与所述加热元件连接，所述采样单元与所述检波存储单元连接；
11.所述检波存储单元用于获取所述加热元件的反电动势，并存储；所述采样单元用于对所述检波存储单元存储的反电动势进行检测和释放。
12.在其中一个实施例中，所述检波存储单元包括：第一二极管、电容和第二二极管，
13.所述第一二极管的正极与所述加热元件连接，所述电容的一端分别与所述第一二极管的负极、所述第二二极管的正极连接，所述电容的另一端分别与所述第二二极管的正极连接。
14.在其中一个实施例中，所述采样单元包括串联的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻远离所述第二电阻的一端连接于所述第一二极管和所述电容之间，所述第二电阻远离所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻和第二电阻之间与所述处理模块连接。
15.在其中一个实施例中，所述电子雾化器还包括：电源模块，所述电源模块用于向所述加热元件供应能量；所述处理模块包括处理器和开关单元，所述处理器的第一端与所述
电源模块连接，第二端与所述开关单元的使能端连接，所述开关的第一端与所述电源模块连接，第二端与所述加热元件连接；
16.所述处理器用于生成脉冲信号以控制所述开关单元导通或者断开。
17.在其中一个实施例中，处理模块还包括脉冲单元，所述处理模块的第二端通过所述脉冲单元与所述开关单元的使能端连接；
18.所述处理器用于控制所述脉冲单元生成脉冲信号，以控制所述开关单元导通或者断开。
19.在其中一个实施例中，所述开关单元包括pmos管和第三电阻；
20.所述pmos管的栅极与所述脉冲单元连接，源极与所述电源模块连接，漏极与所述加热元件连接，所述第三电阻连接在所述脉冲单元和所述电源模块之间。
21.在其中一个实施例中，所述开关单元包括nmos管和第四电阻；
22.所述nmos管的栅极与所述脉冲单元连接，源极通过所述加热元件与所述电源模块连接，漏极接地，所述第四电阻连接在所述脉冲单元和地之间。
23.在其中一个实施例中，所述磁芯为软磁性材料制成。
24.第二方面，本技术还提供了一种干烧状态的识别方法，所述方法包括：
25.获取加热元件的反电动势，并对所述反电动势进行识别；
26.在识别到所述反电动势出现突变时，确定电子雾化器处于干烧状态。
27.在其中一个实施例中，所述在识别到所述反电动势出现突变时，确定电子雾化器处于干烧状态，包括：
28.获取所述反电动势出现突变之后电动势的斜率；
29.在所述斜率超过预设阈值时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
30.第三方面，本技术还提供了一种干烧状态的识别装置，所述装置包括：
31.检测模块，用于获取加热元件的反电动势，并对所述反电动势进行识别；
32.确定模块，用于在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
33.上述干烧状态的识别方法、装置和电子雾化器，电子雾化器包括：处理模块、检测电路、加热元件和嵌入在所述加热元件内的磁芯，所述磁芯为软磁性材料制成；所述检测电路，用于检测所述加热元件的反电动势；所述处理模块，用于对所述反电动势进行识别，在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。本技术的加热元件内嵌入有软磁性材料制成的磁芯，软磁性材料的温度一旦超过居里点温度，其磁导率就会急剧下降，这样加热元件的电感量也会急剧下降，加热元件的反电动势也会急剧变小，因此本技术通过检测加热元件的反电动势是否发生突变即可确定加热电子雾化器内的温度是否超过软磁性材料的居里点温度，从而确定电子雾化器是否发生干烧，提高了检测结果的准确性。
附图说明
34.图1为第一实施例中电子雾化器的模块结构示意图；
35.图2为一实施例中加热元件的立体结构透视示意图；
36.图3为一实施例中加热元件的俯视结构透视示意图；
37.图4为另一实施例加热元件的俯视结构透视示意图；
38.图5为另一实施例加热元件的立体结构透视示意图；
39.图6为一实施例中反电动势和时间的关系示意图；
40.图7为第二实施例中电子雾化器的模块结构示意图；
