用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统与流程
用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统
1.相关申请案的交叉引用
2.本技术要求2019年8月21日提交的第62/889,954号美国临时申请案的权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
3.本公开大体上涉及用于提供从只写模式寄存器位读取的状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统。
背景技术：
4.存储器装置广泛地用于存储与如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器和类似物的各种电子装置相关的信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(random access memory；ram)、只读存储器(read only memory；rom)、静态ram(static ram；sram)、动态ram(dynamic ram；dram)、同步动态ram(synchronous dynamic ram；sdram)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。改进存储器装置通常可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度或以其它方式减少操作时延、提高可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本等。
附图说明
5.图1是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器装置的简化框图。
6.图2是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器系统的简化框图。
7.图3是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。
8.图4是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。
具体实施方式
9.除了专用于系统和/或用户数据的存储的大存储器阵列之外，存储器装置还经常包含单独存储区域，例如用以存储装置状态信息(例如，装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度等)的模式寄存器。虽然这些模式寄存器中的许多具备只读或读取/写入能力，但设计约束(如下文更详细阐述)有时会限制模式寄存器位中的一些的功能性，使得对其的读取操作是不可靠的、禁用的或以其它方式不可能的。处理只写位的一个方法是对所述位进行配置以使得针对这些位的模式寄存器写入(mrw)命令导致既定的写入操作，但使得针对这些位的模式寄存器读取(mrr)命令导致无数据传回(例如，针对这些位的内容传回零，无论其中存储的实际数据如何)。对针对这些只写位的mrr命令不提供响应(例如，传回零)导致总线带宽浪费，这在许多应用中会导致次优的存储器装置性能。
10.因此，本发明技术的若干实施例是针对存储器装置、包含存储器装置的系统以及
操作存储器装置的方法，其中存储器装置响应于针对只写模式寄存器位的模式寄存器读取命令而传回不存储于目标只写模式寄存器位中的装置状态信息(例如，装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度等)。此布置享有若干益处，例如改进的总线利用率以及减少的获得指示存储器装置状态的数据(例如，装置状态信息)的时间。
11.图1是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器装置100的框图。存储器装置100可包含存储器单元阵列，例如存储器阵列150。存储器阵列150可包含多个排组(例如图1的实例中的排组0到15)，且每一排组可包含多个字线(wl)、多个位线(bl)，和布置在字线与位线的交叉点处的多个存储器单元。字线wl的选择可由行解码器140执行，并且位线bl的选择可由列解码器145执行。可为对应的位线bl提供感测放大器(samp)，并将其连接到至少一个相应的本地i/o线对(liot/b)，所述本地i/o线对随后可通过传输门(tg)耦合到至少一个相应的主要i/o线对(miot/b)，所述传输门可充当开关。
12.存储器装置100可采用包含耦合到命令总线和地址总线的命令和地址端子的多个外部端子，以分别接收命令信号cmd和地址信号addr。存储器装置可以另外包含用于接收片选信号cs的片选端子、用于接收时钟信号ck和ckf的时钟端子、用于接收数据时钟信号wck和wckf的数据时钟端子、数据端子dq、rdqs、dbi和dmi、电源端子vdd、vss、vddq和vssq，以及裸片上终止端子odt。
13.可从外部向命令端子和地址端子供应地址信号和排组地址信号。可通过命令/地址输入电路105将供应到地址端子的地址信号和排组地址信号传输到地址解码器110。地址解码器110可接收地址信号并将经解码行地址信号(xadd)供应到行解码器140，将经解码列地址信号(yadd)供应到列解码器145。地址解码器110还可接收排组地址信号(badd)并将排组地址信号供应到行解码器140和列解码器145两者。
14.可以从存储器控制器向命令端子和地址端子供应命令信号cmd、地址信号addr和片选信号cs。命令信号可表示来自存储器控制器的各种存储器命令(例如，包含存取命令，所述存取命令可包含读取命令和写入命令)。选择信号cs可用于选择存储器装置100以对提供到命令和地址端子的命令和地址作出响应。当将有效cs信号提供到存储器装置100时，可对命令和地址进行解码，且可执行存储器操作。可通过命令/地址输入电路105将命令信号cmd作为内部命令信号icmd提供到命令解码器115。命令解码器115可包含用于对内部命令信号icmd进行解码以产生用于执行存储器操作的各种内部信号和命令的电路，举例来说，用于选择字线的行命令信号和用于选择位线的列命令信号。内部命令信号还可包含输出和输入激活命令，如计时命令cmdck。
15.当发布读取命令且及时随读取命令一起供应行地址和列地址时，可从存储器阵列150中的由这些行地址和列地址标示的存储器单元读取读取数据。可由命令解码器115接收读取命令，所述命令解码器115可将内部命令提供到输入/输出电路160，使得可根据rdqs时钟信号经由读取/写入放大器155和输入/输出电路160从数据端子dq、rdqs、dbi和dmi输出读取数据。可在由可编程于存储器装置100中例如编程于模式寄存器(图1中未示出)中的读取时延信息rl定义的时间处提供读取数据。可在ck时钟信号的时钟循环方面限定读取时延信息rl。例如，读取时延信息rl可以是当提供相关联读取数据时在读取命令被存储器装置100接收之后的ck信号的时钟循环的数目。
16.当发布写入命令且及时随所述命令一起供应行地址和列地址时，可根据wck和wckf时钟信号将写入数据供应到数据端子dq、dbi和dmi。写入命令可由命令解码器115接收，所述命令解码器115可向输入/输出电路160提供内部命令，以使得写入数据可由输入/输出电路160中的数据接收器接收，并通过输入/输出电路160和读取/写入放大器155被供应到存储器阵列150。可在通过行地址和列地址指定的存储器单元中写入写入数据。可在由写入时延wl信息限定的时间向数据端子提供写入数据。写入时延wl信息可编程于存储器装置100中，例如编程于模式寄存器(图1中未示出)中。可在ck时钟信号的时钟循环方面限定写入时延wl信息。举例来说，写入时延信息wl可以是当接收到相关联的写入数据时在写入命令由存储器装置100接收到之后的ck信号的时钟循环的数目。
17.可以向电源端子供应电源电位vdd和vss。这些电源电位vdd和vss可被供应到内部电压产生器电路170。内部电压产生器电路170可基于电源电位vdd和vss而产生各种内部电位vpp、vod、vary、vperi等等。内部电位vpp可用于行解码器140中，内部电位vod和vary可用于包含在存储器阵列150中的感测放大器中，且内部电位vperi可用于许多其它电路块中。
18.还可以向电源端子供应电源电位vddq。电源电位vddq可连同电源电位vss一起供应到输入/输出电路160。在本发明技术的实施例中，电源电位vddq可以为与电源电位vdd相同的电位。在本发明技术的另一个实施例中，电源电位vddq可以为与电源电位vdd不同的电位。然而，可将专用电源电位vddq用于输入/输出电路160，使得由输入/输出电路160产生的电源噪声不传播到其它电路块。
19.可以向裸片上终止端子供应裸片上终止信号odt。裸片上终止信号odt可供应给输入/输出电路160以指示存储器装置100进入裸片上终止模式(例如，在存储器装置100的其它端子中的一或多个处提供预定数目的阻抗电平中的一个)。
20.可向时钟端子和数据时钟端子供应外部时钟信号和互补外部时钟信号。外部时钟信号ck、ckf、wck、wckf可被供应到时钟输入电路120。ck和ckf信号可互补，并且wck和wckf信号也可互补。互补时钟信号可以同时具有相对的时钟电平和相对的时钟电平之间的转变。举例来说，当时钟信号处于低时钟电平时，互补时钟信号处于高电平，且当时钟信号处于高时钟电平时，互补时钟信号处于低时钟电平。此外，当时钟信号从低时钟电平转变到高时钟电平时，互补时钟信号从高时钟电平转变到低时钟电平，并且当时钟信号从高时钟电平转变到低时钟电平时，互补时钟信号从低时钟电平转变到高时钟电平。
21.时钟输入电路120中所包含的输入缓冲器可接收外部时钟信号。举例来说，当通过来自命令解码器115的cke信号启用时，输入缓冲器可以接收ck和ckf信号以及wck和wckf信号。时钟输入电路120可以接收外部时钟信号以产生内部时钟信号iclk。可将内部时钟信号iclk供应到内部时钟电路130。内部时钟电路130可以基于接收到的内部时钟信号iclk和来自命令/地址输入电路105的时钟启用信号cke提供各种相位和频率受控制的内部时钟信号。例如，内部时钟电路130可以包含接收内部时钟信号iclk且将各种时钟信号提供到命令解码器115的时钟路径(图1中未示出)。内部时钟电路130可以进一步提供输入/输出(io)时钟信号。io时钟信号可以被供应到输入/输出电路160，并且可以用作用于确定读取数据的输出定时和写入数据的输入定时的定时信号。可以多个时钟频率提供io时钟信号，使得可以不同数据速率从存储器装置100输出数据和将数据输入到存储器装置100。当需要高存储器速度时，较高时钟频率可以是合乎需要的。当需要较低功率消耗时，较低时钟频率可以是