41.图8为一实施例中检波存储单元的电路结构示意图；
42.图9为一实施例中检测电路的电路结构示意图；
43.图10为一实施例中反电动势波形示意图；
44.图11为另一实施例中检测电路的电路结构示意图；
45.图12为另一实施例中反电动势波形示意图；
46.图13为第三实施例中电子雾化器的模块结构示意图；
47.图14为第四实施例中电子雾化器的模块结构示意图；
48.图15为一实施例中电子雾化器内电路结构示意图；
49.图16为另一实施例中电子雾化器内电路结构示意图；
50.图17为一实施例中干烧状态的识别方法的流程示意图；
51.图18为一实施例中干烧状态的识别装置的模块结构示意图。
具体实施方式
52.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
53.在一个实施例中，提供了一种电子雾化器，如图1至图3所示，该电子雾化器包括：
54.电源模块110、处理模块120、检测电路130、加热元件140和嵌入在加热元件140内的磁芯150，其中，磁芯的材料具有居里温度，具有居里温度的材料是指本身的温度超过达到居里点温度后，其磁导率就会急剧下降的材料。作为一种示例，磁芯150为软磁性材料制成，软磁性材料是指本身的温度超过达到居里点温度后，其磁导率就会急剧下降的材料，具体实施中，磁芯150可以由其他材料制成，例如铁磁性和亚铁磁性材料。可以理解的是本技术中软磁性材料的居里点温度为电子雾化器干烧温度。
55.电源模块110与处理模块120连接，处理模块120还分别与检测电路130、加热元件140连接，检测电路130与加热元件140连接。
56.电源模块110可以向加热元件140提供能量，使得加热元件140进行工作。处理模块120用于控制电源模块110向加热元件140提供的能量，以控制加热元件140的功率。
57.作为一种实施例，如图2和图3所示，加热元件140包括具有空腔143的圆柱体141，该圆柱体141内设置有线圈142，线圈142呈螺旋结构。线圈142在接收到电源模块110提供的能量进行发热，连同圆柱体141发热，以对空腔143内的雾化生成基质进行雾化。空腔143用于对电子雾化器中雾化生成基质和雾化后的雾化生成基质进行导流，具体包括，将雾化生成基质导流入空腔143内，以及将雾化后的雾化生成基质导流至外界。示例性的，圆柱体141可以为陶瓷材质。可以理解的是，加热元件140还可以为其他形状或者材质，例如加热元件140可以为矩形，其内也设置了对应的螺旋状线圈142，如图4和5所示。磁芯150可以为空心圆环(包括单孔圆环、多孔圆环)或者空心矩形体(包括单孔矩形体、多孔矩形体)、矩形体
等，只需要磁芯150不会阻碍雾化生成基质和雾化后的雾化生成基质的导流即可。
58.为方便理解，对本技术的原理进行解释说明：
59.本技术中加热元件140具有呈螺旋结构的线圈142，使得加热元件140具有电感的特性，即在工作过程中，加热元件140会阻碍电路中电流的变化，当有变化的电流时，电感两端会产生和供电电压方向相反的自感电动势(即反电动势)。反电动势ε＝-ldi/dt，其中ε表示反电动势，l表示电感量，di/dt表示电流随时间变化率。
60.具有磁芯的电感量l＝(k*μ0*μs*n2*s)/l，其中，k表示系数(该系数取决于线圈半径和长度l的比值)，μ0表示真空磁导率，μs表示线圈内部磁芯的相对磁导率，空心线圈时μs＝1，n表示线圈的圈数，l表示线圈的长度，s表示线圈的截面积。根据上述公式可以推导出电感量与线圈内部磁芯的相对磁导率成正比关系。同时采用软磁性材料制作的磁芯具有在其超过居里点温度后，磁导率急剧下降的特性，对应带动反电动势也会急剧变化，如该软磁性材料制作的磁芯的居里点温度与电子雾化器的干烧温度相同，则可以基于这一现象通过判断反电动势是否突变来确定是否发生干烧。
61.本实施例中，电子雾化器还包括检测电路130，检测电路130用于检测加热元件140的反电动势；处理模块120对反电动势进行识别，在识别到反电动势出现突变时，确定电子雾化器处于干烧状态。