合乎需要的。也可将内部时钟信号iclk供应到定时产生器135，且因此可产生各种内部时钟信号。
22.存储器装置100可进一步包含用于存储各种数据(例如，装置状态信息)的一或多个寄存器118。模式寄存器118可包含只读位、读写位、只写位或其任何组合。在一些实施例中，模式寄存器118可按经字节大小设定的可寻址部分布置，其中每个可个别寻址的模式寄存器含有8位。可响应于模式寄存器写入(mrw)命令而写入读写和只写模式寄存器位，其中经由ca接口提供待写入的数据，且可响应于模式寄存器读取(mrr)命令而读取读写和只读模式寄存器位，其中通过dq数据端子输出所存储数据。还可由存储器装置100的各种组件在内部读取及写入模式寄存器118(例如，用装置状态信息填充只读模式寄存器位、确定只写模式寄存器位的状态等)，而无需与存储器装置的端子交换数据。
23.一些模式寄存器可居中定位(例如，在专用于存储模式寄存器的存储器装置的区中)，其中控制电路系统跨越装置扩展以将中央模式寄存器连接到利用其中存储的信息的电路。然而，其它模式寄存器可物理上位于模式寄存器存储其相关设定的电路附近。因为这些模式寄存器中的一些因此位于存储器装置的因具有额外电路系统而拥挤的区中，且因为将用以通过mrr命令提供那些模式寄存器的可读性的电路可为庞大的，所以这些模式寄存器可能不具备用于响应于mrr命令而读取模式寄存器(或其内的特定位)的电路，且因此可被视为只写的(或包含只写位)。虽然存储于这些只写模式寄存器中的信息(或只写模式寄存器位)仍可为存储器装置自身可存取的，所述存储器装置可在存储器装置的操作期间存取其中的信息(例如，使用模式寄存器位的状态作为对电路实施的状态机的输入)，但无法响应于mrr命令而输出其中的信息意味着信息大体上对存储器装置的用户不可用。响应于从只写寄存器或位读出信息的mrr命令的一个方法涉及传回预定位(例如，通常为0)。然而，此方法的缺陷包含不良的总线利用率且因此次优的存储器装置性能。
24.根据本公开的一个实施例，例如存储器装置100等存储器装置可经配置以通过传回不存储于作为mrr命令的目标的只写位中的装置状态信息来响应针对模式寄存器(例如模式寄存器118)的只写位的mrr命令。经配置以传回的装置状态信息可包含若干不同类型的信息中的任一种，包含例如特征实施方案、特征支持、装置能力、装置状态、装置配置、环境信息(例如，温度)等等。通过响应于针对只写模式寄存器位的mrr命令而传回装置状态信息，可改进总线利用率且可使得关于存储器装置的额外装置状态信息更容易可用。
25.举例来说，根据本公开的一个实施例，字节大小的模式寄存器可经配置以存储关于dram存储器装置的刷新功能的信息。下方表1中说明此示范性模式寄存器。
26.表1
[0027][0028]
如参考表1可见，具有操作数op[3]的mr位存储从主机接收的信息，所述信息指示来自主机的传入刷新命令是否将包含指定刷新率。虽然此位是只写位(例如，mrr命令不可读)，但存储器装置可经配置以传回关于存储器装置是否支持刷新优化功能(例如，其中存储器装置可利用从主机接收的指定刷新率)的装置状态信息。在使用中，op[3]位将存储0或1，以指示主机是提供(即，具有1)还是不提供(即，具有0)刷新内部速率指示功能。然而，当mrr操作以此op[3]位为目标时，并非传回寄存器中的所存储值，存储器装置将传回指示存储器装置是实施(即，具有1)还是不实施(即，具有0)对刷新优化特征的支持的装置状态信息。
[0029]
在其它实施例中，可响应于以一或多个只写模式寄存器位为目标的mrr命令而提供其它装置状态信息，包含装置温度、装置状态、装置配置等等。在此方面，根据本公开的一个方面，将响应于以特定只写模式寄存器位为目标的mrr命令而传回的装置状态信息可在另一模式寄存器中指定，使得信息可为用户可配置的。
[0030]
根据本公开的另一方面，响应于以一或多个只写模式寄存器位为目标的mrr命令而提供装置状态信息的前述方法可由存储器装置和/或存储器模块的最终用户启用或停用。举例来说，在其中特征是可配置的实施例中，可通过改变对应模式寄存器值而启用或停用特征。还可使用启用和停用前述特征的其它方法，例如向存储器装置发送命令，改变对存储器装置输入的施加电压等等。
[0031]
图2是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器系统200的简化框图。存储器系统200包含可操作地耦合到存储器模块220(例如，双列直插式存储器模块(dimm))的主机装置210。存储器模块220可任选地包含通过总线240可操作地连接到多个存储器装置250的控制器230。除了控制器230之外或代替控制器230，存储器模块220还可任选地包含寄存时钟驱动器(rcd)。
[0032]
图3是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器系统(例如，包含一或多个存储器装置的存储器模块)的方法的流程图。所述方法包含在存储器装置处接收从只写模式寄存器读取数据的命令(框310)。根据本公开的一个方面，框310的接收特征可通过命令/地址输入电路105来实施，如在上文的图1中更详细地说明。所述方法进一步包含响应于命令而读取和/或输出关于存储器装置的装置状态信息，其中所述装置状态信息不存储于只写模式寄存器中(框320)。根据本公开的一个方面，框320的输出特征可用输入/输出电路160来实施，在上文的图1中更详细地说明。
[0033]
图4是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器系统(例如，包含一或多个存储器装置的存储器模块)的方法的流程图。所述方法包含在存储器装置处接收在只写模式寄存器中存储数据的第一命令(框410)。根据本公开的一个方面，框410的接收特征可通过命令/地址输入电路105来实施，如在上文的图1中更详细地说明。所述方法进一步包含响应于第一命令而在只写模式寄存器中存储数据(框420)。根据本公开的一个方面，可用模式寄存器118实施框420的存储特征，如在上文的图1中更详细地说明。所述方法进一步包含在存储器装置处接收从只写模式寄存器读取数据的第二命令(框430)。根据本公开的一个方面，框430的接收特征可通过命令/地址输入电路105来实施，如在上文的图1中更详细地说明。所述方法进一步包含响应于第二命令而读取和/或输出关于存储器装置的装置状态信息，其中所述装置状态信息不存储于只写模式寄存器中(框440)。根据本公开的一个方面，框440的输出特征可用输入/输出电路160来实施，在上文的图1中更详细地说明。
[0034]
应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或更多个的实施例。
[0035]
尽管在前述实例实施例中已相对于dram装置示出和描述了存储器模块和装置，但本发明技术的实施例可具有对其它存储器技术的应用，包含sram、sdram、nand和/或nor快闪、相变存储器(phase change memory；pcm)、磁性ram(magnetic ram；mram)、铁电ram(ferroelectric ram；feram)等。此外，虽然存储器模块已经被说明和描述为具有九个存储器装置的双列直插式存储器模块(dimm)，但是本公开的实施例可包含更多或更少的存储器装置，和/或涉及其它存储器模块或封装格式(例如，单个串联存储器模块(simm)、小轮廓dimms(sodimm)、单个串联引脚封装(sipp)、定制存储器封装等)。
[0036]
可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可用电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
[0037]
本文中所论述的包括存储器装置的装置可形成在半导体衬底或裸片，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等上。在一些状况下，衬底为半导体晶片。在其它状况下，衬底可为绝缘体上硅(silicon-on-insulator，soi)衬底，例如玻璃上硅(silicon-on-glass，sog)或蓝宝石上硅(silicon-on-sapphire，sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
[0038]
本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。
[0039]
如本文中所使用，包含在权利要求书中，如在项列表(例如，后加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
[0040]
从上文中将了解，本文中已经出于说明的目的描述了本发明的具体实施例，但是可以在不偏离本发明的范围的情况下进行各种修改。相反，在以上描述中，论述了众多具体细节以提供对本发明技术的实施例的透彻及启发性描述。然而，相关领域的技术人员将认识到，可在并无具体细节中的一或多个的情况下实践本公开。在其它情况下，未展示或未详细地描述通常与存储器系统及装置相关联的众所周知的结构或操作，以避免混淆技术的其它方面。一般来说，应理解，除了本文中所公开的那些具体实施例之外的各种其它装置、系统和方法可在本发明技术的范围内。
技术特征：
1.一种方法，其包括：在存储器装置处接收从只写模式寄存器读取数据的命令；以及响应于所述命令，从所述存储器装置的存储器阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元读取指示所述存储器装置的状态的数据。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括确定所述存储器装置的状态信息模式被启用，且其中读取所述数据是至少部分地基于所述确定。3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述存储器装置的所述状态信息模式被启用包含读取存储于所述存储器装置的另一模式寄存器中的设定。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述指示所述存储器装置的所述状态的数据包括装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度，或其组合。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述命令是模式寄存器读取mrr命令。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器dram装置。