62.具体的，在使用过程中，通过检测电路130检测加热元件140的反电动势，然后传输给处理模块120。处理模块120获得检测电路130检测的反电动势，然后处理模块120对反电动势进行识别，绘制反电动势与时间的关系图，示例性的，如图6所示，对反电动势与时间的关系图中突变点进行识别，实线圈内的点则为突变点，在识别出突变点后，说明反电动势出现突变，此时确定电子雾化器处于干烧状态。其中，突变点是指违反脉冲信号对应反电动势变化规律的点，示例性的，如果脉冲信号是方波，在图6所示中，虚线圈内的点为符合脉冲信号变化规律的点，而实线圈内的点则为突变点(违反脉冲信号对应反电动势变化规律的点，反电动势变化规律与脉冲信号的变化规律相反，例如在脉冲信号从低电平变为高电平时，反电动势从高电平变为低电平，在脉冲信号从高电平变为低电平时，反电动势从低电平变为高电平)。
63.上述电子雾化器包括：处理模块、检测电路、加热元件和嵌入在所述加热元件内的磁芯，所述磁芯为软磁性材料制成；所述检测电路，用于检测所述加热元件的反电动势；所述处理模块，用于对所述反电动势进行识别，在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。本技术的加热元件内嵌入有软磁性材料制成的磁芯，软磁性材料的温度一旦超过居里点温度，其磁导率就会急剧下降，这样加热元件的电感量也会急剧下降，加热元件的反电动势也会急剧变小，因此本技术通过检测加热元件的反电动势是否发生突变即可确定加热电子雾化器内的温度是否超过软磁性材料的居里点温度，从而确定电子雾化器是否发生干烧，提高了检测结果的准确性。
64.在一个实施例中，如图7所示，检测电路130包括采样单元132和检波存储单元131，检波存储单元131与加热元件140连接，采样单元132与检波存储单元131连接；检波存储单元131用于获取加热元件140的反电动势，并存储；采样单元132用于对检波存储单元131存储的反电动势进行检测和释放。
65.本实施例中检测电路130包括采样单元132和检波存储单元131，先使用检波存储
单元131获取加热元件140的反电动势，并进行存储，然后采样单元132用于对检波存储单元131存储的反电动势进行检测和释放。具体实施中，可以采用行业内现有的反电动势检测芯片/模块/电路(例如电极的反电动势采用电路)实现反电动势的测量，此处不做限制。
66.具体的，作为一种示例，参阅图8，检波存储单元131包括：第一二极管1311、电容1312和第二二极管1313，第一二极管1311的正极与加热元件140连接，电容1312的一端分别与第一二极管1311的负极、第二二极管1313的正极连接，电容1312的另一端分别与第二二极管1313的正极、电源110(vbat)连接。
67.其中，第一二极管1311用于将电路隔离，使检波存储电路部分只能通过超出供电电压的电势；电容1312用于储存产生的反电动势电荷，达到快速充电，缓慢放电效果，方便检测；第二二极管1313用于钳位存储电势，使电容c1只能维持超出供电电压的电势，防止加热丝加热时被检测电路下拉到低于供电电压区间，方便检测。
68.进一步的，作为一种示例，参阅图9，采样单元132包括串联的第一电阻1321和第二电阻1322，第一电阻1321远离第二电阻1322的一端连接于第一二极管1311和电容1312之间，第二电阻1322远离第一电阻1321的一端接地，第一电阻1321和第二电阻132之间与处理模块120连接。
69.本实施例中采用两个电阻进行分压，从而将反电动势降低为处理模块120能够测量的电压之内，然后直接采用处理模块120采集，然后根据采集的电压以及两个电阻的分压比例获得加热元件140对应的反电动势。
70.根据上述介绍，可知本实施例中采用采样单元132和检波存储单元131实现反电动势的测量，主要由电容、电阻和二极管组成，相对现有技术的检测电路相对更加简单，成本也更低。
71.采样单元132和检波存储单元131实现反电动势的测量的过程中，示例性的，加热元件140中反电动势的波形、检波存储单元131存储的波形和采样获得的波形分别如图10中1、2、3所示，处理器121在确定电子雾化器处于干烧状态的过程可以包括：
72.获取所述反电动势出现突变之后电动势的斜率；
73.在所述斜率超过预设阈值时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
74.具体地，因第一二极管1311用于将电路隔离，使检波存储电路部分只能通过超出供电电压的电势，且检波存储单元131包括电容1312，具有快速充电和缓慢放电的特性，处理器121获得的反电动势波形如图10中波形3所示，在识别到突变点后，确定出现突变之后电动势的斜率。在在斜率超过预设阈值时，确定电子雾化器处于干烧状态。
75.作为一种示例，参阅图11，检波存储单元131包括：第一二极管1311、电容1312和第二二极管1313，第一二极管1311的负极与加热元件140连接，电容1312的一端分别与第一二极管1311的正极、第二二极管1313的正极连接，电容1312的另一端分别与第二二极管1313的负极、地连接。
76.采样单元132包括串联第一电阻1321和第二电阻1322，第一电阻1321远离第二电阻1322的一端连接于电源110(vbat)连接，第二电阻1322远离第一电阻1321的一端连接于第一二极管1311和电容1312之间，第一电阻1321和第二电阻132之间与处理模块120连接。
77.第一二极管1311用于将检测电路130隔离，使检波存储单元131只能通过负压；通过电容1312储存产生的反电动势电荷，达到快速充电，缓慢放电效果，方便检测；第二二极
管1313用于钳位存储电势，使电容c1只能维持负压电势，防止加热丝加热时被检测电路拉升到正压区间，方便检测。
78.示例性的，加热元件140中反电动势的波形、检波存储单元131存储的波形和采样获得的波形分别如图10中4、5、6所示，处理器121在确定电子雾化器处于干烧状态的过程可以包括：
79.获取所述反电动势出现突变之后电动势的斜率；
80.在所述斜率超过预设阈值时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
81.具体地，因第一二极管1311用于将检测电路130隔离，使检波存储单元131只能通过负压，且检波存储单元131包括电容1312，具有快速充电和缓慢放电的特性，处理器121获得的反电动势波形如图12中波形6所示，在识别到突变点后，确定出现突变之后电动势的斜率。在在斜率超过预设阈值时，确定电子雾化器处于干烧状态。
82.在一个实施例中，如图13所示，处理模块120包括处理器121和开关单元122，处理器121的第一端与电源模块110连接，处理器121的第二端与开关单元122的使能端连接，开关单元122的第一端与电源模块110连接，第二端与加热元件140连接；处理器121用于生成脉冲信号以控制开关单元122导通或者断开。
83.本实施例中，采用处理器121生成脉冲信号，脉冲信号用于控制开关单元122导通或者断开，在开关单元122导通时，电源模块110输出的能量可以通过开关单元122提供给加热元件140，在开关单元122关闭时，电源模块110输出的能量无法通过开关单元122提供给加热元件140，如此实现在抽吸时，处理器121控制开关单元122导通，不抽吸时，处理器121控制开关单元122关闭。
84.在一个实施例中，如图14所示，处理模块120还包括脉冲单元123，处理器121的第一端与电源模块110连接，第二端通过脉冲单元与开关单元的使能端连接，开关的第一端与电源模块连接，第二端与加热元件140连接；处理器121用于控制脉冲单元123生成脉冲信号，以控制开关单元122导通或者断开。
85.本实施例相对图10所示的实施例，区别在于采用了脉冲单元123生成脉冲信号，从而能够减轻处理器121的工作负担，可以采用价格和处理性能较低的处理器，能够节省成本。
86.在一个实施例中，开关单元122包括mos管，mos管可以为p沟道mos管或者n沟道mos管。
87.具体地，如图15所示，开关单元122包括pmos管1221和第三电阻1222；pmos管1221的栅极与脉冲单元123连接，源极与电源模块110连接，漏极与加热元件140连接，第三电阻1222连接在脉冲单元123和电源模块110之间。可以理解的是，开关单元122也可以仅包括pmos管1221，即将第三电阻1222去除。此时，对应反电动势的波形图如图12所示，各波形的解释说明可参阅上述说明，此处不再赘述。
88.或者，如图16所示，开关单元122包括nmos管1223和第四电阻1224；nmos管1223的栅极与脉冲单元123连接，源极通过加热元件140与电源模块110连接，漏极接地，第四电阻1224连接在脉冲单元123和地之间。可以理解的是，开关单元122也可以仅包括nmos管1223，即将第四电阻1224去除。此时，对应反电动势的波形图如图10所示。