7.一种方法，其包括：发送从存储器装置的只写模式寄存器读取数据的命令；以及响应于所述命令，接收指示所述存储器装置的状态的数据，其中所述数据存储于所述存储器装置的阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元中。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括启用所述存储器装置的状态信息模式，且其中接收所述数据是至少部分地基于所述启用。9.根据权利要求8所述的方法，其中启用所述存储器装置的所述状态信息模式包含将设定写入到所述存储器装置的另一模式寄存器。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述指示所述存储器装置的所述状态的数据包括装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度，或其组合。11.根据权利要求7所述的方法，其中所述命令是模式寄存器读取(mrr)命令。12.根据权利要求7所述的方法，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。13.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；模式寄存器，其包含至少一个只写模式寄存器位；以及电路系统，其经配置以响应于从所述至少一个只写模式寄存器位读取数据的命令而从所述存储器阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元读取指示所述存储器装置的状态的数据。14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述电路系统进一步经配置以确定所述存储器装置的状态信息模式被启用，且其中读取所述数据是至少部分地基于所述确定。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述电路系统经配置以通过读取存储于所述存储器装置的另一模式寄存器中的设定来确定所述存储器装置的所述状态信息模式被启用。16.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述指示所述存储器装置的所述状态的
数据包括装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度，或其组合。17.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述命令是模式寄存器读取(mrr)命令。18.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。19.一种存储器系统，其包括：主机装置；以及存储器装置，其可操作地耦合到所述主机装置，所述存储器装置包含：存储器阵列，只写模式寄存器位，以及电路系统，其经配置以响应于从所述只写模式寄存器位读取数据的命令而从所述阵列的不同于所述只写模式寄存器位的一或多个单元读取指示所述存储器装置的状态的数据。20.根据权利要求19所述的存储器系统，其中所述电路系统进一步经配置以确定所述存储器装置的状态信息模式被启用，且其中所述电路系统经配置以至少部分地基于所述确定而读取所述数据。21.根据权利要求20所述的存储器系统，其中所述电路系统经配置以通过读取存储于所述存储器装置的另一模式寄存器中的设定而确定所述存储器装置的所述状态信息模式被启用。22.根据权利要求19所述的存储器系统，其中所述指示所述存储器装置的所述状态的数据包括装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度，或其组合。23.根据权利要求19所述的存储器系统，其中所述命令是模式寄存器读取(mrr)命令。24.根据权利要求19所述的存储器系统，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。25.一种方法，其包括：在存储器装置处接收在只写模式寄存器中存储第一数据的第一命令；响应于所述第一命令，在所述只写模式寄存器中存储所述第一数据；在所述存储器装置处接收从所述只写模式寄存器进行读取的第二命令；以及响应于所述第二命令，输出指示所述存储器装置的状态的第二数据，其中所述第二数据不对应于存储于所述只写模式寄存器中的所述第一数据。26.一种方法，其包括：发送将第一数据写入到存储器装置的只写模式寄存器的第一命令；以及发送从所述只写模式寄存器进行读取的第二命令；以及响应于所述第二命令，接收指示所述存储器装置的状态的第二数据，其中所述第二数据不对应于所述第一数据。
技术总结
公开了存储器装置、存储器系统及其操作的方法，其中存储器装置响应于接收到针对模式寄存器的一或多个只写位的模式寄存器读取(MRR)命令而从所述存储器装置的存储器阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元读取关于所述存储器装置的指示所述存储器装置的状态的数据。所述数据可包含装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度等。可任选地启用或停用状态信息模式。所述存储器装置可包含DDR5DRAM存储器装置。器装置。器装置。