89.可以理解的是，图15和图16只是一种示例，本领域技术人员可以对其进行适当变
形，例如，将图15中加热元件140和开关单元122的位置互换；将图16中加热元件140和开关单元122的位置互换等等。
90.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的电子雾化器的干烧状态的识别方法。该方法所提供的解决问题的实现方案与上述电子雾化器中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个干烧状态的识别方法实施例中的具体限定可以参见上文中对于电子雾化器的限定，在此不再赘述。
91.在一个实施例中，如图17所示，基于上述实施例，所述方法包括：
92.步骤210，获取加热元件的反电动势，并对所述反电动势进行识别；
93.步骤220，在识别到所述反电动势出现突变时，确定电子雾化器处于干烧状态。
94.具体的，本实施例可以用于如上任一实施所述的电子雾化器中，或者采用在加热元件的空腔内设置软磁芯的电子雾化器，此处不做限定。通过检测电路获取加热元件的反电动势，然后处理模块对反电动势进行识别，绘制反电动势与时间的关系图，示例性的，如图10和图12所示。
95.进一步地，处理器在检测突变电的过程可以包括：
96.获取所述反电动势出现突变之后电动势的斜率；
97.在所述斜率超过预设阈值时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
98.具体地，因第一二极管用于将电路隔离，使检波存储电路部分只能通过超出供电电压的电势，或者第一二极管1311用于将检测电路130隔离，使检波存储单元131只能通过负压。同时检波存储单元131包括电容1312，具有快速充电和缓慢放电的特性，处理器获得的反电动势波形如图10中波形3或者图12中波形6所示，在识别到突变点后，确定出现突变之后电动势的斜率。在在斜率超过预设阈值时，确定电子雾化器处于干烧状态。
99.上述干烧状态的识别方法，通过检测加热元件的反电动势是否发生突变即可确定加热电子雾化器内的温度是否超过软磁性材料的居里点温度，从而确定电子雾化器是否发生干烧，提高了检测结果的准确性。
100.应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
101.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的干烧状态的识别方法的干烧状态的识别装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述干烧状态的识别方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个干烧状态的识别装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于干烧状态的识别方法的限定，在此不再赘述。
102.在一个实施例中，如图18所示，提供了一种干烧状态的识别装置，包括：
103.识别模块310，用于获取加热元件的反电动势，并对所述反电动势进行识别；
104.确定模块320，用于在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
105.在一个实施例中，确定模块320还用于：
106.获取所述反电动势出现突变之后电动势的斜率；
107.在所述斜率超过预设阈值时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
108.上述干烧状态的识别装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
109.在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任一干烧状态的识别方法所述实施例的步骤。
110.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
111.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
112.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。
技术特征：
1.一种电子雾化器，其特征在于，所述电子雾化器包括：处理模块、检测电路、加热元件和嵌入在所述加热元件内的磁芯；所述检测电路，用于检测所述加热元件的反电动势；所述处理模块，用于对所述反电动势进行识别，在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。2.根据权利要求1所述的电子雾化器，其特征在于，所述检测电路包括采样单元和检波存储单元；所述检波存储单元用于获取所述加热元件的反电动势，并存储；所述采样单元用于对所述检波存储单元存储的反电动势进行检测和释放。3.根据权利要求2所述的电子雾化器，其特征在于，所述检波存储单元包括：第一二极管、电容和第二二极管，所述第一二极管的正极与所述加热元件连接，所述电容的一端分别与所述第一二极管的负极、所述第二二极管的正极连接，所述电容的另一端分别与所述第二二极管的正极连接。4.根据权利要求3所述的电子雾化器，其特征在于，所述采样单元包括串联的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻远离所述第二电阻的一端连接于所述第一二极管和所述电容之间，所述第二电阻远离所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻和第二电阻之间与所述处理模块连接。5.根据权利要求1所述的电子雾化器，其特征在于，所述电子雾化器还包括：电源模块，所述电源模块用于向所述加热元件供应能量；所述处理模块包括处理器和开关单元，所述处理器的第一端与所述电源模块连接，第二端与所述开关单元的使能端连接，所述开关单元的第一端与所述电源模块连接，第二端与所述加热元件连接；所述处理器用于生成脉冲信号以控制所述开关单元导通或者断开。6.根据权利要求5所述的电子雾化器，其特征在于，所述处理模块还包括脉冲单元，所述处理器的第二端通过所述脉冲单元与所述开关单元的使能端连接；所述处理器用于控制所述脉冲单元生成脉冲信号，以控制所述开关单元导通或者断开。7.根据权利要求6所述的电子雾化器，其特征在于，所述开关单元包括pmos管和第三电阻；所述pmos管的栅极与所述脉冲单元连接，源极与所述电源模块连接，漏极与所述加热元件连接，所述第三电阻连接在所述脉冲单元和所述电源模块之间。8.根据权利要求6所述的电子雾化器，其特征在于，所述开关单元包括nmos管和第四电阻；所述nmos管的栅极与所述脉冲单元连接，源极通过所述加热元件与所述电源模块连接，漏极接地，所述第四电阻连接在所述脉冲单元和地之间。9.根据权利要求1-8中任一项所述的电子雾化器，其特征在于，所述磁芯为软磁性材料制成。10.一种干烧状态的识别方法，其特征在于，所述方法包括：
获取加热元件的反电动势，并对所述反电动势进行识别；在识别到所述反电动势出现突变时，确定电子雾化器处于干烧状态。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在识别到所述反电动势出现突变时，确定电子雾化器处于干烧状态，包括：获取所述反电动势出现突变之后电动势的斜率；在所述斜率超过预设阈值时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。12.一种干烧状态的识别装置，其特征在于，所述装置包括：识别模块，用于获取加热元件的反电动势，并对所述反电动势进行识别；确定模块，用于在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。
技术总结
本申请涉及一种干烧状态的识别方法、装置和电子雾化器。所述电子雾化器包括：处理模块、检测电路、加热元件和嵌入在所述加热元件内的磁芯，所述磁芯为软磁性材料制成；所述检测电路，用于检测所述加热元件的反电动势；所述处理模块，用于对所述反电动势进行识别，在识别到所述反电动势出现突变时，确定所述电子雾化器处于干烧状态。采用本方法能够提高电子雾化器识别干烧状态的准确率。器识别干烧状态的准确率。器识别干烧状态的准确率。
